公开(公告)号：CN116324030A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180069915.6

申请日：2021-09-16

申请人： AP系统股份有限公司

发明人： 郑弼盛 ,  池尙炫 ,  金昌敎 ,  金东植

IPC分类号： C23C16/48

摘要： 本发明涉及一种用于形成薄膜的设备和方法，设备包括：腔室，被配置成在其中界定衬底处理空间；衬底支撑部件，连接到腔室以便支撑腔室内部的衬底；热源部件，连接到腔室以面向衬底支撑部件；以及等离子体产生部件，在至少两个点处连接到腔室以便在衬底支撑部件与热源部件之间供应自由基。本发明可改进形成于衬底上的薄膜的均匀性。

公开(公告)号：CN106024670A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610146936.4

申请日：2016-03-15

申请人： AP系统股份有限公司

发明人： 郑弼盛 ,  池尙炫 ,  李成龙 ,  韩容愚

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H05B1/0233

摘要： 本发明涉及一种包括安装于其面对待处理物体(例如基板)的一个表面上的多个加热灯的加热器区块及包括所述加热器区块的基板处理装置。所述加热灯包括第一灯及第二灯，所述第一灯用以对所述待处理物体照射紫外(UV)线，所述第二灯用以对所述待处理物体照射红外(IR)线。对于所述一个表面上的多个区域中的每一个，所述第一灯的数目对所述第二灯的数目的相对比率是不同的。本发明提供所述加热器区块及基板处理装置，所述加热器区块可对所述基板的边缘区域的温度进行热补偿以提高所述基板的温度均匀性。

公开(公告)号：CN118668169A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410317250.1

申请日：2024-03-20

申请人： AP系统股份有限公司

发明人： 朴俊雨 ,  郑弼盛 ,  尹盛俊 ,  姜汉默

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/35

摘要： 本发明提供一种改进沉积物体上的沉积均匀性的溅射装置和使用溅射装置的溅射方法。溅射装置包含：第一旋转轴；第一臂，连接到第一旋转轴以通过第一旋转轴的旋转而围绕第一旋转轴旋转；主磁体组件，设置在第一臂的一侧处且设置有外部磁极和内部磁极，外部磁极和内部磁极具有彼此不同的极性；以及第一辅助磁体组件，设置在第一臂的另一侧处且设置有第一磁极，第一磁极具有与主磁体组件的外部磁极相同的极性。

公开(公告)号：CN106024606A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610179488.8

申请日：2016-03-25

申请人： AP系统股份有限公司

发明人： 郑弼盛 ,  池尙炫 ,  李成龙 ,  韩容愚

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/67 ,  H01L21/336

CPC分类号： C30B29/06 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C30B28/08 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66742 ,  H01L2229/00

摘要： 本发明提供一种制造半导体装置的设备以及使用其制造半导体装置的方法。本发明控制热源单元，使得在两个阶段中用光照射其中形成含氢待处理层的待处理物体，且由此可以抑制和防止半导体装置的电特征由于氢而劣化。也就是说，先照射的紫外光可以引发用于分离待处理层中的Si‑H键的化学反应，并且再照射的红外光可以引发用于使从Si‑H键分离的氢气化的热反应。因此，执行用于分离待处理层中的氢和其它离子的键的化学反应和用于使氢气化的热反应两个，由此与仅通过热反应从待处理层中气化氢的温度相比可以更容易地清除氢。