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公开(公告)号：CN105388709B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510536341.5
申请日：2015-08-27
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 本发明提供多图案形成方法。所述方法包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上方形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下各者的组合物形成：包含酸不稳定基团的基质聚合物；光酸产生剂；和溶剂；(c)逐图案曝光所述光致抗蚀剂层以活化辐射；(d)烘烤所述曝光的光致抗蚀剂层；(e)使所述烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀图案；(f)用包含用于将所述第一抗蚀图案的侧壁区的可溶性从可溶转变为不溶的手段的涂料组合物处理所述第一抗蚀图案，所述可溶性为就不同于所述第一显影剂的第二显影剂来说的；和(g)使所述处理的第一抗蚀图案与所述第二显影剂接触以去除一部分所述第一抗蚀图案，留下所述可溶性转变的侧壁区以形成多图案。所述方法尤其适用于半导体制造工业以形成精细光刻图案。
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公开(公告)号：CN105388709A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510536341.5
申请日：2015-08-27
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 本发明提供多图案形成方法。所述方法包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上方形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下各者的组合物形成：包含酸不稳定基团的基质聚合物；光酸产生剂；和溶剂；(c)逐图案曝光所述光致抗蚀剂层以活化辐射；(d)烘烤所述曝光的光致抗蚀剂层；(e)使所述烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀图案；(f)用包含用于将所述第一抗蚀图案的侧壁区的可溶性从可溶转变为不溶的手段的涂料组合物处理所述第一抗蚀图案，所述可溶性为就不同于所述第一显影剂的第二显影剂来说的；和(g)使所述处理的第一抗蚀图案与所述第二显影剂接触以去除一部分所述第一抗蚀图案，留下所述可溶性转变的侧壁区以形成多图案。所述方法尤其适用于半导体制造工业以形成精细光刻图案。
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公开(公告)号：CN105319839A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510387194.X
申请日：2015-07-03
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/0276 , H01L21/31058
摘要： 本发明提供填隙方法。所述方法包括：(a)提供半导体衬底，在所述衬底的表面上具有凸纹图像，所述凸纹图像包括多个有待填充的间隙，其中所述间隙的宽度是50nm或低于50nm；(b)在所述凸纹图像上施加填隙组合物，其中所述填隙组合物包含：含可交联基团的第一聚合物、含发色团的第二聚合物，其中所述第一聚合物与所述第二聚合物不同；交联剂；酸催化剂；及溶剂，其中所述填隙组合物是安置于所述间隙中；(c)在一定温度下加热所述填隙组合物以使所述第一聚合物自交联和/或与所述第二聚合物交联以形成交联聚合物；(d)在包含所述交联聚合物填充的间隙的所述衬底上形成光致抗蚀剂层；(e)将所述光致抗蚀剂层逐图案曝露于活化辐射；以及(f)使所述光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案。所述方法特别适用于在半导体装置的制造中用抗反射涂层材料填充高纵横比间隙。
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公开(公告)号：CN113126439A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011498811.0
申请日：2020-12-17
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
摘要： 图案形成方法包括：(a)在基底上形成底层，其中所述底层的厚度为5微米或更大；(b)在所述底层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包含含硅聚合物、光酸产生剂和溶剂，其中所述含硅聚合物包含作为聚合单元的式(I)的单体：其中：R1独立地选自H、F、OH、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C6羟基‑卤代烷基、C1‑C6烷氧基、或C1‑C6卤代烷氧基；R2独立地选自H或F；R3独立地选自H、F、CH3、CF3、CHF2、或CH2F；R4包括酸可裂解基团；并且m是0至2的整数；(c)将所述光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活化辐射；(d)使暴露的光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案；以及(f)使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模将所述光致抗蚀剂图案的图案转印到所述底层中。本发明特别适用于形成在半导体器件的形成中使用的三维图案如阶梯图案。
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公开(公告)号：CN105319839B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201510387194.X
申请日：2015-07-03
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 本发明提供填隙方法。所述方法包括：(a)提供半导体衬底，在所述衬底的表面上具有凸纹图像，所述凸纹图像包括多个有待填充的间隙，其中所述间隙的宽度是50nm或低于50nm；(b)在所述凸纹图像上施加填隙组合物，其中所述填隙组合物包含：含可交联基团的第一聚合物、含发色团的第二聚合物，其中所述第一聚合物与所述第二聚合物不同；交联剂；酸催化剂；及溶剂，其中所述填隙组合物是安置于所述间隙中；(c)在一定温度下加热所述填隙组合物以使所述第一聚合物自交联和/或与所述第二聚合物交联以形成交联聚合物；(d)在包含所述交联聚合物填充的间隙的所述衬底上形成光致抗蚀剂层；(e)将所述光致抗蚀剂层逐图案曝露于活化辐射；以及(f)使所述光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案。所述方法特别适用于在半导体装置的制造中用抗反射涂层材料填充高纵横比间隙。
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公开(公告)号：CN105732972A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993664.7
申请日：2015-12-25
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
摘要： 一种孔隙填充组合物。本发明涉及一种组合物，其包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含：以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X1和X2独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或任选地被取代的C1-20二价烃基，其中R1和R2独立地表示H或C1-20烃基；m是0或1；n是0或1；并且o是0或1；和不含可聚合乙烯基和羟基的封端基团。所述组合物在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于形成低k和超低k介电材料。
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公开(公告)号：CN105742234A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993546.6
申请日：2015-12-25
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02359 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/76826 , H01L21/76837
摘要： 形成电子装置的方法包含：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征；(b)在所述多孔特征上施用组合物，其中所述组合物包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X1和X2独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或任选地被取代的C1-20二价烃基，其中R1和R2独立地表示H或C1-20烃基；m是0或1；n是0或1；并且o是0或1；以及(c)加热所述组合物；其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于形成低k和超低k介电材料。
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公开(公告)号：CN105742234B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510993546.6
申请日：2015-12-25
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02359 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/76826
摘要： 形成电子装置的方法包含:(a)提供半导体衬底,所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征;(b)在所述多孔特征上施用组合物,其中所述组合物包含聚合物和溶剂,其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元:其中:Ar、Ar、Ar和Ar独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团;X和X独立地表示单键、‑O‑、‑C(O)‑、‑C(O)O‑、‑OC(O)‑、‑C(O)NR‑、‑NRC(O)‑、‑S‑、‑S(O)‑、‑SO‑或任选地被取代的C二价烃基,其中R和R独立地表示H或C烃基;m是0或1;n是0或1;并且o是0或1;以及(c)加热所述组合物;其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体装置制造中发现特定可应用性,用于形成低k和超低k介电材料。
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公开(公告)号：CN106187964A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610380432.9
申请日：2016-06-01
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C07D307/93 , C07D493/18 , C07C309/17 , C07C303/32 , C07C321/28 , C07C319/20 , G03F7/004
CPC分类号： C07C309/17 , C07C309/01 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C07D307/00 , C07D493/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , H01L21/0274 , C07D307/93 , C07C321/28 , G03F7/004
摘要： 本发明提供尤其适用作光致抗蚀剂组合物组分的酸产生剂化合物。在一个优选方面中，提供包含一种或多种亲水性部分的酸产生剂。
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公开(公告)号：CN106154748A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610300874.8
申请日：2016-05-09
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC分类号： C09D133/02 , C09D4/00 , C09D133/06 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041 , C08L33/06 , G03F7/004 , G03F7/00
摘要： 光致抗蚀剂面漆组合物，其包含：包含通式(I)的第一重复单元和通式(II)的第二重复单元的第一聚合物：其中：R1独立地表示H、F或任选氟化的C1到C4烷基；R2表示任选氟化的直链、分支链或环状C1到C20烷基；L1表示单键或多价键联基团；并且n为1到5的整数；包含通式(III)的第一重复单元和通式(IV)的第二重复单元的第二聚合物：其中：R3独立地表示H、F或任选氟化的C1到C4烷基；R4表示直链、分支链或环状C1到C20烷基；R5表示直链、分支链或环状C1到C20氟烷基；L2表示单键或多价键联基团；并且n为1到5的整数；以及溶剂。还提供涂布有所述面漆组合物的经涂布衬底和加工光致抗蚀剂组合物的方法。本发明尤其适用于制造半导体装置。
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