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公开(公告)号：CN1973362A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580020377.2
申请日：2005-05-19
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/46
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/78 , Y10S438/977
摘要： 根据具体实施方式，公开了一种处理半导体衬底的方法，从而减薄衬底，并且通过普通的工艺将衬底上形成的小片分成单个。在衬底的背侧上形成沟槽区(42、43)。对背侧的各向异性蚀刻导致了衬底减薄同时保持沟槽深度，从而便于将管芯分成单个。
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公开(公告)号：CN100492595C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200580020377.2
申请日：2005-05-19
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/46
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/78 , Y10S438/977
摘要： 根据具体实施方式，公开了一种处理半导体衬底的方法，从而减薄衬底，并且通过普通的工艺将衬底上形成的小片分成单个。在衬底的背侧上形成沟槽区(42、43)。对背侧的各向异性蚀刻导致了衬底减薄同时保持沟槽深度，从而便于将管芯分成单个。
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公开(公告)号：CN101238521A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680017817.3
申请日：2006-05-09
申请人： 飞思卡尔半导体公司
发明人： 马克·A.·杜尔莱姆 , 郑勇 , 罗伯特·W·拜尔德 , 布拉德利·N·恩格
IPC分类号： G11C11/14
CPC分类号： H01L27/222 , G11C11/16 , H01F17/0006 , H01F19/04 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种集成电路器件(300)，包括磁性随机存取存储器(“MRAM”)结构(310)和至少一个电感元件(312，314)，它们利用相同的制作工艺技术形成在相同的基板上。该电感元件可以是电感器或变压器，它形成在与MRAM结构的编程线相同的金属层上。除编程线层之外的任何可用金属层可以添加到电感元件中，以提高效率。MRAM结构(310)和电感元件(312，314)的同时制作有利于有效且低成本地利用基板的有效电路块上的可用物理空间，从而获得三维集成。
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公开(公告)号：CN101233421A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200680027876.9
申请日：2006-06-28
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： G01R33/02
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11C11/16 , H01F41/307
摘要： 提供用于感测物理参数的方法和装置。装置(30)包括磁性隧道结(MTJ)(32)以及其磁场(35)覆盖MTJ并且其与MTJ的接近度响应到传感器的输入而变化的磁场源(34)。MTJ包括由配置成允许其间显著隧穿传导的电介质(37)相隔的第一和第二磁性电极(36，38)。第一磁性电极具有被钉扎的自旋轴并且第二磁性电极具有自由的自旋轴。定位磁场源距离第二磁性电极比距离第一磁性电极更近。总体传感器动态范围通过提供接收相同输入但是具有不同的各自响应曲线并且期望地但不是必需地形成于相同衬底上的多个电连接传感器而扩展。
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