公开(公告)号：CN1276124C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02808782.8

申请日：2002-03-14

申请人： 3M创新有限公司

发明人： S·克萨里 ,  F·E·比尔 ,  M·G·柯斯特洛 ,  R·M·弗林 ,  R·M·明达耶 ,  J·G·欧文斯 ,  D·R·维塔克

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/311 ,  C23F4/00 ,  H01L21/316 ,  C23C14/56

CPC分类号： H01L21/31116 ,  C23C16/4405 ,  C23F4/00 ,  H01L21/32135 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

摘要： 本发明说明了使用含有全氟酮的活性气体除去气相反应器中积累的不需要的沉积物、蚀刻气相反应器中的介电及金属材料以及在气相反应器中掺杂材料的方法，其中全氟酮中含有4至7个碳原子。全氟酮的性能与半导体行业中使用的标准全氟烃相当或更佳，但对全球变暖造成的影响极小。

公开(公告)号：CN1505694A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN02808782.8

申请日：2002-03-14

申请人： 3M创新有限公司

发明人： S·克萨里 ,  F·E·比尔 ,  M·G·柯斯特洛 ,  R·M·弗林 ,  R·M·明达耶 ,  J·G·欧文斯 ,  D·R·维塔克

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/311 ,  C23F4/00 ,  H01L21/316 ,  C23C14/56

CPC分类号： H01L21/31116 ,  C23C16/4405 ,  C23F4/00 ,  H01L21/32135 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

摘要： 本发明说明了使用含有全氟酮的活性气体除去气相反应器中积累的不需要的沉积物、蚀刻气相反应器中的介电及金属材料以及在气相反应器中掺杂材料的方法，其中全氟酮中含有4至7个碳原子。全氟酮的性能与半导体行业中使用的标准全氟烃相当或更佳，但对全球变暖造成的影响极小。