公开(公告)号：CN117295332A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310013783.6

申请日：2023-01-05

申请人： 铠侠股份有限公司

发明人： 铃木吟 ,  河村大辅 ,  阪口智则 ,  佐伯郁弥

IPC分类号： H10B41/20 ,  H10B41/50 ,  H10B41/40 ,  H10B41/30 ,  H10B41/10 ,  H10B43/20 ,  H10B43/50 ,  H10B43/40 ,  H10B43/30 ,  H10B43/10

摘要： 根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：第一阶梯部分，其布置在堆叠方向上与板状部分重叠的位置处的阶梯区域中，其中多个导电层在第一方向上呈台阶状；及第二阶梯部分及第三阶梯部分，其布置在所述板状部分的第二方向上的两侧上的所述阶梯区域中，且具有某些结构，在所述结构中的每一者中，所述多个导电层呈台阶状，且所述结构相对于所述板状部分在所述第二方向上相互反向。多个第一插头取决于所述第一方向上的位置而相对于所述板状部分个别地布置在所述第二方向上的不同位置处，且多个第二插头相对于所述板状部分个别地布置在与所述多个第一插头的所述相应位置在所述第二方向上反向的位置处。

公开(公告)号：CN117279375A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310008367.7

申请日：2023-01-04

申请人： 铠侠股份有限公司

发明人： 河村大辅 ,  佐伯郁弥 ,  阪口智则

IPC分类号： H10B41/20 ,  H10B41/50 ,  H10B41/40 ,  H10B41/30 ,  H10B43/20 ,  H10B43/50 ,  H10B43/40 ,  H10B43/30

摘要： 根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：多个第一接触件，其布置在板状部分的第二方向上的一侧上的阶梯区域中并沿着所述板状部分，且个别地连接到第一阶梯部分中的多个台阶状导电层之间的至少下部导电层；及多个第二接触件，其布置在所述板状部分的所述第二方向上的另一侧上的所述阶梯区域中并沿着所述板状部分，且个别地连接到所述第一阶梯部分中的所述至少下部导电层，其中所述多个第一接触件取决于第一方向上的位置而相对于所述板状部分在所述第二方向上个别地布置在不同的位置处，且所述多个第二接触件相对于所述板状部分个别地布置在与所述多个第一接触件的所述相应位置在所述第二方向上反向的位置处。