公开(公告)号：CN118370018A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202280006165.2

申请日：2022-11-17

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 朱宏斌 ,  程卫华 ,  刘威 ,  华文宇 ,  颜丙杰 ,  刘子琛

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 在某些方面，一种半导体器件包括垂直晶体管、金属位线和衬垫层。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体，以及耦合到半导体主体的至少一个侧面的栅极结构。栅极结构包括栅极电介质和栅极电极。金属位线在正交于第一方向的第二方向上延伸并且经由欧姆触点耦合到垂直晶体管的端子。衬垫层在第一方向上位于栅极电极和金属位线之间。栅极电介质和衬垫层具有不同的电介质材料。

公开(公告)号：CN118175845A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202211589182.1

申请日：2022-12-09

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 陈亮 ,  刘威

IPC分类号： H10B41/41 ,  H10B41/50 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H01L21/762

摘要： 本申请提供一种半导体器件、存储器器件以及存储器系统。半导体器件包括：衬底，包括第一区域、第二区域以及第三区域；在第一区域、第二区域以及第三区域内分别具有第一沟槽隔离结构、第二沟槽隔离结构以及第三沟槽隔离结构，其中，在垂直于衬底的方向上，第一沟槽隔离结构在衬底中的延伸尺寸、第二沟槽隔离结构在衬底中的延伸尺寸以及第三沟槽隔离结构在衬底中的延伸尺寸依次递减。该半导体器件有利于减少隔离结构的占用面积，从而减少半导体器件的整体面积。

公开(公告)号：CN118173134A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202211584105.7

申请日：2022-12-09

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 陈亮 ,  刘威 ,  贾彩艳

IPC分类号： G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  H10B80/00

摘要： 本申请提供一种存储器器件及其制造方法、存储器系统。存储器器件包括存储单元阵列芯片；第一外围电路芯片；以及第二外围电路芯片；其中，第一外围电路芯片连接于存储单元阵列芯片与第二外围电路芯片之间，第一外围电路芯片和第二外围电路芯片分别设置有第一外围电路和第二外围电路，第一外围电路和第二外围电路中的至少之一包括页缓冲器，页缓冲器中的高压页缓冲电路和低压页缓冲电路共同设置于第一外围电路芯片中，或者第二外围电路芯片中。

公开(公告)号：CN117042443A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310511701.0

申请日：2023-05-08

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 孙超 ,  江宁 ,  刘威

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 公开了三维(3D)半导体装置和制造方法。该半导体装置包括垂直晶体管的阵列。每个垂直晶体管包括在垂直方向上延伸的半导体主体，以及横向围绕半导体主体的全环栅结构。在第一横向方向上的每一行的垂直晶体管共享在第一横向方向上延伸并且包括该行的垂直晶体管的全环栅结构的公共字线。相邻行的垂直晶体管沿与第一横向方向垂直的第二横向方向未对准。垂直晶体管的阵列沿与第一横向方向和第二横向方向不同的第三横向方向对准。

公开(公告)号：CN116888669A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202180002869.8

申请日：2021-06-30

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 孙超 ,  陈亮 ,  许文山 ,  刘威 ,  江宁 ,  薛磊 ,  田武

IPC分类号： G11C8/10

摘要： 在某些方面，一种存储装置包括存储单元阵列和多个外围电路，所述多个外围电路耦接到存储单元阵列且被配置为控制存储单元阵列。多个外围电路中的第一外围电路包括第一三维(3D)晶体管。第一3D晶体管包括3D半导体主体和与3D半导体主体的多个侧面接触的栅极结构。栅极结构包括栅极电介质和栅电极。栅电极包括金属，并且栅极电介质具有在1.8nm和10nm之间的厚度。

公开(公告)号：CN116097920A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180003352.0

申请日：2021-08-31

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 朱宏斌 ,  刘威 ,  王言虹 ,  江宁

IPC分类号： H10B69/00

摘要： 在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及在第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体，以及在第二方向上与半导体主体的两个相对侧面接触的栅极结构。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。

公开(公告)号：CN116097918A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180003351.6

申请日：2021-08-31

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 刘威 ,  朱宏斌 ,  华子群 ,  江宁 ,  华文宇

IPC分类号： H10B41/41

摘要： 在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及在第一半导体结构与第二半导体结构之间的第一键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。存储器单元阵列经过第一键合界面耦合到外围电路。

公开(公告)号：CN116097917A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180003353.5

申请日：2021-08-31

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 朱宏斌 ,  刘威 ,  王言虹

IPC分类号： H10B41/40

摘要： 在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及在第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体，以及与半导体主体的所有侧面接触的栅极结构。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。

公开(公告)号：CN116097914A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180003349.9

申请日：2021-09-30

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 杨士宁 ,  朱宏斌 ,  刘威 ,  华文宇

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 在某些方面中，一种存储器器件包括：半导体层，包括与半导体层接触的外围晶体管的外围电路，设置在半导体层和外围电路旁边的存储器单元阵列，以及耦合到存储器单元的位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管，以及耦合到垂直晶体管的存储单元。位线中的每条位线在垂直于第一方向的第二方向上延伸。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。

公开(公告)号：CN116075932A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180022289.5

申请日：2021-08-30

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 杨远程 ,  周文犀 ,  夏志良 ,  刘威 ,  霍宗亮

IPC分类号： H01L23/538

摘要： 本公开涉及一种三维存储器及其制造方法。该方法包括：在第一衬底上形成存储芯片；在所述存储芯片上设置半导体层；形成贯穿所述半导体层的触点；以及基于所述半导体层形成第一外围电路芯片，其中，所述第一外围电路芯片通过所述触点与所述存储芯片电连接。