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公开(公告)号：CN113162378A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110346390.8
申请日：2021-03-31
申请人： 黄山学院 , 黄山芯微电子股份有限公司
IPC分类号： H02M1/088
摘要： 本发明公开了一种高效率智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路，该电路包括：输入接收电路、死区时间产生电路、调制发送电路、4个高侧高压隔离电容、4个低侧高压隔离电容、高侧接收及驱动H、低侧接收及驱动L、发送端欠压保护电路UVLO、发送端过温保护电路OTP、发送端过流保护电路OCP和发送端低压产生电路。本发明所提供的高效率智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路，首先，采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度保护电路，以避免高压开关器件脱离其安全工作区，提高可靠性；此外，自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN113162378B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110346390.8
申请日：2021-03-31
申请人： 黄山学院 , 黄山芯微电子股份有限公司
IPC分类号： H02M1/088
摘要： 本发明公开了一种智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路。该电路首先采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度保护电路，以避免高压开关器件脱离其安全工作区，提高可靠性；此外，自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN111490667B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010315906.8
申请日：2020-04-21
申请人： 黄山学院 , 黄山芯微电子股份有限公司
摘要： 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种用于电力电子系统中功率器件栅驱动所需要的高压半桥栅驱动电路，该电路包括输入接收电路、死区信号产生电路、低压产生电路、低侧信号延时电路、低侧高效率输出驱动电路、低延时高压电平移位电路和高侧高效率输出驱动电路。本发明所提供高压半桥栅驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，从而提高整体驱动电路速度；可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；可以广泛应用于各类高功率密度电力电子系统中，特别是频率要求更高的宽禁带功率器件的栅驱动应用。
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公开(公告)号：CN109920904B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201910283833.6
申请日：2019-04-10
申请人： 黄山学院
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/62 , H01L25/075
摘要： 本发明提供一种大功率GaN基LED的散热结构及加工工艺，其结构包括LED芯片单元、导电胶、石墨烯薄膜、覆铜陶瓷基板、导热硅脂、散热器，LED芯片单元采用倒装方式与覆铜陶瓷基板上铜层连接。其中采用化学气相沉积法在设计好的图形化DBC基板上生长石墨烯，作为与芯片侧面接触的散热层，在不影响本身芯片上下面热传导的前提下，利用石墨烯的横向高热导率，将芯片四周侧面的热量迅速横向传递到石墨烯散热层上继而传递到基板上，增加了新的热传导路径；采用芯片倒装的互连方式缩短热传导路径，增强整体结构的散热性能，实现局部高热流密度热点的有效散热，从而降低LED器件的最高温度，提升GaN基LED的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN110365217B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201910739189.9
申请日：2019-08-12
申请人： 黄山学院
摘要： 本发明公开了一种高功率密度GaN全桥LLC电源模块，包括依次连接的输入整流模块、GaN功率因数校正模块和GaN全桥LLC变换器模块；所述GaN功率因数校正模块将输入整流模块得到的输入高压直流母线DC的输入进行功率因数校正，得到功率因数校正后的高压母线Vbus和低压母线Vgnd；GaN全桥LLC变换器模块对所述高压母线Vbus和低压母线Vgnd的输出进行DC/DC变换，采用输出高压母线Vout+和输出低压母线Vout‑进行输出。本发明为提高全桥LLC电源模块的开关频率，采用LGA封装的GaN器件进行开关变换；为提高可靠性，采用双面布局结构对栅驱动、多管并联GaN器件和电压母线进行布局优化，保证GaN器件工作在安全区域状态，从而实现高密度功率集成和高效率，相关技术可以广泛应用于高密度AC/DC电源模块中。
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公开(公告)号：CN106953637B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201710136303.X
申请日：2017-03-09
申请人： 黄山学院
摘要： 本发明提供了一种电荷域幅度误差校准电路及采用该校准电路的DDS电路，所述电荷域幅度误差校准电路包括：电荷域幅度误差检测放大电路、K位电荷域模数转换器、控制电路、ROM模块、SRAM模块以及补偿电路。所述采用电荷域幅度误差校准电路的DDS电路包括：相位累加器、相位幅度转换器、N位电流模DAC、电荷域幅度误差校准电路、时钟产生电路和模式控制电路。所述电荷域幅度误差校准电路及采用该校准电路的DDS电路均可根据系统精度和硬件开销自动折衷选择校准精度和速度，并且具有低功耗特点。
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公开(公告)号：CN105338798B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201510828465.0
申请日：2015-11-24
申请人： 黄山学院
摘要： 本发明公开了一种红外波段可调双频/三频石墨烯超材料吸收装置及其使用方法，包括金属基板，设置于金属基板上的中间层，所述金属基板和中间层均为正方形，且长宽尺寸相同；所述中间层设置上有五个圆盘，每个圆盘的材料设置相同，自下而上均由石墨烯层、金属层、聚合物层组成。该装置具有电调谐性能，同时具备极化不敏感和大角度吸收的特性。
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公开(公告)号：CN110365217A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910739189.9
申请日：2019-08-12
申请人： 黄山学院
摘要： 本发明公开了一种高功率密度GaN全桥LLC电源模块，包括依次连接的输入整流模块、GaN功率因数校正模块和GaN全桥LLC变换器模块；所述GaN功率因数校正模块将输入整流模块得到的输入高压直流母线DC的输入进行功率因数校正，得到功率因数校正后的高压母线Vbus和低压母线Vgnd；GaN全桥LLC变换器模块对所述高压母线Vbus和低压母线Vgnd的输出进行DC/DC变换，采用输出高压母线Vout+和输出低压母线Vout-进行输出。本发明为提高全桥LLC电源模块的开关频率，采用LGA封装的GaN器件进行开关变换；为提高可靠性，采用双面布局结构对栅驱动、多管并联GaN器件和电压母线进行布局优化，保证GaN器件工作在安全区域状态，从而实现高密度功率集成和高效率，相关技术可以广泛应用于高密度AC/DC电源模块中。
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公开(公告)号：CN109887893A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910188516.6
申请日：2019-03-13
申请人： 黄山学院
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本发明涉及一种大功率IPM模块的先进封装结构及加工工艺，其结构包括IGBT芯片、快速恢复二极管芯片、铜填充硅通孔驱动芯片、覆铜陶瓷基板、缓冲层、焊料层、焊球、塑封外壳、封装树脂、导热硅脂以及散热器。其中采用铜填充硅通孔驱动芯片，以三维堆叠的先进封装形式，替换掉芯片之间以及芯片到基板的键合引线，从而提升模块可靠性；同时采用上下双基板的散热结构，提高大功率IPM模块的散热能力，降低芯片工作时的最高温度，从而提升模块的使用寿命。
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公开(公告)号：CN109817591A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910191204.0
申请日：2019-03-13
申请人： 黄山学院 , 黄山谷捷散热科技有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构及加工工艺，其结构包括IGBT子单元、二极管子单元、覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、导热硅脂层、石墨烯散热层以及上下水冷板散热器。所述的石墨烯散热层将转移至指定位置的芯片表面作为快速横向散热层，将芯片的局部热量迅速横向铺开，实现局部热点快速降温。本发明制作简单，灵活性高，可有效缓解水冷散热器散热不均匀，从而提升器件可靠性及使用寿命。
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