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公开(公告)号：CN118284055A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310428377.6
申请日：2023-04-20
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 提供了存储器件、存储系统和形成方法。所述形成方法包括：提供电介质对堆叠体，所述电介质对堆叠体包含穿过其延伸的沟道层，以及在所述电介质对堆叠体中形成与所述沟道层接触的牺牲层；在所述电介质对堆叠体上方形成半导体层，所述半导体层包含顶部选择栅极(TSG)切口结构；形成穿过所述半导体层的沟槽以暴露所述牺牲层；在所述半导体层被所述沟槽暴露的侧壁上形成阻挡层；通过去除所述牺牲层来形成凹陷部；以及在所述沟槽和所述凹陷部中形成沟道插塞结构。
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公开(公告)号：CN118215290A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310613792.9
申请日：2023-05-24
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/41 , H10B41/50 , H10B43/27 , H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/50
摘要： 公开了三维(3D)存储器件及其形成方法。在某些方面中，一种3D存储器件包括：包括交替的第一电介质层和第一导电层的第一半导体结构、所述第一半导体结构上方的阵列公共源极(ACS)膜、所述ACS膜上方的第二半导体结构，以及沿第一方向在所述第一半导体结构、所述ACS膜和所述第二半导体结构中延伸的沟道结构。所述第二半导体结构包括交替的第二电介质层和第二导电层。所述沟道结构电连接至所述ACS膜。
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公开(公告)号：CN118215296A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211577764.8
申请日：2022-12-09
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H10B43/30 , H10B43/40 , H10B43/50 , H01L21/324
摘要： 本申请实施方式提供了一种半导体构件及其制造方法、存储系统。制造方法包括：在第一温度下对第一晶圆进行缺陷修复，第一晶圆包括存储单元；将第一晶圆与第二晶圆键合以形成半导体构件，第二晶圆包括器件层；以及在低于第一温度的第二温度下修复半导体构件。
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公开(公告)号：CN117279384A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210671599.6
申请日：2022-06-14
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 提供了三维(3D)NAND存储器装置和方法。在一个方面中，一种制造方法包括在衬底上方形成导体/绝缘体堆叠体；在所述导体/绝缘体堆叠体的一部分上方形成包括原子氢的电介质材料的电介质层；以及执行热工艺以从所述电介质材料释放所述原子氢并且使所述原子氢扩散到所述导体/绝缘体堆叠体中。
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公开(公告)号：CN118284056A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310436142.1
申请日：2023-04-20
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 提供了存储器件、存储系统和形成方法。所述方法包括：在电介质对堆叠体上方形成牺牲层，所述牺牲层包含所述电介质对堆叠体上方的顶部选择栅极(TSG)切口结构；形成沟道插塞结构，所述沟道插塞结构包括所述电介质对堆叠体中的下插塞部分和穿过所述牺牲层的上插塞部分；在去除所述牺牲层之后形成阻挡层，所述阻挡层至少包封所述沟道插塞结构的所述上插塞部分；以及在所述电介质对堆叠体上方形成半导体层，以嵌入所述TSG切口结构、所述阻挡层和所述沟道插塞结构的所述上插塞部分。
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