公开(公告)号：CN104937728B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201380070542.X

申请日：2013-12-20

申请人： 阿莱迪亚公司 ,  原子能和能源替代品委员会

发明人： E·普尔基耶 ,  H·博诺

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/15 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L29/127 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66469 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42 ,  H01L33/48 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

摘要： 生成包括LED线的相邻区域的工艺和通过该工艺获得的器件。本发明涉及一种用于生成至少两个相邻区域的工艺，所述两个相邻区域各自包括在给定的区域中通过透明导电层连接在一起的发光线阵列，所述工艺的特征在于其包括下述步骤：‑在衬底上生成用于生长线的多个单个区，所述线延伸在比所述两个芯片(SP1、SP2)的累加面积更大的面积(SNT)上；‑在所述单个生长区中生长线(NTi)；‑从形成初始自由区域(SL0)的至少一个区去除线，从而限定所述线(NT1i，NT2j)的阵列，所述初始自由区域(SL0)包括与去除的线对齐的称作印迹的单个生长区(zci0)；以及‑在每个线的阵列上沉积透明导电层，从而电性连接给定的线的阵列的线，每个导电层(CNT1i)通过自由区域(SL)与邻近区域的导电层(CNT2i)相分隔。本发明还涉及使用本发明的工艺所获得的器件。

公开(公告)号：CN104937728A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201380070542.X

申请日：2013-12-20

申请人： 阿莱迪亚公司 ,  原子能和能源替代品委员会

发明人： E·普尔基耶 ,  H·博诺

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/15 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L29/127 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66469 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42 ,  H01L33/48 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

摘要： 生成包括LED线的相邻区域的工艺和通过该工艺获得的器件。本发明涉及一种用于生成至少两个相邻区域的工艺，所述两个相邻区域各自包括在给定的区域中通过透明导电层连接在一起的发光线阵列，所述工艺的特征在于其包括下述步骤：-在衬底上生成用于生长线的多个单个区，所述线延伸在比所述两个芯片(SP1、SP2)的累加面积更大的面积(SNT)上；-在所述单个生长区中生长线(NTi)；-从形成初始自由区域(SL0)的至少一个区去除线，从而限定所述线(NT1i，NT2j)的阵列，所述初始自由区域(SL0)包括与去除的线对齐的称作印迹的单个生长区(zci0)；以及-在每个线的阵列上沉积透明导电层，从而电性连接给定的线的阵列的线，每个导电层(CNT1i)通过自由区域(SL)与邻近区域的导电层(CNT2i)相分隔。本发明还涉及使用本发明的工艺所获得的器件。