氮化硅晶须增强石英坩埚及其制备方法

    公开(公告)号:CN117071054A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202310980054.8

    申请日:2023-08-04

    IPC分类号: C30B15/10 C30B29/38

    摘要: 本申请涉及一种石英坩埚,其包括:包括石英砂和β‑氮化硅晶须的内层;以及包括石英砂的外层。还涉及一种制备石英坩埚的方法,包括:在坩埚模具的内层加入普通石英砂以用于形成石英坩埚的外层;进一步向坩埚模具中加入混合好的β‑氮化硅晶须与高纯石英砂以用于形成石英坩埚的内层;对坩埚模具进行烧结形成所述外层和内层;对烧结得到坩埚进行脱模得到石英坩埚。

    一种单晶硅棒拉制方法和单晶硅棒拉制装置

    公开(公告)号:CN116103757A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202310220181.8

    申请日:2023-03-08

    发明人: 韩伟 赵炜

    IPC分类号: C30B29/06 C30B15/20

    摘要: 本申请实施例提供了一种单晶硅棒拉制方法和单晶硅棒拉制装置。所述单晶硅棒拉制方法包括:在等径阶段,通过主炉体上方的副炉体向所述主炉体内通入第一气体,以及,向所述主炉体内直接通入第二气体,其中,所述第一气体为惰性气体,所述第二气体用于吸收第一预设波段的辐射热。本申请实施例可以快速带走所述单晶硅棒辐射热量,提高所述单晶硅棒的冷却速度及晶棒生长速度。这样,就可以提高所述单晶硅棒的拉制速度并降低生产成本。

    晶体直径的控制方法、装置以及设备,晶体拉晶生长系统

    公开(公告)号:CN118516749A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202311801024.2

    申请日:2023-12-25

    IPC分类号: C30B15/20 C30B27/02 C30B29/06

    摘要: 本发明公开一种晶体直径的控制方法、装置以及设备、晶体拉晶生长系统,涉及晶体拉制技术领域,以提供一种减小晶体的提拉速度的波动范围,同时提高晶体质量的技术方案,包括以下步骤:基于所述晶体的当前直径以及所述晶体的目标直径,确定所述晶体的直径一致性差异;基于所述晶体的直径一致性差异,通过控制所述晶体的生长环境参数,对所述晶体的当前直径进行调整,以使所述晶体的当前直径满足所述晶体的目标直径。

    吸料装置及单晶炉吸料设备

    公开(公告)号:CN219752488U

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202321373275.0

    申请日:2023-05-31

    IPC分类号: C30B15/00 C30B15/10

    摘要: 本申请公开了一种吸料装置及单晶炉吸料设备,属于硅料加工技术领域。包括:储料件、吸管组件以及隔板;储料件具有底盖,所述底盖上设置有安装孔,所述储料件具有容纳腔,安装孔与容纳腔连通,安装孔中设置有吸管组件,吸管组件具有相对的第一端以及第二端,第一端位于容纳腔中,第二端位于容纳腔外,第一端与第二端连通,且第一端与容纳腔贯通,且第一端与容纳腔连通;隔板上设置有通孔,且通孔沿隔板的厚度方向贯穿隔板,隔板位于容纳腔中,吸管组件穿设于通孔,且吸管组件与通孔的孔壁固定且密封连接,隔板的侧壁与容纳腔的腔壁固定且密封连接,隔板与底盖之间具有间隙。在本申请实施例中,可以使得储料件以及吸管组件的使用寿命延长。

    单晶炉用的保温筒及单晶炉

    公开(公告)号:CN220550262U

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202321785768.5

    申请日:2023-07-07

    IPC分类号: C30B15/14

    摘要: 本申请公开了一种单晶炉用的保温筒及单晶炉,属于单晶炉领域。该单晶炉用的保温筒包括:外筒体、内筒体、上盖板以及下盖板;外筒体套设于内筒体的外部,且外筒体的内壁以及内筒体的外壁之间具有间隙,上盖板同时连接于外筒体的第一端以及内筒体的第一端,且上盖板封堵外筒体的第一端与内筒体的第一端之间的间隙,下盖板同时连接于外筒体的第二端以及内筒体的第二端,且下盖板封堵外筒体的第二端与内筒体的第二端之间的间隙,上盖板、下盖板、外筒体的内壁以及内筒体的外壁围合形成密闭空间。