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公开(公告)号：CN109690418B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201780055169.9
申请日：2017-08-18
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种方法，包括在至少部分地位于装置内的同时在结构上印刷装置标记。该结构是衬底台的一部分或者位于衬底台上，但是与将由装置保持的衬底分离。使用装置内的传感器系统测量装置标记。
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公开(公告)号：CN112020677A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980028130.7
申请日：2019-04-03
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： S·R·惠斯曼 , T·M·T·A·M·埃拉扎雷 , 林宇翔 , V·Q·特兰 , S·A·戈登 , J·L·克鲁泽 , C·J·马松 , I·M·P·阿尔茨 , K·肖梅 , I·策玛
Abstract: 对准传感器装置包括照射系统、第一光学系统、第二光学系统、检测器系统和处理器。照射系统被配置为沿照射路径透射照射光束。第一光学系统被配置为朝向衬底上的衍射目标透射照射光束。第二光学系统包括第一偏振光学器件，该第一偏振光学器件被配置为分离并且透射辐照度分布的。检测器系统被配置为基于从第一偏振分支和第二偏振分支输出的辐照度分布来测量衍射目标的重心。处理器被配置为测量由衍射目标中的不对称性变化引起的衍射目标的重心的偏移，并且基于重心偏移来确定对准传感器装置的传感器响应函数。
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公开(公告)号：CN118647937A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202280090291.0
申请日：2022-12-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 描述了作为半导体制造工艺的一部分的、产生用于对准衬底层中的特征的对准信号。与用于产生对准信号的典型方法相比，本系统和方法更快速，并且产生更多信息，因为它们利用图案化半导体晶片中的现有结构而不是专用对准结构。连续扫描图案化半导体晶片的特征(而非专用对准标记)，其中扫描包括：用辐射连续地照射特征；以及连续地检测来自特征的反射辐射。扫描垂直于特征、沿着特征的一侧或沿特征的两侧执行的。
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公开(公告)号：CN112020677B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201980028130.7
申请日：2019-04-03
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： S·R·惠斯曼 , T·M·T·A·M·埃拉扎雷 , 林宇翔 , V·Q·特兰 , S·A·戈登 , J·L·克鲁泽 , C·J·马松 , I·M·P·阿尔茨 , K·肖梅 , I·策玛
Abstract: 对准传感器装置包括照射系统、第一光学系统、第二光学系统、检测器系统和处理器。照射系统被配置为沿照射路径透射照射光束。第一光学系统被配置为朝向衬底上的衍射目标透射照射光束。第二光学系统包括第一偏振光学器件，该第一偏振光学器件被配置为分离并且透射辐照度分布的。检测器系统被配置为基于从第一偏振分支和第二偏振分支输出的辐照度分布来测量衍射目标的重心。处理器被配置为测量由衍射目标中的不对称性变化引起的衍射目标的重心的偏移，并且基于重心偏移来确定对准传感器装置的传感器响应函数。
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公开(公告)号：CN109690418A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055169.9
申请日：2017-08-18
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种方法，包括在至少部分地位于装置内的同时在结构上印刷装置标记。该结构是衬底台的一部分或者位于衬底台上，但是与将由装置保持的衬底分离。使用装置内的传感器系统测量装置标记。
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