公开(公告)号：CN118647937A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202280090291.0

申请日：2022-12-14

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： A·帕特尔 ,  J·亚当斯 ,  L·迪克逊 ,  I·M·P·阿尔茨

IPC分类号： G03F9/00

摘要： 描述了作为半导体制造工艺的一部分的、产生用于对准衬底层中的特征的对准信号。与用于产生对准信号的典型方法相比，本系统和方法更快速，并且产生更多信息，因为它们利用图案化半导体晶片中的现有结构而不是专用对准结构。连续扫描图案化半导体晶片的特征(而非专用对准标记)，其中扫描包括：用辐射连续地照射特征；以及连续地检测来自特征的反射辐射。扫描垂直于特征、沿着特征的一侧或沿特征的两侧执行的。

公开(公告)号：CN116324611A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180053627.1

申请日：2021-08-03

申请人： ASML荷兰有限公司 ,  ASML控股股份有限公司

发明人： 阿里·阿尔萨卡 ,  A·帕特尔 ,  帕特里克·塞巴斯蒂安·于贝尔 ,  A·阿布多尔万德 ,  鲍拉斯·安东尼斯·安德里亚斯·特尤尼森 ,  W·F·科安达尔姆

IPC分类号： G02F1/35

摘要： 描述了一种辐射源布置，包括：辐射源，辐射源可操作以产生包括源能量脉冲的源辐射；以及至少一个非线性能量滤波器，非线性能量滤波器可操作以对源辐射进行滤波，以获得包括经滤波的能量脉冲的经滤波的辐射。至少一个非线性能量滤波器可操作以，通过使能量水平对应于源能量脉冲的能量分布的两个端部中的一个的源能量脉冲的能量水平比能量水平对应于能量分布的峰值的源能量脉冲的能量水平降低更大量，来减小经滤波的辐射的能量变化。