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公开(公告)号：CN105388709B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510536341.5
申请日：2015-08-27
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 本发明提供多图案形成方法。所述方法包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上方形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下各者的组合物形成：包含酸不稳定基团的基质聚合物；光酸产生剂；和溶剂；(c)逐图案曝光所述光致抗蚀剂层以活化辐射；(d)烘烤所述曝光的光致抗蚀剂层；(e)使所述烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀图案；(f)用包含用于将所述第一抗蚀图案的侧壁区的可溶性从可溶转变为不溶的手段的涂料组合物处理所述第一抗蚀图案，所述可溶性为就不同于所述第一显影剂的第二显影剂来说的；和(g)使所述处理的第一抗蚀图案与所述第二显影剂接触以去除一部分所述第一抗蚀图案，留下所述可溶性转变的侧壁区以形成多图案。所述方法尤其适用于半导体制造工业以形成精细光刻图案。
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公开(公告)号：CN105388709A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510536341.5
申请日：2015-08-27
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 本发明提供多图案形成方法。所述方法包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上方形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下各者的组合物形成：包含酸不稳定基团的基质聚合物；光酸产生剂；和溶剂；(c)逐图案曝光所述光致抗蚀剂层以活化辐射；(d)烘烤所述曝光的光致抗蚀剂层；(e)使所述烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀图案；(f)用包含用于将所述第一抗蚀图案的侧壁区的可溶性从可溶转变为不溶的手段的涂料组合物处理所述第一抗蚀图案，所述可溶性为就不同于所述第一显影剂的第二显影剂来说的；和(g)使所述处理的第一抗蚀图案与所述第二显影剂接触以去除一部分所述第一抗蚀图案，留下所述可溶性转变的侧壁区以形成多图案。所述方法尤其适用于半导体制造工业以形成精细光刻图案。
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公开(公告)号：CN105573058B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201510726358.7
申请日：2015-10-30
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要： 本发明提供光致抗蚀剂外涂层组合物。所述组合物包含：基质聚合物、添加剂聚合物、碱性淬灭剂以及有机溶剂。所述添加剂聚合物的表面能低于所述基质聚合物的表面能，并且所述添加剂聚合物以按所述外涂层组合物的总固体计，1wt％到20wt％的量存在于所述外涂层组合物中。所述组合物在半导体制造业中对于用于负型显影方法具有特定适用性。
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公开(公告)号：CN105573058A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510726358.7
申请日：2015-10-30
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要： 本发明提供光致抗蚀剂外涂层组合物。所述组合物包含：基质聚合物、添加剂聚合物、碱性淬灭剂以及有机溶剂。所述添加剂聚合物的表面能低于所述基质聚合物的表面能，并且所述添加剂聚合物以按所述外涂层组合物的总固体计，1wt％到20wt％的量存在于所述外涂层组合物中。所述组合物在半导体制造业中对于用于负型显影方法具有特定适用性。
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公开(公告)号：CN113946097A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110781813.9
申请日：2021-07-09
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 一种光致抗蚀剂组合物，其包含：第一聚合物，所述第一聚合物含有包含羟基‑芳基的第一重复单元和包含酸不稳定基团的第二重复单元；第二聚合物，所述第二聚合物含有包含酸不稳定基团的第一重复单元、包含内酯基团的第二重复单元、和包含碱可溶解的基团的第三重复单元，其中，所述碱可溶解的基团具有小于或等于12的pKa，并且其中所述碱可溶解的基团不包含羟基取代的芳基；光酸产生剂；和溶剂；其中所述第一聚合物和所述第二聚合物彼此不同。
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公开(公告)号：CN105573063B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510711426.2
申请日：2015-10-28
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要： 形成电子装置的方法，其包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下的组合物形成：包含具有酸不稳定基团的单元的基质聚合物；光酸产生剂；以及有机溶剂；(c)在所述光致抗蚀剂层上涂布光致抗蚀剂外涂层组合物，其中所述外涂层组合物包含：基质聚合物；添加剂聚合物；碱性淬灭剂；以及有机溶剂；其中所述添加剂聚合物的表面能低于所述基质聚合物的表面能，且其中所述添加剂聚合物以按所述外涂层组合物的总固体计1到20重量％的量存在于所述外涂层组合物中；(d)使所述光致抗蚀剂层曝光于活化辐射；(e)在曝光后烘烤加工中加热所述衬底；以及(f)使用有机溶剂显影剂使所述经曝光膜显影。所述方法在半导体制造业具有特殊适用性。
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公开(公告)号：CN105573063A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510711426.2
申请日：2015-10-28
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要： 形成电子装置的方法，其包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下的组合物形成：包含具有酸不稳定基团的单元的基质聚合物；光酸产生剂；以及有机溶剂；(c)在所述光致抗蚀剂层上涂布光致抗蚀剂外涂层组合物，其中所述外涂层组合物包含：基质聚合物；添加剂聚合物；碱性淬灭剂；以及有机溶剂；其中所述添加剂聚合物的表面能低于所述基质聚合物的表面能，且其中所述添加剂聚合物以按所述外涂层组合物的总固体计1到20重量％的量存在于所述外涂层组合物中；(d)使所述光致抗蚀剂层曝光于活化辐射；(e)在曝光后烘烤加工中加热所述衬底；以及(f)使用有机溶剂显影剂使所述经曝光膜显影。所述方法在半导体制造业具有特殊适用性。
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