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公开(公告)号：CN108767076A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810745910.0
申请日：2013-01-03
申请人： 亮锐控股有限公司
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/36
摘要： 粗糙化发光设备的表面以提高表面的光提取效率，但是选择粗糙化区域的大小以实现所期望水平的光提取效率。光刻技术可以用来创建掩模，其将粗糙化限于发光表面的选择区域。因为粗糙化区域的大小可以被精确地控制，所以光提取效率可以被精确地控制，其基本上独立于用来粗糙化表面的特定过程。此外，表面的选择性粗糙化可以用来获得所期望的光发射输出图案。
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公开(公告)号：CN106256027A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201580017767.8
申请日：2015-04-02
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0008 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 根据实施例的发光器件，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层，位于第一导电半导体层下方；以及第一有源层，位于第一导电半导体层和第二导电半导体层之间。发光器件包括：基于氮的发光结构层；第一电极，电连接至第一导电半导体层；接触层，由导电材料形成，并附接在第二导电半导体层下方；反射层，放置在接触层下方；覆层，放置在反射层下方；以及导电支撑部件，放置在覆层下方；其中，反射层的厚度大于第二导电半导体层的厚度，并且比接触层的厚度大90倍或更大。
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公开(公告)号：CN105810789A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610016248.6
申请日：2016-01-11
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/0008 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L33/36 , H01L33/641
摘要： 本发明的实施方式提供一种改善了发光效率的半导体发光元件。实施方式的半导体发光元件具备：半导体层，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层；电极垫，与所述半导体层相邻而设置；第1电极，一端连接在所述电极垫，从所述电极垫线状地延伸而连接在所述第1半导体层；第2电极，与所述第2半导体层连接；以及设置在所述第1半导体层的一部分与所述第1电极的一部分之间的层，该层具有比所述第1电极的导电率低的导电率。所述第1电极随着远离所述电极垫，而与所述延伸的方向垂直的方向的长度即电极宽度变短且与所述第1电极的连接面积减少。
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公开(公告)号：CN101989573B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201010243804.6
申请日：2010-08-02
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/56 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , Y10S438/94
摘要： 根据一个实施方式，一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
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公开(公告)号：CN103354253A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310258023.8
申请日：2010-08-02
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/56 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , Y10S438/94
摘要： 根据一个实施方式，一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
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公开(公告)号：CN102842664A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210181521.2
申请日：2012-06-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L33/0008 , H01L27/15 , H01L33/0004 , H01L33/005 , H01L33/62
摘要： 发光二极管（LED）结构，即，LED结构，包括第一掺杂剂区、位于该第一掺杂剂区顶部上的介电层、位于该介电层第一部分的顶部上的接合焊盘层以及具有第一LED区和第二LED区的LED层。接合焊盘层电连接至第一掺杂剂区。第一LED区电连接至接合焊盘层。
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公开(公告)号：CN101989573A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010243804.6
申请日：2010-08-02
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/56 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , Y10S438/94
摘要： 根据一个实施方式，一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
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公开(公告)号：CN100557830C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200580042503.4
申请日：2005-08-22
申请人： 3M创新有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/28 , B82Y20/00 , H01L33/0008 , H01L33/06
摘要： 本发明提供一种包括位于pn结内部的第一势阱和不位于pn结内部的第二势阱的半导体器件。该势阱可以是量子阱。该半导体器件典型地为LED，可以是白光或接近白光的LED。该半导体器件可能另外包含一个不位于pn结内部的第三势阱。该半导体器件可能另外包含围绕或靠近或直接相邻第二势阱或第三量子阱的吸收层。此外，提供包括根据本发明的半导体器件的图形显示设备和照明设备。
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公开(公告)号：CN1019436B
公开(公告)日：1992-12-09
申请号：CN89109795.3
申请日：1989-12-14
申请人： 克里研究公司
发明人： 约翰·A·埃德蒙
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/34 , H01L33/0008 , H01L33/343
摘要： 本发明包含有在碳化硅中形成的发光二极管，它发射介于约465至470nm，或介于约455至460nm，或介于约424至428nm波长的可见光。该二极管包含具有第一导电型的α型碳化硅的基片和在具有相同导电型的用作为基片的在基片上的α型碳化硅的第一外延层。一个在第一外延层上的α型碳化硅的第二外延层，具有与第一层相反的导电型，并与第一外延层形成一个p-n结。在最佳实施例中，第一和第二外延层的载流子浓度相互间具有足够的差别，使在偏置条件下流过结的空穴流和电子流的流量相互间有所不同，故而主要的复合作用在所要求的外延层内发生。
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公开(公告)号：CN104241469B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201410259008.X
申请日：2014-06-11
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0008 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/14
摘要： 公开了一种发光器件及照明系统。该发光器件包括：第一导电半导体层(112)；在第一导电半导体层(112)上的包括量子阱(114w)和量子势垒(114b)的有源层(114)；在有源层(114)上的无掺杂最后势垒层(127)；在无掺杂最后势垒层(127)上的AlxInyGa(1‑x‑y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)基层(128)；以及在AlxInyGa(1‑x‑y)N基层(128)上的第二导电半导体层(116)。
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