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公开(公告)号：CN111464172B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010314887.7
申请日：2020-04-21
申请人： 黄山学院 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/0185
摘要： 本发明公开了一种适用于GaN器件的低延时高侧驱动电路，该电路包括低延时高压电平移位电路和输出驱动电路；低压输入数据首先进入低延时高压电平移位电路，得到低电位浮动的驱动数据Din进入输出驱动电路，经驱动放大得到具有较大驱动能力的输出信号HO；所述低延时高压电平移位电路，需要使用低压地VSS和浮动地SW两组地电位，所述输出驱动电路只需要使用浮动地SW。本发明所提供用于GaN器件的低延时高侧驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，并可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流最大程度上提高效率，可以广泛应用于各类栅驱动芯片中。
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公开(公告)号：CN111464172A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010314887.7
申请日：2020-04-21
申请人： 黄山学院 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/0185
摘要： 本发明公开了一种适用于GaN器件的低延时高侧驱动电路，该电路包括低延时高压电平移位电路和输出驱动电路；低压输入数据首先进入低延时高压电平移位电路，得到低电位浮动的驱动数据Din进入输出驱动电路，经驱动放大得到具有较大驱动能力的输出信号HO；所述低延时高压电平移位电路，需要使用低压地VSS和浮动地SW两组地电位，所述输出驱动电路只需要使用浮动地SW。本发明所提供用于GaN器件的低延时高侧驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，并可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流最大程度上提高效率，可以广泛应用于各类栅驱动芯片中。
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公开(公告)号：CN116075206A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310218090.0
申请日：2023-03-08
申请人： 黄山学院
IPC分类号： H10N30/853 , H10N30/093 , H10N30/045
摘要： 本发明涉及一种压电陶瓷凝胶、压电陶瓷‑聚合物复合压电装置及其制备方法，属于压电陶瓷技术领域。解决了现有技术中铋层状结构压电陶瓷由于受本身结构特点的影响，压电性能无法得到进一步提升的问题。本发明的复合压电装置，包括从内至外依次包覆的内电极、压电陶瓷薄膜、聚合物柔性介电层和外电极，以及一端与内电极固定连接的第一导线和一端与外电极固定连接的第二导线，压电陶瓷薄膜的材料的化学式为：(1‑x)Bi4Ti3‑y(Al0.5Nb0.5)yO12‑xBa0.8Ca0.2TiO3，式中，0.1≤x≤0.5，0.1≤y≤0.35。该复合压电装置原料成本低，机械柔性好，热稳定性好，且具有良好的电输出能力。
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公开(公告)号：CN113162378A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110346390.8
申请日：2021-03-31
申请人： 黄山学院 , 黄山芯微电子股份有限公司
IPC分类号： H02M1/088
摘要： 本发明公开了一种高效率智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路，该电路包括：输入接收电路、死区时间产生电路、调制发送电路、4个高侧高压隔离电容、4个低侧高压隔离电容、高侧接收及驱动H、低侧接收及驱动L、发送端欠压保护电路UVLO、发送端过温保护电路OTP、发送端过流保护电路OCP和发送端低压产生电路。本发明所提供的高效率智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路，首先，采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度保护电路，以避免高压开关器件脱离其安全工作区，提高可靠性；此外，自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN113130455A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110426392.8
申请日：2021-04-20
申请人： 黄山学院
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/498
摘要： 本发明涉及高热可靠性的多单元功率集成模块(PIM)的结构及其加工工艺，其结构包括硅基IGBT芯片、碳化硅肖特基势垒二极管芯片、硅基二极管芯片、铜/石墨烯纳米片(Cu/GN)异质薄膜、石墨烯基封装树脂、覆铜陶瓷衬板、焊料层、纳米银导电胶、键合引线、铜垫片、塑封外壳、铝碳化硅基板、导热硅脂以及散热器。本发明采用Cu/GN异质薄膜代替局部键合线的方式，将大功率PIM中斩波电路IGBT芯片的局部热量通过上下两条热传导路径散发，降低芯片上的局部热点温度；同时将石墨烯均匀地添加到环氧树脂中作为灌封材料，从而减小大功率PIM从芯片到环境的整体热阻，提升散热效率。
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公开(公告)号：CN118562239A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411056113.3
申请日：2024-08-02
申请人： 黄山学院
摘要： 本发明提供一种BFAN基陶瓷颗粒‑PVDF聚合物填充多孔气凝胶的制备方法及其应用，涉及压电传感器制备技术领域。所述气凝胶的制备主要为制备聚乙烯醇PVA‑CNF气凝胶经冻干处理后得到多孔框架结构；溶胶凝胶法制备BFAN基纳米陶瓷颗粒，将BFAN基陶瓷颗粒与PVDF混合高能球磨制备混合浆料；将气凝胶框架结构置入混合浆料中，在真空干燥箱中使混合浆料填充气凝胶腔体得到压电厚膜；该压电厚膜可以用来制备压电传感器。采用本发明气凝胶制备的压电传感器输出性能高，延展性好，能实时反馈人体运动，在能量收集、医疗保健领域均具有巨大潜力。
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公开(公告)号：CN113098458B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110349766.0
申请日：2021-03-31
申请人： 黄山学院
IPC分类号： H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种用于高压栅驱动芯片的高共模瞬态抑制差分信号接收电路，该电路包括：输入接收电路、X级前后级联的共模可调放大电路CM1～CMX、高灵敏度共模可调放大电路CMN、输出整形电路和共模自适应调整电路。本发明所提供的高共模瞬态抑制差分信号接收电路，一方面，可自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。另一方面，输出整形电路进一步采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，从而产生稳定数据输出。本发明可以广泛应用于各类高压绝缘隔离栅驱动芯片和数据隔离器中。
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公开(公告)号：CN111261599B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010166837.9
申请日：2020-03-11
申请人： 黄山学院
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/16 , H01L21/50
摘要： 本发明涉及一种基于石墨烯基封装衬板的大功率IPM的结构及加工工艺，其结构包括IGBT芯片、快恢复二极管芯片、驱动芯片、石墨烯基封装衬板、焊料层、导电铜柱、塑封外壳、封装树脂、导热硅脂以及散热器。本发明采用双封装衬板加芯片倒装的方式，将热量从大功率IPM的芯片通过上下两条热传导路径散发，降低芯片上的局部热点温度；同时在封装衬板的绝缘层表面和衬板底面化学气相沉积生长高热导率的多层石墨烯薄膜，从而减小大功率IPM从芯片到环境的整体热阻，提升散热效率。
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公开(公告)号：CN111944574A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010810051.6
申请日：2020-08-13
申请人： 黄山学院
IPC分类号： C10L5/44
摘要： 本发明公开了一种高品质低排放秸秆成型燃料的制备方法，具体涉及生物质能利用技术领域，包括原料、粉碎、干燥、掺配、压缩、切割、筛分、包装等步骤，通过配料制备工艺来改善秸秆燃料的品质和燃烧特性，并掺混复合添加剂协同控制污染物，改善灰熔特性。掺配适量粉煤，既提升了成型燃料热值，又改善了灰熔特性；钙基添加剂的加入，有利于延缓成型燃料燃烧过程中硫元素的析出时间并降低硫化物排放浓度，同时对氮氧化物排放也有较好的抑制作用；磷基添加剂的加入，解决了生物质热转化利用过程中因碱金属含量过高而导致的积灰、结渣的问题，改善了灰熔融性能。
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公开(公告)号：CN111261599A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010166837.9
申请日：2020-03-11
申请人： 黄山学院
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/16 , H01L21/50
摘要： 本发明涉及一种基于石墨烯基封装衬板的大功率IPM的结构及加工工艺，其结构包括IGBT芯片、快恢复二极管芯片、驱动芯片、石墨烯基封装衬板、焊料层、导电铜柱、塑封外壳、封装树脂、导热硅脂以及散热器。本发明采用双封装衬板加芯片倒装的方式，将热量从大功率IPM的芯片通过上下两条热传导路径散发，降低芯片上的局部热点温度；同时在封装衬板的绝缘层表面和衬板底面化学气相沉积生长高热导率的多层石墨烯薄膜，从而减小大功率IPM从芯片到环境的整体热阻，提升散热效率。
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