公开(公告)号：CN1864253A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029224.X

申请日：2004-10-06

申请人： 马萨诸塞州技术研究院

发明人： 芒吉·G·鲍温迪 ,  弗拉迪米尔·布洛维克 ,  塞思·A·科

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/80

CPC分类号： G11C13/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C16/0466 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/18 ,  G11C2213/53 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

摘要： 一种存储装置，可以包括具有可选择横向电导的有源层。所述层可以包括多个纳米颗粒。