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公开(公告)号：CN105388709B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510536341.5
申请日：2015-08-27
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 本发明提供多图案形成方法。所述方法包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上方形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下各者的组合物形成：包含酸不稳定基团的基质聚合物；光酸产生剂；和溶剂；(c)逐图案曝光所述光致抗蚀剂层以活化辐射；(d)烘烤所述曝光的光致抗蚀剂层；(e)使所述烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀图案；(f)用包含用于将所述第一抗蚀图案的侧壁区的可溶性从可溶转变为不溶的手段的涂料组合物处理所述第一抗蚀图案，所述可溶性为就不同于所述第一显影剂的第二显影剂来说的；和(g)使所述处理的第一抗蚀图案与所述第二显影剂接触以去除一部分所述第一抗蚀图案，留下所述可溶性转变的侧壁区以形成多图案。所述方法尤其适用于半导体制造工业以形成精细光刻图案。
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公开(公告)号：CN109072068B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201780027460.5
申请日：2017-05-12
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C09K11/02 , C08F287/00 , C08F292/00 , B82Y40/00 , B82Y20/00
摘要： 一种聚合物树脂，其包括：(a)量子点，(b)式(I)的化合物其中R1是氢或甲基，并且R2是C6‑C20脂肪族多环取代基，以及(c)嵌段或接枝共聚物，其具有50,000到400,000的Mn并且包括10wt％到100wt％的苯乙烯聚合单元和0wt％到90wt％的非苯乙烯嵌段；其中所述非苯乙烯嵌段的范克雷维伦溶解度参数是15.0(J/cm3)1/2到17.5(J/cm3)1/2。
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公开(公告)号：CN108884384A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780018827.7
申请日：2017-03-31
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC分类号： C09K11/02 , C08F220/20 , C08F2222/102 , C09D4/06 , C09D133/066 , C09K11/7798 , C09K11/883 , C09K11/885 , C09K11/89
摘要： 一种包括量子点的聚合物复合材料。所述聚合物复合材料包括：(a)量子点；(b)第一聚合物，其具有1000到100,000的分子量和12(J/cm3)1/2到17(J/cm3)1/2的溶解度参数；(c)第二聚合物，其包括包含至少一个易于聚合的乙烯基并且具有72到500的分子量的第一化合物的聚合单元，其中所述第二聚合物具有16.5(J/cm3)1/2到20(J/cm3)1/2的溶解度参数；以及(d)第三聚合物，其包括包含至少两个易于聚合的乙烯基并且具有72到2000的分子量的第二化合物的聚合单元；其中所述第一聚合物包封所述量子点；其中易于聚合的乙烯基是(甲基)丙烯酸酯基的部分或直接连接到芳香环上。
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公开(公告)号：CN105388709A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510536341.5
申请日：2015-08-27
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 本发明提供多图案形成方法。所述方法包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上方形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下各者的组合物形成：包含酸不稳定基团的基质聚合物；光酸产生剂；和溶剂；(c)逐图案曝光所述光致抗蚀剂层以活化辐射；(d)烘烤所述曝光的光致抗蚀剂层；(e)使所述烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀图案；(f)用包含用于将所述第一抗蚀图案的侧壁区的可溶性从可溶转变为不溶的手段的涂料组合物处理所述第一抗蚀图案，所述可溶性为就不同于所述第一显影剂的第二显影剂来说的；和(g)使所述处理的第一抗蚀图案与所述第二显影剂接触以去除一部分所述第一抗蚀图案，留下所述可溶性转变的侧壁区以形成多图案。所述方法尤其适用于半导体制造工业以形成精细光刻图案。
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公开(公告)号：CN109104868A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201780019028.1
申请日：2017-04-03
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C09K11/02 , C08F220/18
摘要： 一种用于封装量子点的方法。所述方法包含以下步骤：(a)混合量子点与聚合物和溶剂以形成混合物，所述聚合物的分子量为1,000至200,000并且溶解度参数为14至18.75(J/cm3)1/2；和(b)喷雾干燥所述混合物以产生封装的量子点粉末。
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公开(公告)号：CN108884384B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201780018827.7
申请日：2017-03-31
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要： 一种包括量子点的聚合物复合材料。所述聚合物复合材料包括：(a)量子点；(b)第一聚合物，其具有1000到100,000的分子量和12(J/cm3)1/2到17(J/cm3)1/2的溶解度参数；(c)第二聚合物，其包括包含至少一个易于聚合的乙烯基并且具有72到500的分子量的第一化合物的聚合单元，其中所述第二聚合物具有16.5(J/cm3)1/2到20(J/cm3)1/2的溶解度参数；以及(d)第三聚合物，其包括包含至少两个易于聚合的乙烯基并且具有72到2000的分子量的第二化合物的聚合单元；其中所述第一聚合物包封所述量子点；其中易于聚合的乙烯基是(甲基)丙烯酸酯基的部分或直接连接到芳香环上。
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公开(公告)号：CN108699196B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201780011708.9
申请日：2017-02-20
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C08F222/10 , C09D133/12
摘要： 一种聚合物复合材料，其包含量子点；所述聚合物复合材料包含：(a)量子点；(b)具有至少一个易于聚合的乙烯基、300至20,000的分子量和至少一条至少五个碳原子的连续无环烃基链的第一化合物的聚合单元；和(c)具有至少一个易于聚合的乙烯基并且分子量为100至750的第二化合物的聚合单元；其中易于聚合的乙烯基是(甲基)丙烯酸酯基的一部分或直接连接到芳香族环上，并且所述第一化合物的所述分子量减去所述第二化合物的所述分子量为至少100。
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公开(公告)号：CN109072068A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027460.5
申请日：2017-05-12
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C09K11/02 , C08F287/00 , C08F292/00 , B82Y40/00 , B82Y20/00
摘要： 一种聚合物树脂，其包括：(a)量子点，(b)式(I)的化合物 其中R1是氢或甲基，并且R2是C6-C20脂肪族多环取代基，以及(c)嵌段或接枝共聚物，其具有50,000到400,000的Mn并且包括10wt％到100wt％的苯乙烯聚合单元和0wt％到90wt％的非苯乙烯嵌段；其中所述非苯乙烯嵌段的范克雷维伦溶解度参数是15.0(J/cm3)1/2到17.5(J/cm3)1/2。
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公开(公告)号：CN108699196A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011708.9
申请日：2017-02-20
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C08F222/10 , C09D133/12
摘要： 一种聚合物复合材料，其包含量子点；所述聚合物复合材料包含：(a)量子点；(b)具有至少一个易于聚合的乙烯基、300至20,000的分子量和至少一条至少五个碳原子的连续无环烃基链的第一化合物的聚合单元；和(c)具有至少一个易于聚合的乙烯基并且分子量为100至750的第二化合物的聚合单元；其中易于聚合的乙烯基是(甲基)丙烯酸酯基的一部分或直接连接到芳香族环上，并且所述第一化合物的所述分子量减去所述第二化合物的所述分子量为至少100。
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公开(公告)号：CN105589299A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510742670.5
申请日：2015-11-05
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： G03F7/16
CPC分类号： H01L21/0273 , H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , G03F7/16
摘要： 在优选方面，提供用于形成浮雕图像的方法，其包括：a)提供包含在待图案化的层上的经图案化掩模的半导体衬底；b)在所述掩模上涂覆第一组合物的层，其中所述组合物包括聚合物且将所述层涂布于所述掩模的侧壁上；c)按邻近所述掩模的所述经涂布侧壁的量在所述半导体衬底上涂覆第二组合物的层；和d)从所述掩模的所述侧壁去除所述第一组合物，由此暴露待图案化的所述层且在所述掩模侧壁与所述第二组合物层之间形成间隙以提供浮雕图像。所述方法在半导体装置制造中发现有特定适用性。
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