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公开(公告)号：CN107305835A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710260084.6
申请日：2017-04-19
申请人： AP系统股份有限公司 , 优尼焕特种光源有限公司
摘要： 灯及用于制造所述灯的方法被提出。根据本发明的灯包括发光部分，其配备有发光主体；固定壳体，其连接到所述发光部分以支撑所述发光部分；端子销，其插入并安装在所述固定壳体中且一端电连接到所述发光主体，及多个密封部分，其形成为包围所述固定壳体中的所述端子销的周围环境，形成为沿所述端子销的延伸方向具有多个阶梯形部分，所述多个阶梯形部分的至少两个阶梯形部分由彼此不同的密封材料制成，并密封所述端子销的周围环境。因此，根据本发明的实施例，增强所述端子销的外圆周表面的圆周的密封性能或密闭紧密度，并防止所述端子销的周围环境的漏电发生。由此，在高真空下维持及处理加热器块和处理腔室变得更容易。
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公开(公告)号：CN106024606A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610179488.8
申请日：2016-03-25
申请人： AP系统股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/67 , H01L21/336
CPC分类号： C30B29/06 , C23C16/24 , C23C16/56 , C30B28/08 , H01L21/67115 , H01L27/1285 , H01L29/6675 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L21/67011 , H01L21/28 , H01L29/66742 , H01L2229/00
摘要： 本发明提供一种制造半导体装置的设备以及使用其制造半导体装置的方法。本发明控制热源单元，使得在两个阶段中用光照射其中形成含氢待处理层的待处理物体，且由此可以抑制和防止半导体装置的电特征由于氢而劣化。也就是说，先照射的紫外光可以引发用于分离待处理层中的Si‑H键的化学反应，并且再照射的红外光可以引发用于使从Si‑H键分离的氢气化的热反应。因此，执行用于分离待处理层中的氢和其它离子的键的化学反应和用于使氢气化的热反应两个，由此与仅通过热反应从待处理层中气化氢的温度相比可以更容易地清除氢。
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公开(公告)号：CN107305835B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201710260084.6
申请日：2017-04-19
申请人： AP系统股份有限公司 , 优尼焕特种光源有限公司
摘要： 灯及用于制造所述灯的方法被提出。根据本发明的灯包括发光部分，其配备有发光主体；固定壳体，其连接到所述发光部分以支撑所述发光部分；端子销，其插入并安装在所述固定壳体中且一端电连接到所述发光主体，及多个密封部分，其形成为包围所述固定壳体中的所述端子销的周围环境，形成为沿所述端子销的延伸方向具有多个阶梯形部分，所述多个阶梯形部分的至少两个阶梯形部分由彼此不同的密封材料制成，并密封所述端子销的周围环境。因此，根据本发明的实施例，增强所述端子销的外圆周表面的圆周的密封性能或密闭紧密度，并防止所述端子销的周围环境的漏电发生。由此，在高真空下维持及处理加热器块和处理腔室变得更容易。
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公开(公告)号：CN106024670A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610146936.4
申请日：2016-03-15
申请人： AP系统股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67115 , H05B1/0233
摘要： 本发明涉及一种包括安装于其面对待处理物体(例如基板)的一个表面上的多个加热灯的加热器区块及包括所述加热器区块的基板处理装置。所述加热灯包括第一灯及第二灯，所述第一灯用以对所述待处理物体照射紫外(UV)线，所述第二灯用以对所述待处理物体照射红外(IR)线。对于所述一个表面上的多个区域中的每一个，所述第一灯的数目对所述第二灯的数目的相对比率是不同的。本发明提供所述加热器区块及基板处理装置，所述加热器区块可对所述基板的边缘区域的温度进行热补偿以提高所述基板的温度均匀性。
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