公开(公告)号：CN101238521A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680017817.3

申请日：2006-05-09

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 马克·A.·杜尔莱姆 ,  郑勇 ,  罗伯特·W·拜尔德 ,  布拉德利·N·恩格

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/16 ,  H01F17/0006 ,  H01F19/04 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种集成电路器件(300)，包括磁性随机存取存储器(“MRAM”)结构(310)和至少一个电感元件(312，314)，它们利用相同的制作工艺技术形成在相同的基板上。该电感元件可以是电感器或变压器，它形成在与MRAM结构的编程线相同的金属层上。除编程线层之外的任何可用金属层可以添加到电感元件中，以提高效率。MRAM结构(310)和电感元件(312，314)的同时制作有利于有效且低成本地利用基板的有效电路块上的可用物理空间，从而获得三维集成。