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公开(公告)号：CN105789236A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610132992.2
申请日：2011-09-05
申请人： 首尔半导体株式会社
CPC分类号： H01L33/382 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2924/00 , H01L33/38 , H01L33/486
摘要： 本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
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公开(公告)号：CN103119735A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180046150.0
申请日：2011-09-05
申请人： 首尔半导体株式会社
CPC分类号： H01L33/382 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2924/00
摘要： 本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
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公开(公告)号：CN105789235A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610132965.5
申请日：2011-09-05
申请人： 首尔半导体株式会社
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/382 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2924/00
摘要： 本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
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公开(公告)号：CN101752399A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910224858.5
申请日：2009-11-27
申请人： 首尔半导体株式会社
IPC分类号： H01L27/15 , H01L21/782 , H01L33/44
CPC分类号： H01L27/153 , H01L24/24 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L2224/24137 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种发光二极管。所述发光二极管包括：彼此分开的多个发光单元；第一介电层，覆盖发光单元；导线，形成在第一介电层上，并将相邻的发光单元彼此电连接；第二介电层，覆盖第一介电层和导线。第一介电层和第二介电层由相同材料形成，并且第一介电层比第二介电层厚。通过该构造，改善了第一介电层和第二介电层之间的结合特性，从而防止湿气进入发光二极管。本发明还公开了该发光二极管的制造方法。
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公开(公告)号：CN105789235B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201610132965.5
申请日：2011-09-05
申请人： 首尔半导体株式会社
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/50 , H01L33/62
摘要： 本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
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公开(公告)号：CN105575990B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610131393.9
申请日：2011-09-05
申请人： 首尔半导体株式会社
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L25/075
摘要： 本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
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公开(公告)号：CN105679751A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610133009.9
申请日：2011-09-05
申请人： 首尔半导体株式会社
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/62
摘要： 本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
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公开(公告)号：CN105789234A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610131814.8
申请日：2011-09-05
申请人： 首尔半导体株式会社
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/50 , H01L33/62
摘要： 本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
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公开(公告)号：CN103119735B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180046150.0
申请日：2011-09-05
申请人： 首尔半导体株式会社
CPC分类号： H01L33/382 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2924/00
摘要： 本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
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公开(公告)号：CN101752399B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200910224858.5
申请日：2009-11-27
申请人： 首尔半导体株式会社
IPC分类号： H01L27/15 , H01L21/782 , H01L33/44
CPC分类号： H01L27/153 , H01L24/24 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L2224/24137 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种发光二极管。所述发光二极管包括：彼此分开的多个发光单元；第一介电层，覆盖发光单元；导线，形成在第一介电层上，并将相邻的发光单元彼此电连接；第二介电层，覆盖第一介电层和导线。第一介电层和第二介电层由相同材料形成，并且第一介电层比第二介电层厚。通过该构造，改善了第一介电层和第二介电层之间的结合特性，从而防止湿气进入发光二极管。
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