公开(公告)号：CN104701178B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201410727194.5

申请日：2014-12-03

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： H-J·舒尔策 ,  P·伊尔西格勒 ,  H·韦伯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

摘要： 在第一导电类型的台面之间的半导体衬底中形成沟槽。沟槽从加工表面延伸直至底平面。第二、互补的导电类型的半导体层被形成在沟槽的侧壁上。至少在台面中，垂直于加工表面的垂直的杂质浓度分布在加工表面和底平面之间是非恒定的。在此之后，凹进的半导体层的厚度反映在台面中的垂直杂质浓度分布。

公开(公告)号：CN109698230A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811229514.9

申请日：2018-10-22

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.菲利波 ,  M.比纳 ,  M.戴内泽 ,  C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  F.J.桑托斯罗德里格斯 ,  A.韦莱 ,  C.利德兹 ,  C.P.桑道

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/0688

摘要： 一种功率半导体器件（1），包括具有第一导电类型的漂移区（100）的有源单元区（1-2）；至少部分布置在有源单元区（1-2）内的多个IGBT单元（1-1），其中该IGBT单元（1-1）中的每个包括沿着垂直方向（Z）延伸到漂移区（100）中的至少一个沟槽（14、15、16）；包围有源单元区（1-2）的边缘终止区（1-3）；布置在有源单元区（1-2）和边缘终止区（1-3）之间的过渡区（1-5），该过渡区（1-5）具有沿着横向方向（X、Y）从有源单元区（1-2）朝向边缘终止区（1-3）的宽度（W），其中该IGBT单元（1-1）中的至少一些被布置在过渡区（1-5）内或者相应地延伸到过渡区（1-5）中；以及第二导电类型的电浮势垒区（105），其中该电浮势垒区（105）被布置在有源单元区（1-2）内且与IGBT单元（1-1）的沟槽（14、15、16）中的至少一些接触，并且其中该电浮势垒区（105）不会延伸到过渡区（1-5）中。

公开(公告)号：CN109686667A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201910071222.5

申请日：2019-01-25

申请人： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司

发明人： 张瑜洁 ,  李昀佶 ,  陈彤

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/34 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/66969 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

摘要： 本发明提供一种SiC基MOS器件的制备方法，包括：对SiC外延材料基片进行清洗；在SiC外延材料基片上淀积二维材料薄膜层；通过化学气相沉积或物理气相沉积在二维材料薄膜层上淀积氧化物薄膜层，然后上述所形成的二维材料/氧化物复合薄膜介质层进行退火处理；在SiC外延材料基片背面制作欧姆接触电极层；在氧化物薄膜材料层上制作栅电极层完成SiC基MOS器件的制备。本发明还提供一种SiC基MOS器件及其应用，利用高迁移率、高面电导率的传输层，提高SiC基MOS器件的热稳定性和高压击穿能力。

公开(公告)号：CN109037335A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201711061666.8

申请日：2017-11-02

申请人： 力祥半导体股份有限公司

发明人： 陈劲甫

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7396 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1095

摘要： 本发明提供一种功率晶体管装置，包括基底结构、第一导体层、第二导体层与第三导体层。基底结构具有基部与多个鳍部。鳍部突出于基部的表面。第一导体层跨设于鳍部上，且具有相对的第一侧与第二侧。第二导体层跨设于鳍部上，且位于第一导体层的第一侧。第三导体层跨设于鳍部上，且位于第一导体层的第二侧。第一导体层、第二导体层、第三导体层与鳍部彼此绝缘。第一导体层、第二导体层与第三导体层的延伸方向与鳍部的长度方向相交。上述功率晶体管装置可具有较低的导通阻抗以及高的双向耐压。

公开(公告)号：CN104979398B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201410513016.2

申请日：2014-09-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  R·巴布斯克

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

摘要： 一种半导体器件包括绝缘栅极双极晶体管(IGBT)设置。IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度。自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。

公开(公告)号：CN107851662A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201780002204.0

申请日：2017-06-12

申请人： 马克斯半导体股份有限公司

发明人： 曾军 ,  穆罕默德·达维希

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8725

摘要： 一种碳化硅(或类似的)沟槽式晶体管，其中在所有其他高温步骤已完成之后，在氧氮化气氛下，进行闸极电介质退火。

公开(公告)号：CN106558605A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610656480.6

申请日：2016-08-11

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 长田尚

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/401 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66348 ,  H02M7/537 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。【课题】提高半导体器件的性能。【解决方案】半导体器件具备两个元件部(PR1)、和介于两个元件部(PR1)之间的介入部(PR2)。介入部(PR2)具有形成于半导体层(SLn)中的位于两个沟槽(T4)之间的部分的p型体区域(PB1)、和分别形成于半导体层(SLn)中的分别隔着两个沟槽(T4)的各个而位于p型体区域(PB1)的两侧的两个部分的两个p型浮置区域(PF1)。p型浮置区域(PF1)的下端相对p型体区域(PB1)的下端配置于下侧。

公开(公告)号：CN102934231B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201180029814.2

申请日：2011-06-17

申请人： ABB技术有限公司

发明人： L·施托拉施塔 ,  A·科普塔 ,  M·拉希莫

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396

摘要： 提供具有晶圆（10）的功率半导体器件，其包括在发射极侧（11）上的发射极电极（2）与集电极侧（15）上的集电极电极（25）之间的下列层：-（n-）掺杂漂移层（3），-n掺杂第一区（81），其设置在漂移层（3）与集电极电极（25）之间，-p掺杂基极层（4），其设置在漂移层（3）与发射极电极（2）之间，该基极层（4）与发射极电极（2）直接电接触，-n掺杂源区（6），其设置在发射极侧（11）且嵌入基极层（4）内并且接触发射极电极（2），-栅电极（7），其与基极层（4）、源区（6）和漂移层（3）电绝缘。发射极电极（2）在接触区域（22）内接触基极层（4）和源区（6）。有源半导体单元（18）在晶圆（10）内形成，有源半导体单元（18）包括层或这样的层的部分：其位于关于与源区接触的发射极电极的接触区域（22）的发射极侧（11）、所述源区（6）和基极层（4）的该处能够形成导电沟道的这样的部分的正交投影中。器件进一步包括p掺杂阱（5），其设置在与基极层（4）相同的平面中，但在有源单元（18）的外部。阱（5）直接或经由基极层（4）至少其中之一方式电连接到发射极电极（2）。

公开(公告)号：CN105226086A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510354289.1

申请日：2015-06-24

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·P·桑道 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  V·范特里克

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/0676 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7395

摘要： 实施例涉及绝缘栅双极晶体管器件、半导体器件和用于形成所述器件的方法。绝缘栅双极晶体管器件100包括半导体衬底，该半导体衬底包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管器件100包括第一纳米线结构120和第一栅极结构130。绝缘栅双极晶体管结构的第一纳米线结构120被连接至漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构130沿着第一纳米线结构120的至少一部分延伸。

公开(公告)号：CN105206671A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510347674.3

申请日：2015-06-19

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： C·法赫曼 ,  E·维西诺瓦斯奎兹 ,  A·威尔梅洛斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/07 ,  H01L27/0705 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/0843

摘要： 本发明的各个实施例涉及具有不同局部跨导的半导体开关器件。一种半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有外缘、限定出有源面积区域的多个可开关控制单元、和布置在限定出该有源面积区域域的可开关控制单元与外缘之间的边缘端接区域。每个可开关控制单元包括本体区域、栅极电极结构和源极区域。由可开关控制单元限定出来的该有源面积区域至少包括具有第一跨导的第一可开关控制区域并且至少包括具有第二跨导的第二可开关控制区域，该第二跨导与该第一跨导不同。