-
公开(公告)号：CN115522260A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211348617.3
申请日：2022-10-31
申请人： 陕西科技大学
摘要： 本发明属于黑磷制备方法技术领域，具体涉及一种高稳定黑磷单晶的制备方法，包括以下步骤：对清洗好的石英管进行涂碳处理，称取红磷、锡、碘、固态碳源一起密封于涂碳的石英管中，将石英管放置于马弗炉中进行热处理，之后冷却至室温，制得黑磷晶体。本发明在石英管涂碳可以防止杂质影响制备黑磷的纯度，同时高质量的碳层可以帮助黑磷形核；在黑磷生长过程中加入了固态碳源，可以实现对黑磷进行碳掺杂，同时过量的碳可以包覆黑磷表面，显著提升黑磷的稳定性。
-
公开(公告)号：CN115863479A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211505190.3
申请日：2022-11-29
申请人： 陕西科技大学
IPC分类号： H01L31/18 , G01J1/42 , H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/0312 , H01L31/109 , B82B3/00
摘要： 本发明属于光电技术领域，具体来说是Si纳米线阵列‑4H‑SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用，紫外光电探测器由下至上分别为金属电极、单晶Si基底、Si纳米线阵列、4H‑SiC纳米线阵列、金属电极，紫外光电探测器的制备包括以下步骤：(1)碳化硅与硅单晶片预处理；(2)碳化硅纳米线阵列的生长与转移；(3)硅纳米线阵列的生长；(4)硅纳米线阵列与碳化硅纳米线阵列的焊接制备紫外光电探测器；本发明的紫外光电探测器制备方法简单，成本低廉，通过Si‑4H‑SiC纳米线阵列形成的pn结结构具备较高的响应度，提升了光利用率，可大幅增加紫外光电探测器的探测性能。
-
公开(公告)号：CN115536024A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211213696.7
申请日：2022-09-30
申请人： 陕西科技大学
IPC分类号： C01B32/956 , B82Y40/00
摘要： 本发明一种磁场诱导法制备SiC纳米线阵列的方法，包括：(1)在衬底上制备一层锡金属催化剂；在SiC纳米线表面镀一层金属Ni，得到Ni‑SiC核壳结构；(2)将Ni‑SiC核壳结构的乙醇溶液匀胶到具有锡金属催化剂的衬底上：(3)将衬底放入均匀磁场中，对衬底加热，当衬底上的锡开始融化时，增加磁场大小，当SiC纳米线竖直站立在熔化的锡金属液滴中时，停止加热；(4)降温至常温后，将衬底倒置放入盐酸溶液中，将锡金属和Ni壳层经酸洗去除，得到SiC纳米线阵列。本发明SiC纳米线阵列薄膜制备方法具有取向方向可控、直径和周期可控的特点，通过磁场诱导无损制备纳米线阵列还具有对衬底友好、清洁环保、可控性强的特点。
-
公开(公告)号：CN115050586B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210737771.3
申请日：2022-06-27
申请人： 陕西科技大学
摘要： 本发明提供一种MXene纳米片‑黑曲霉菌炭化碳复合材料及其制备方法和应用，包括：步骤1，将MXene纳米片和pH值缓冲液加入水中，混合均匀，再加入黑曲霉菌，混合均匀后培养，培养所得固体产物进行冷冻干燥，得到前驱体；步骤2，将前驱体在650～850℃下退火处理，得到碳化物；步骤3，将碳化物进行活化处理，得到MXene纳米片‑黑曲霉菌炭化碳复合材料；所述MXene‑黑曲霉菌炭化碳复合结构可作为电极材料用于电容去离子核废水净化，大大提高了对水中放射性离子的吸附效率。
-
公开(公告)号：CN115867055A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211505128.4
申请日：2022-11-29
申请人： 陕西科技大学
摘要： 本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，具体来说是SiC‑石墨烯核壳纳米线阵列、及其制备方法和在自供电光电探测器中的应用，包括以下步骤：对SiC表面进行处理，然后将其进行电化学腐蚀处理得到4H‑SiC纳米线阵列薄膜，再制备SiC‑石墨烯核壳纳米线阵列，并采用SiC‑石墨烯核壳纳米线阵列制备自供电光电探测器。本发明通过电化学腐蚀制备4H‑SiC纳米线阵列，然后在SiC纳米线阵列外层面外延制备石墨烯，最后形成SiC‑石墨烯核壳纳米线阵列；本发明提供的制备方法不仅有效克服了SiC纳米线做为光电探测敏感单元不能满足高性能的要求，还能通过调控石墨烯的层数实现宽光谱光电探测器的制备。
-
公开(公告)号：CN115093012A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210736962.8
申请日：2022-06-27
申请人： 陕西科技大学
IPC分类号： C02F3/00 , C02F3/34 , C12N13/00 , C12N1/14 , C12N15/01 , B01J20/06 , B01J20/20 , G21F9/06 , G21F9/12 , G21F9/18 , C12R1/685
摘要： 本发明提供一种TiO2‑黑曲霉菌炭化碳复合物及其制备方法和应用，包括：步骤1，将黑曲霉菌加入钛源溶液中，震荡培养，分离固体产物并冷冻干燥，得到产物1；步骤2，将产物1在650～850℃下退火处理，得到产物2；步骤3，将产物2进行活化处理，得到TiO2‑黑曲霉菌炭化碳复合物。所述TiO2‑黑曲霉菌炭化碳复合物可作为电极膜用于电容去离子核废水净化，无需加入离子交换膜，有效克服核废水净化过程的高成本、二次泄露问题。
-
公开(公告)号：CN115522260B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211348617.3
申请日：2022-10-31
申请人： 陕西科技大学
摘要： 本发明属于黑磷制备方法技术领域，具体涉及一种高稳定黑磷单晶的制备方法，包括以下步骤：对清洗好的石英管进行涂碳处理，称取红磷、锡、碘、固态碳源一起密封于涂碳的石英管中，将石英管放置于马弗炉中进行热处理，之后冷却至室温，制得黑磷晶体。本发明在石英管涂碳可以防止杂质影响制备黑磷的纯度，同时高质量的碳层可以帮助黑磷形核；在黑磷生长过程中加入了固态碳源，可以实现对黑磷进行碳掺杂，同时过量的碳可以包覆黑磷表面，显著提升黑磷的稳定性。
-
公开(公告)号：CN115093012B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210736962.8
申请日：2022-06-27
申请人： 陕西科技大学
IPC分类号： B01J20/20 , C02F3/00 , C02F3/34 , C12N13/00 , C12N1/14 , C12N15/01 , B01J20/06 , G21F9/06 , G21F9/12 , G21F9/18
摘要： 本发明提供一种TiO2‑黑曲霉菌炭化碳复合物及其制备方法和应用，包括：步骤1，将黑曲霉菌加入钛源溶液中，震荡培养，分离固体产物并冷冻干燥，得到产物1；步骤2，将产物1在650～850℃下退火处理，得到产物2；步骤3，将产物2进行活化处理，得到TiO2‑黑曲霉菌炭化碳复合物。所述TiO2‑黑曲霉菌炭化碳复合物可作为电极膜用于电容去离子核废水净化，无需加入离子交换膜，有效克服核废水净化过程的高成本、二次泄露问题。
-
公开(公告)号：CN115050586A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210737771.3
申请日：2022-06-27
申请人： 陕西科技大学
摘要： 本发明提供一种MXene纳米片‑黑曲霉菌炭化碳复合材料及其制备方法和应用，包括：步骤1，将MXene纳米片和pH值缓冲液加入水中，混合均匀，再加入黑曲霉菌，混合均匀后培养，培养所得固体产物进行冷冻干燥，得到前驱体；步骤2，将前驱体在650～850℃下退火处理，得到碳化物；步骤3，将碳化物进行活化处理，得到MXene纳米片‑黑曲霉菌炭化碳复合材料；所述MXene‑黑曲霉菌炭化碳复合结构可作为电极材料用于电容去离子核废水净化，大大提高了对水中放射性离子的吸附效率。
-
公开(公告)号：CN113373424A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110638881.X
申请日：2021-06-08
申请人： 陕西科技大学
摘要： 本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种判断CVD实验中碳原子生长结构的方法。碳原子生长结构包括碳纳米管结构和富勒烯结构；碳纳米管结构的形成能由纳米管帽的曲率能、纳米管的曲率能以及纳米管与金属催化剂之间的边界形成能组成，富勒烯结构的形成能由富勒烯的曲率能、形成富勒烯过程中碳结构与金属催化剂间的界面形成能、碳原子与金属催化剂间的结合能组成，当碳纳米管结构的形成能大于富勒烯结构，则碳原子的生长结构为富勒烯结构，反之为碳纳米管结构。本发明解释了“在CVD实验中，金属纳米粒子表面的碳原子会生长为碳纳米管，而不是富勒烯结构”这一现象，可引导将来更好地设计碳纳米管生长的实验，制备更加优质的碳纳米管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.026 秒)
