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公开(公告)号:CN104036822B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410064481.2
申请日:2014-02-25
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: G11C13/00
CPC分类号: G11C7/00 , G11C11/24 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0052 , G11C2013/0054 , G11C2013/0071 , G11C2213/18 , G11C2213/35 , G11C2213/73
摘要: 本发明涉及一种基于基元电容的存储基元和用于操作存储基元的方法。一种存储基元和用于操作存储基元的方法包括:在电气上串联耦合的双向存取器件和存储元件。所述双向存取器件包括隧穿电容。所述存储元件可通过施加极性彼此相反的第一和第二写入电压而编程为第一和第二状态。所述存储元件在所述第一状态的电容低于在所述第二状态的电容。读取单元读出由于施加读取电压时的压降所导致的瞬时读取电流。基于所述读取电流是大于还是小于读出阈值,判定所述存储元件是所述第一还是第二状态。所述读出阈值基于所述第一和第二状态之间的电容比率。
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公开(公告)号:CN1484865A
公开(公告)日:2004-03-24
申请号:CN01821708.7
申请日:2001-12-21
申请人: 国际商业机器公司
CPC分类号: H01L51/0545 , B82Y10/00 , G11C2213/17 , G11C2213/18 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , Y10S977/742 , Y10S977/845 , Y10S977/847 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10S977/896 , Y10S977/938
摘要: 一种方法被提供来形成一器件。该方法提供一绝缘衬底,其包含一源极电极,一漏极电极,及一栅极电极。该方法提供包含金属之碳纳米管束及半导电组分纳米管与该衬底接触。该方法施加一电压至该栅极电极,以耗尽该半导电组分纳米管之载流子,施加一电流经由该纳米管,由一源极电极至一漏极电极,及破裂至少一个金属组分纳米管,以形成一场效应晶体管。该碳纳米管束可以为一多层壁纳米管或一单层壁纳米管索。
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公开(公告)号:CN102939632B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201180027954.6
申请日:2011-05-06
申请人: 美光科技公司
发明人: 刘增涛
IPC分类号: G11C7/18 , G11C8/14 , G11C5/02 , H01L21/8239
CPC分类号: G01R33/58 , G01R33/1284 , G01R33/24 , G11C5/025 , G11C5/063 , G11C7/1087 , G11C7/1093 , G11C8/14 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/003 , G11C2213/18 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/144
摘要: 一些实施例包含存储器阵列。所述存储器阵列可具有沿第一水平方向延伸的全局位线、从所述全局位线垂直延伸的垂直局部位线及沿垂直于所述第一水平方向的第二水平方向延伸的字线。所述全局位线可被细分成第一高程水平处的第一系列及不同于所述第一高程水平的第二高程水平处的第二系列。所述第一系列的所述全局位线可与所述第二系列的所述全局位线交替。可存在直接在所述字线与所述垂直局部位线之间的存储器胞材料。所述存储器胞材料可形成通过字线/全局位线组合唯一寻址的多个存储器胞。一些实施例包含具有约2F2的面积的交叉点存储器胞单元。
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公开(公告)号:CN104253140B
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201410301245.8
申请日:2014-06-27
申请人: 国际商业机器公司
发明人: A·塞巴斯蒂安 , D·克雷布斯 , E·S·伊莱夫舍利欧
CPC分类号: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2213/18 , G11C2213/35 , G11C2213/52 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/16
摘要: 提供了电阻型随机存取存储器单元(10、20、80、90、110)来以多个可编程单元状态存储信息。电绝缘基质(11、21、81、91、111)位于第一电极和第二电极(12、13、92、112、113)之间,以使得在向电极施加写电压时,可以在基质内形成在电极之间的方向上延伸的电传导路径(14、24、82、114)。可编程单元状态与基质中的传导路径的各配置相对应。电传导组件(15、22、83、94、117、118)在电极之间的方向上延伸并接触绝缘基质。布置为如下:在任何单元状态中,所述组件针对由读电压产生的单元电流而呈现的电阻至少约为所述传导路径的电阻,并且至多约为所述绝缘基质的电阻,所述读电压被施加于电极以读取编程后单元状态。
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公开(公告)号:CN104303301B
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201380023984.9
申请日:2013-05-07
申请人: 美光科技公司
发明人: 古尔特杰·S·桑胡
IPC分类号: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号: H01L45/1253 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/17 , G11C2213/18 , G11C2213/52 , G11C2213/53 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16
摘要: 本发明描述切换装置结构及方法。切换装置可包含包括形成于第一电极与第二电极之间的材料的竖直堆叠。所述切换装置可进一步包含第三电极,所述第三电极耦合到所述竖直堆叠且经配置以接收施加到第三电极的电压以控制在所述第一电极与所述第二电极之间的所述材料中的导电路径的形成状态,其中所述导电路径的所述形成状态可在接通状态与关断状态之间切换。
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公开(公告)号:CN1864253A
公开(公告)日:2006-11-15
申请号:CN200480029224.X
申请日:2004-10-06
申请人: 马萨诸塞州技术研究院
发明人: 芒吉·G·鲍温迪 , 弗拉迪米尔·布洛维克 , 塞思·A·科
IPC分类号: H01L21/336 , H01L29/80
CPC分类号: G11C13/02 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C16/0466 , G11C2213/12 , G11C2213/18 , G11C2213/53 , G11C2216/06 , H01L21/28273 , H01L29/127 , H01L29/2203 , H01L29/42332 , H01L29/7881
摘要: 一种存储装置,可以包括具有可选择横向电导的有源层。所述层可以包括多个纳米颗粒。
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公开(公告)号:CN106663461B
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:CN201580035365.0
申请日:2015-07-02
申请人: 桑迪士克科技有限责任公司
发明人: M.A.德阿布雷乌
CPC分类号: G11C16/28 , G11C7/08 , G11C7/1027 , G11C7/14 , G11C8/12 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C16/08 , G11C16/26 , G11C2013/0054 , G11C2213/18 , G11C2213/71
摘要: 一种方法包括,在数据存储装置中接收读取命令以读取存储器的字线的一部分。该方法还包括决定字线的第一和最后储存元件以识别储存元件的组。该方法包括决定耦接到字线的多个感测放大器的第一组和第二组感测放大器。第一组感测放大器耦接到储存元件的组,并且第二组感测放大器耦接到字线的与第一储存元件的组不同的一个或多个储存元件。该方法包括通过施加读取电压到字线且提供感测使能信号到第一组感测放大器的每个感测放大器而禁用第二组感测放大器的每个感测放大器,读取数据。
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公开(公告)号:CN104253140A
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201410301245.8
申请日:2014-06-27
申请人: 国际商业机器公司
发明人: A·塞巴斯蒂安 , D·克雷布斯 , E·S·伊莱夫舍利欧
CPC分类号: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2213/18 , G11C2213/35 , G11C2213/52 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/16
摘要: 提供了电阻型随机存取存储器单元(10、20、80、90、110)来以多个可编程单元状态存储信息。电绝缘基质(11、21、81、91、111)位于第一电极和第二电极(12、13、92、112、113)之间,以使得在向电极施加写电压时,可以在基质内形成在电极之间的方向上延伸的电传导路径(14、24、82、114)。可编程单元状态与基质中的传导路径的各配置相对应。电传导组件(15、22、83、94、117、118)在电极之间的方向上延伸并接触绝缘基质。布置为如下:在任何单元状态中,所述组件针对由读电压产生的单元电流而呈现的电阻至少约为所述传导路径的电阻,并且至多约为所述绝缘基质的电阻,所述读电压被施加于电极以读取编程后单元状态。
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公开(公告)号:CN104036822A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201410064481.2
申请日:2014-02-25
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: G11C13/00
CPC分类号: G11C7/00 , G11C11/24 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0052 , G11C2013/0054 , G11C2013/0071 , G11C2213/18 , G11C2213/35 , G11C2213/73
摘要: 本发明涉及一种基于基元电容的存储基元和用于操作存储基元的方法。一种存储基元和用于操作存储基元的方法包括:在电气上串联耦合的双向存取器件和存储元件。所述双向存取器件包括隧穿电容。所述存储元件可通过施加极性彼此相反的第一和第二写入电压而编程为第一和第二状态。所述存储元件在所述第一状态的电容低于在所述第二状态的电容。读取单元读出由于施加读取电压时的压降所导致的瞬时读取电流。基于所述读取电流是大于还是小于读出阈值,判定所述存储元件是所述第一还是第二状态。所述读出阈值基于所述第一和第二状态之间的电容比率。
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公开(公告)号:CN101124638A
公开(公告)日:2008-02-13
申请号:CN200580046292.1
申请日:2005-12-06
申请人: 哈佛大学
CPC分类号: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C11/22 , G11C11/223 , G11C11/54 , G11C11/56 , G11C11/5657 , G11C13/003 , G11C13/025 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , G11C2213/18 , G11C2213/75 , G11C2213/77 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/78391
摘要: 本发明一般性涉及纳米技术和可以用于电路的亚微米电子器件,并且在某些情况下,涉及能够编码数据的纳米尺度线和其它纳米结构。本发明的一个方面提供一种具有电可极化的区域的纳米尺度线或其它纳米结构,例如,纳米尺度线可以包括核和电可极化壳。在某些情况下,电可极化区域在没有外电场情况下能够保持其极化状态。电可极化区域的全部或仅一部分可以被极化,以例如编码一个或多个数据位。在一组实施方案中,电可极化区域包括功能氧化物或铁电氧化物材料,例如,BaTiO3、钛锆酸铅等。在某些实施方案中,纳米尺度线(或其它纳米结构)还可以包括其它材料,例如,使纳米尺度线的电可极化区域与其它区域隔离的隔离区域。例如,在纳米尺度线内,一个或多个中间壳可以使所述核与电可极化壳隔离。
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