-
-
公开(公告)号:CN1726265A
公开(公告)日:2006-01-25
申请号:CN200380105924.8
申请日:2003-10-28
申请人: 3M创新有限公司
IPC分类号: C09G1/02 , C23F3/00 , C11D1/00 , H01L21/321 , H01L21/288
CPC分类号: C11D3/349 , C09G1/02 , C11D11/0047 , C23F3/06 , C23G1/103 , H01L21/02074 , H01L21/32125
摘要: 本发明提供使用二(全氟烷磺酰基)亚氨酸或三(全氟烷磺酰基)甲基化物酸组合物来抛光和/或清洁铜互连的方法。
-
公开(公告)号:CN100341122C
公开(公告)日:2007-10-03
申请号:CN200380105929.0
申请日:2003-10-24
申请人: 3M创新有限公司
IPC分类号: H01L21/321 , H01L21/288 , C09G1/02 , C23F3/00 , C11D1/00
CPC分类号: H01L21/32134 , C09G1/02 , C11D1/004 , C11D3/349 , C11D11/0047 , C23F3/06 , C23G1/103 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/32125
摘要: 本发明提供了使用磺酸组合物抛光和/或清洁铜互连的方法。
-
公开(公告)号:CN1726266A
公开(公告)日:2006-01-25
申请号:CN200380105929.0
申请日:2003-10-24
申请人: 3M创新有限公司
IPC分类号: C09G1/02 , C23F3/00 , C11D1/00 , H01L21/321 , H01L21/288
CPC分类号: H01L21/32134 , C09G1/02 , C11D1/004 , C11D3/349 , C11D11/0047 , C23F3/06 , C23G1/103 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/32125
摘要: 本发明提供了使用磺酸组合物抛光和/或清洁铜互连的方法。
-
公开(公告)号:CN1505693A
公开(公告)日:2004-06-16
申请号:CN02808779.8
申请日:2002-02-12
申请人: 3M创新有限公司
发明人: S·克萨里
IPC分类号: C23C16/44 , C23G5/032 , C11D11/00 , H01L21/306
CPC分类号: C07C49/175 , C07C45/00 , C07C45/85 , C07C49/16 , C07C49/167
摘要: 采用含有氟化酮的液态清洗剂清洗蒸汽反应器的方法,所述氟化酮中约有5-10个碳原子和至多两个氢原子。所述氟化酮对全球变暖趋势的影响小。
-
公开(公告)号:CN100448941C
公开(公告)日:2009-01-07
申请号:CN200380105924.8
申请日:2003-10-28
申请人: 3M创新有限公司
IPC分类号: C09G1/02 , C23F3/00 , C11D1/00 , H01L21/321 , H01L21/288
CPC分类号: C11D3/349 , C09G1/02 , C11D11/0047 , C23F3/06 , C23G1/103 , H01L21/02074 , H01L21/32125
摘要: 本发明提供使用二(全氟烷磺酰基)亚氨酸或三(全氟烷磺酰基)甲基化物酸组合物来抛光和/或清洁铜互连的方法。
-
公开(公告)号:CN1276124C
公开(公告)日:2006-09-20
申请号:CN02808782.8
申请日:2002-03-14
申请人: 3M创新有限公司
IPC分类号: C23C16/44 , H01L21/311 , C23F4/00 , H01L21/316 , C23C14/56
CPC分类号: H01L21/31116 , C23C16/4405 , C23F4/00 , H01L21/32135 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要: 本发明说明了使用含有全氟酮的活性气体除去气相反应器中积累的不需要的沉积物、蚀刻气相反应器中的介电及金属材料以及在气相反应器中掺杂材料的方法,其中全氟酮中含有4至7个碳原子。全氟酮的性能与半导体行业中使用的标准全氟烃相当或更佳,但对全球变暖造成的影响极小。
-
公开(公告)号:CN1505694A
公开(公告)日:2004-06-16
申请号:CN02808782.8
申请日:2002-03-14
申请人: 3M创新有限公司
IPC分类号: C23C16/44 , H01L21/311 , C23F4/00 , H01L21/316 , C23C14/56
CPC分类号: H01L21/31116 , C23C16/4405 , C23F4/00 , H01L21/32135 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要: 本发明说明了使用含有全氟酮的活性气体除去气相反应器中积累的不需要的沉积物、蚀刻气相反应器中的介电及金属材料以及在气相反应器中掺杂材料的方法,其中全氟酮中含有4至7个碳原子。全氟酮的性能与半导体行业中使用的标准全氟烃相当或更佳,但对全球变暖造成的影响极小。
-
-
-
-
-
-
-