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公开(公告)号：CN113162378A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110346390.8
申请日：2021-03-31
申请人： 黄山学院 , 黄山芯微电子股份有限公司
IPC分类号： H02M1/088
摘要： 本发明公开了一种高效率智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路，该电路包括：输入接收电路、死区时间产生电路、调制发送电路、4个高侧高压隔离电容、4个低侧高压隔离电容、高侧接收及驱动H、低侧接收及驱动L、发送端欠压保护电路UVLO、发送端过温保护电路OTP、发送端过流保护电路OCP和发送端低压产生电路。本发明所提供的高效率智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路，首先，采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度保护电路，以避免高压开关器件脱离其安全工作区，提高可靠性；此外，自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN113162378B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110346390.8
申请日：2021-03-31
申请人： 黄山学院 , 黄山芯微电子股份有限公司
IPC分类号： H02M1/088
摘要： 本发明公开了一种智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路。该电路首先采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度保护电路，以避免高压开关器件脱离其安全工作区，提高可靠性；此外，自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN111490667B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010315906.8
申请日：2020-04-21
申请人： 黄山学院 , 黄山芯微电子股份有限公司
摘要： 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种用于电力电子系统中功率器件栅驱动所需要的高压半桥栅驱动电路，该电路包括输入接收电路、死区信号产生电路、低压产生电路、低侧信号延时电路、低侧高效率输出驱动电路、低延时高压电平移位电路和高侧高效率输出驱动电路。本发明所提供高压半桥栅驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，从而提高整体驱动电路速度；可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；可以广泛应用于各类高功率密度电力电子系统中，特别是频率要求更高的宽禁带功率器件的栅驱动应用。
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公开(公告)号：CN106953637B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201710136303.X
申请日：2017-03-09
申请人： 黄山学院
摘要： 本发明提供了一种电荷域幅度误差校准电路及采用该校准电路的DDS电路，所述电荷域幅度误差校准电路包括：电荷域幅度误差检测放大电路、K位电荷域模数转换器、控制电路、ROM模块、SRAM模块以及补偿电路。所述采用电荷域幅度误差校准电路的DDS电路包括：相位累加器、相位幅度转换器、N位电流模DAC、电荷域幅度误差校准电路、时钟产生电路和模式控制电路。所述电荷域幅度误差校准电路及采用该校准电路的DDS电路均可根据系统精度和硬件开销自动折衷选择校准精度和速度，并且具有低功耗特点。
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公开(公告)号：CN113054622A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110349720.9
申请日：2021-03-31
申请人： 黄山学院
摘要： 本发明公开了一种用于高压栅驱动芯片的高精度宽电压范围过温保护电路结构图，该电路包括依次连接的：钳位电路、温度检测电路、宽电压范围比较器电路和输出整形电路。本发明所提供的高精度宽电压范围过温保护电路，为克服共模噪声的严重影响，一方面采用宽电压范围比较器电路和温度检测电路自动检测电源电压和衬底电位产生的共模噪声，并在共模噪声超过一定阈值时自动关闭宽电压范围比较器电路的输出，使得比较输出信号的有效性不受共模噪声的影响。另一方面，输出整形电路进一步采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，从而产生稳定可靠的温度保护输出信号。本发明可以广泛应用于各类高压栅驱动芯片中。
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公开(公告)号：CN111464172A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010314887.7
申请日：2020-04-21
申请人： 黄山学院 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/0185
摘要： 本发明公开了一种适用于GaN器件的低延时高侧驱动电路，该电路包括低延时高压电平移位电路和输出驱动电路；低压输入数据首先进入低延时高压电平移位电路，得到低电位浮动的驱动数据Din进入输出驱动电路，经驱动放大得到具有较大驱动能力的输出信号HO；所述低延时高压电平移位电路，需要使用低压地VSS和浮动地SW两组地电位，所述输出驱动电路只需要使用浮动地SW。本发明所提供用于GaN器件的低延时高侧驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，并可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流最大程度上提高效率，可以广泛应用于各类栅驱动芯片中。
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公开(公告)号：CN110491933A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910790251.7
申请日：2019-08-26
申请人： 黄山学院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778
摘要： 本发明属于电力电子技术领域，具体为低寄生电感高可靠级联增强型GaN HEMT器件，包括：封装外壳、绝缘胶、导电焊料、高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板、第四导电基板、第一绑定线、第二绑定线和第三绑定线。本发明所提供的级联增强型GaN HEMT器件通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化；另外，增加了电压调整电路，保证高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态。
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