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公开(公告)号：CN107017311B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201611045541.1
申请日：2016-11-24
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05
CPC classification number: H01L41/273 , B22F1/0011 , B22F1/0014 , B22F7/06 , B22F2001/0066 , C03C8/18 , C22C1/0466 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L27/142 , H01L31/022425 , H01L41/083 , H01L41/27
Abstract: 公开了与半导体装置一起使用的嵌入浆料。浆料包含贵金属粒子、嵌入粒子和有机载体，且可被用于改进金属粒子层的材料属性。特定形成已经发展为在干燥金属粒子层上直接丝网印刷和烧结以制得烧结多层堆叠。烧结多层堆叠是特制的以产生可软焊表面、高机械强度和低接触电阻。在一些实施方式中，烧结多层堆叠可通过介质层蚀刻，以改进至基层的附着。这种浆料可被用于增加硅太阳能电池的效率，特别是多晶和单晶硅背表面场(BSF)，和钝化发射极和后接触(PERC)光伏电池。其它应用包括集成电路，以及更广泛的，电子装置。
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公开(公告)号：CN109547715A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811103608.1
申请日：2018-09-21
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N5/341 , H01L27/142 , H01L27/14609 , H03M1/12 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及成像设备和成像设备的驱动方法。成像设备包括包含分别包含多个光电转换器的多个像素的像素阵列单元和包含模拟-数字转换单元的数字处理单元，其中，像素的一部分输出基于在N个光电转换器处产生的电荷的第一模拟信号和基于在包含N个光电转换器的M个(M是大于N的整数)光电转换器处产生的电荷的第二模拟信号，像素的其它部分输出第二模拟信号，输出到信号处理单元的第二模拟信号的数量大于输出到信号处理单元的第一模拟信号的数量，并且，在模拟-数字转换单元结束第一模拟信号的模拟-数字转换之前，信号处理单元从所述一部分像素中的每一个接收第一和第二模拟信号。
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公开(公告)号：CN108447876A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810208090.1
申请日：2018-03-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/142
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L27/142
Abstract: 本发明的射频收发机中的多晶硅纳米薄膜热电偶微型能量收集器，主要由衬底、水平放置的热电堆和散热金属板构成；其中，硅衬底的特定区域通过深反应离子刻蚀技术刻孔，作为上方第一氮化硅薄膜8的支撑结构和传热结构；热电堆的一端位于硅衬底上，另一端位于薄膜结构的中央；热电堆是由许多热电偶串联而成，而每个热电偶又由N型多晶硅纳米薄膜和P型多晶硅纳米薄膜构成，因多晶硅纳米薄膜的热导率远低于传统体材料，提高了器件的热电转换效率；两个半导体臂之间采用Au作为互联金属，同时制作了多个测试电极；在热电堆的上方，通过牺牲层释放制作出的空腔结构，空腔的上方为金属板，与热电堆之间隔有第二氮化硅薄膜。
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公开(公告)号：CN107017311A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611045541.1
申请日：2016-11-24
Applicant: 普兰特光伏有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05
CPC classification number: H01L41/273 , B22F1/0011 , B22F1/0014 , B22F7/06 , B22F2001/0066 , C03C8/18 , C22C1/0466 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L27/142 , H01L31/022425 , H01L41/083 , H01L41/27 , H01L31/0512
Abstract: 公开了与半导体装置一起使用的嵌入浆料。浆料包含贵金属粒子、嵌入粒子和有机载体，且可被用于改进金属粒子层的材料属性。特定形成已经发展为在干燥金属粒子层上直接丝网印刷和烧结以制得烧结多层堆叠。烧结多层堆叠是特制的以产生可软焊表面、高机械强度和低接触电阻。在一些实施方式中，烧结多层堆叠可通过介质层蚀刻，以改进至基层的附着。这种浆料可被用于增加硅太阳能电池的效率，特别是多晶和单晶硅背表面场(BSF)，和钝化发射极和后接触(PERC)光伏电池。其它应用包括集成电路，以及更广泛的，电子装置。
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公开(公告)号：CN106935667A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710311762.7
申请日：2017-05-05
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3269 , H01L27/1214 , H01L27/14 , H01L27/142 , H01L27/322 , H01L27/3234 , H01L31/02164 , H01L27/3227 , H01L31/02165
Abstract: 本发明提供了一种光电传感器，包括：光电转换单元，用于接收光信号且将光信号转换为电信号；光学处理层，设置在所述光电转换单元的入光侧，用于处理所述光信号，以降低到达所述光电转换单元的光通量。本发明还提供一种包括上述光电传感器的显示面板和显示装置。本发明提供的光电传感器可应用在高光强下，从而可以大幅度增加显示装置和显示面板能够准确测量的光强范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105470324A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510923183.9
申请日：2015-12-14
Applicant: 山东永泰集团有限公司
IPC: H01L31/042 , H01L33/00
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L27/142 , H01L31/042 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种自动报警太阳能电池组件，本发明将普通的旁路二极管换成发光二极管。当组件正常工作时，发光二极管处于反偏状态，二极管不发光；而当发生热斑效应时，发光二极管正向导通，此时二极管发光，就可以较容易发现发生热斑效应的组件，而去采取一定的措施消除热斑效应，保障光伏电站更多的电力输出。
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公开(公告)号：CN104396030A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380032574.0
申请日：2013-06-14
Applicant: 索泰克公司
Inventor： 帕斯卡·昆纳德
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/042 , H01L25/0753 , H01L27/142 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L31/02008 , H01L31/03044 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/0543 , H01L31/055 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/1844 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01L2924/3512 , H01L2933/0016 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明涉及一种制造方法，该制造方法包括以下步骤：在第一基板(10)上形成各自包括至少一个p型层(20)、有源区域(18)和n型层(12)的多个基本LED或光生伏打结构；在所述多个基本结构上形成第一平面金属层(42)；提供包括第二平面金属层(46)的转印基板(50)；通过在室温下通过分子粘附结合所述第一金属层和第二金属层(42,46)来将所述多个基本结构与所述转印基板(50)组装在一起；以及去除所述第一基板(10)。
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公开(公告)号：CN103931000A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280056526.0
申请日：2012-09-20
Applicant: 埃特19有限公司
Inventor： 约翰·理查德·菲森 , 尤根·弗雷德里克·温克尔 , 迈克尔·尼格曼 , 西蒙·巴恩斯菲尔德-加恩
CPC classification number: H01L27/142 , G08B13/1409 , H01L27/301 , H01L31/02021 , Y02E10/50
Abstract: 为减少对太阳能电池的篡改，本发明提供了一种光伏设备，其包含安装于密封材料中的至少一个光伏电池，该密封材料构成至少一个光伏电池的保护性屏障，允许来自设备的电力输送的可操作开关；一旦设备受到篡改，安装于密封材料中的装置会使设备无法操作，优选永久性无法操作。
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公开(公告)号：CN102449775B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080023680.9
申请日：2010-06-03
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L31/0392 , H01L31/076 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0522 , H01L27/142 , H01L31/028 , H01L31/03046 , H01L31/0392 , H01L31/0475 , H01L31/0543 , H01L31/0687 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1852 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种半导体基板，具有：含硅的基底基板，和形成在基底基板上，具有露出基底基板表面的开口，用于阻碍结晶生长的阻碍体、和接触被露出于开口内部的基底基板表面，形成在开口内部的光吸收构造体，光吸收构造体具有第1半导体和第2半导体，所述第1半导体包含：第1传导型第1半导体、形成在第1传导型第1半导体的上方，具有与第1传导型第1半导体相反的传导型的第2传导型第1半导体、以及形成在第1传导型第1半导体和第2传导型第1半导体之间，有效载流子浓度比第1传导型第1半导体及第2传导型第1半导体更低的低载流子浓度第1半导体；所述第2半导体包含：与第2传导型第1半导体晶格匹配或准晶格匹配且具有与第2传导型第1半导体相反的传导型的第1传导型第2半导体、以及形成第1传导型第2半导体的上方，具有与第1传导型第2半导体相反的传导型的第2传导型第2半导体、形成在第1传导型第2半导体和第2传导型第2半导体之间且有效载流子浓度比第1传导型第2半导体及第2传导型第2半导体更低的低载流子浓度第2半导体。
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公开(公告)号：CN101715592B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200880018313.2
申请日：2008-05-30
Applicant: 无限科技全球公司
IPC: G09G3/32
CPC classification number: H01L27/3281 , H01L25/0753 , H01L27/142 , H01L31/0475 , H01L31/048 , H01L31/0508 , H01L31/0512 , H01L31/054 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种可寻址式或是静态的电子装置，例如发光显示器、或发电装置。一个示范性的装置包含具有多个空穴的基板；连接至该基板且至少部分地包含在该空穴之内的多个第一导体，且该多个第一导体具有第一且实质上平行的方向；连接至该多个第一导体且具有实质上垂直于该第一方向的第二方向的多个发光二极管、光生伏打二极管、或其它电子组件；以及连接至该多个二极管且具有实质上垂直于该第二方向以及实质上垂直于该第一方向的第三方向的多个实质上光学穿透式的第二导体。
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