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公开(公告)号：CN107112415B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201580069847.8
申请日：2015-11-03
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 一种垂直磁性隧道结(MTJ)(600)的合成反铁磁(SAF)基准层(601)的材料堆叠可包括SAF耦合层(606)。该材料堆叠还可包括SAF耦合层上的非晶间隔体层(612)。该非晶间隔体层可包括钽和钴、或者钽和铁、或者钴和铁和钽的合金或多层。该非晶间隔体层还可包括SAF耦合层的经处理表面。
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公开(公告)号：CN105981105B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480075336.2
申请日：2014-12-18
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 描述了磁性隧道结(MTJ)和用于制造MTJ的方法。MTJ(200)包括固定层(114)和该固定层(114)上的阻挡层(116)。此种MTJ(200)还包括与阻挡层(116)对接的自由层(118)。自由层(118)具有与阻挡层(116)一致的晶体结构。该MTJ(200)进一步包括与自由层(118)对接的非晶包覆层(120)。
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公开(公告)号：CN106688117B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201580048208.3
申请日：2015-07-17
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 一种磁性隧道结(MTJ)器件(300)包括：钉扎层(314)、在该钉扎层上的隧道势垒层(310)、以及在该隧道势垒层上的自由层(308)。该MTJ器件还包括在该自由层上的垂直磁性各向异性(PMA)增强层(306)、在该PMA增强层上的覆顶层(302)、以及将该覆顶层、该PMA增强层和该自由层电短路的导电路径(304，305)。
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公开(公告)号：CN105830155B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201480069456.1
申请日：2014-11-19
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 一种磁性隧道结(MTJ)器件包括自由层。该MTJ还包括耦合至自由层的阻挡层。该MTJ还具有耦合至阻挡层的固定层。固定层包括第一合成反铁磁(SAF)多层，其具有第一垂直磁各向异性(PMA)和第一阻尼常数。固定层还包括第二SAF多层，其具有第二垂直磁各向异性(PMA)以及低于第一阻尼常数的第二阻尼常数。第一SAF多层比第二SAF多层更靠近阻挡层。固定层还包括第一和第二SAF多层之间的SAF耦合层。
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公开(公告)号：CN107251145A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680008939.X
申请日：2016-01-15
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C8/005 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/18 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 公开了与具有压控各向异性的自旋轨道转矩磁阻随机存取存储器相关的方法和装置。在一示例中，公开了通过压控磁各向异性(VCMA)和自旋轨道转矩(SOT)技术的组合编程的三端子磁性隧道结(MTJ)存储元件。还公开了一种配置成通过VCMA和SOT技术对三端子MTJ存储元件进行编程的存储器控制器。所公开的器件通过使用较少写能量相比于常规器件提高了效率，同时具有比常规器件更简单和更可伸缩的设计。所公开的器件还具有提高的热稳定性而无需增加所需的切换电流，因为各状态之间的临界切换电流基本上是相同的。
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公开(公告)号：CN107210360A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580074911.1
申请日：2015-12-22
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 一种半导体器件(100)包括第一磁性隧道结(MTJ)器件(122)、第二MTJ器件(123)和顶电极(110)。第一MTJ器件包括阻挡层(140)。第二MTJ器件包括该阻挡层(140)。顶电极(110)耦合到第一MTJ器件和第二MTJ器件。
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公开(公告)号：CN105190798A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480025355.4
申请日：2014-04-22
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01F21/06 , H01F21/08 , H01F27/255
CPC分类号： H01F29/14 , H01F21/06 , H01F21/08 , H01F27/255
摘要： 公开了能通过可变磁通密度组件来调谐的电感器。一特定设备包括电感器。该设备进一步包括可变磁通密度组件(VMFDC)，该VMFDC被定位成在电流被施加于电感器时影响电感器的磁场。
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公开(公告)号：CN103907156A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280046132.7
申请日：2012-09-22
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 垂直磁各向异性（PMA）型磁性随机存取存储器单元被构造成具有复合PMA层以提供带有可接受热障的磁性隧道结（MTJ，102）。PMA耦合层（110）被沉积在第一PMA层（108）和第二PMA层（112）之间以形成该复合PMA层。该复合PMA层可被纳入在PMA型MRAM单元或面内型MRAM单元中。
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公开(公告)号：CN115769590A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180041281.3
申请日：2021-05-24
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 一种图像传感器包括平面传感器阵列；透镜，其被配置成在该平面传感器阵列上形成光学图像，并由曲面上的焦点轨迹来表征；以及具有多个厚度等级的覆盖玻璃或不同大小的多个覆盖玻璃。该一个或多个覆盖玻璃被配置成使该焦点轨迹移位以实现大视场角，以使得在该平面传感器阵列与该焦点轨迹之间存在多个交叉点以实现大FOV，并由此在该平面传感器阵列上存在具有最佳聚焦的多个区带。
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公开(公告)号：CN105190798B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201480025355.4
申请日：2014-04-22
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01F21/06 , H01F21/08 , H01F27/255
CPC分类号： H01F29/14 , H01F21/06 , H01F21/08 , H01F27/255
摘要： 公开了能通过可变磁通密度组件来调谐的电感器。一特定设备包括电感器。该设备进一步包括可变磁通密度组件(VMFDC)，该VMFDC被定位成在电流被施加于电感器时影响电感器的磁场。
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