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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117157586A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280026085.3
申请日：2022-03-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·亚当斯 , L·G·蒙特帝纳 , N·F·W·蒂森 , L·J·卡尔塞迈耶尔 , I·M·P·阿蒂斯 , 萨哈拉萨达特·达斯特瑞
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供用于校正被设置在衬底上的对准标记的检测位置且使用经校正的数据来对准所述衬底以确保对所述衬底上的一个或更多个图案的准确曝光的系统、设备和方法。一种示例方法可以包括接收指示从设置在衬底上的多个对准标记衍射或从所述衬底反射的光之间的干涉的测量数据。所述示例方法还可以包括基于所述测量数据来确定衬底变形数据。所述示例方法还可以包括基于所述测量数据来确定对准标记变形数据。所述对准标记变形数据可以包括对准标记变形光谱图案数据、对准标记变形幅值数据、和对准标记变形偏移数据。随后，所述示例方法可以包括基于所述衬底变形数据和所述对准标记变形数据来确定对所述测量数据的校正。
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公开(公告)号：CN111480113A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880080540.1
申请日：2018-11-27
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： 德克·S·G·布龙 , J·亚当斯 , A·本迪克塞 , R·雅克布 , A·贾奇 , V·V·N·N·P·科塔帕利 , J·H·里昂 , T·M·默德曼 , M·兰詹 , M·A·范德克尔克霍夫 , 熊绪刚
Abstract: 一种用于确定与用于光刻设备(LA)中的表膜(19)相关的状态的设备，该设备包括传感器(26、32、52、60)，其中，该传感器(26、32、52、60)被配置为测量与该表膜(19)相关的属性，该属性指示表膜状态。
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公开(公告)号：CN118679430A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202380020575.7
申请日：2023-01-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种系统，包括成像系统、空间滤波器和探测器。所述系统被配置成接收多个衍射阶。所述空间滤波器被配置成阻挡所述多个衍射阶中的一个或更多个不期望的衍射阶并且使所述多个衍射阶中的一个或更多个期望的衍射阶通过。所述空间滤波器包括具有在方位角上变化的依赖于角度的半径的一个或更多个遮蔽部。所述探测器被配置成接收和测量所述一个或更多个期望的衍射阶的强度。所述空间滤波器是机动化的。
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公开(公告)号：CN118647937A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202280090291.0
申请日：2022-12-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 描述了作为半导体制造工艺的一部分的、产生用于对准衬底层中的特征的对准信号。与用于产生对准信号的典型方法相比，本系统和方法更快速，并且产生更多信息，因为它们利用图案化半导体晶片中的现有结构而不是专用对准结构。连续扫描图案化半导体晶片的特征(而非专用对准标记)，其中扫描包括：用辐射连续地照射特征；以及连续地检测来自特征的反射辐射。扫描垂直于特征、沿着特征的一侧或沿特征的两侧执行的。
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公开(公告)号：CN117425859A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202280040650.1
申请日：2022-05-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 提供了用于校正被设置在衬底上的对准标记的检测位置并且使用经校正的数据对准所述衬底以准确地曝光所述衬底上的图案的系统、设备和方法。示例方法可以包括接收测量信号，所述测量信号包括与从具有不同定向的第一对准目标和第二对准目标衍射的第一衍射光束和第二衍射光束相对应的组合强度信号。示例方法还可以包括使用模板拟合所述组合强度信号以确定权重值，和基于所述模板和权重值来确定与所述第一衍射光束和第二衍射光束相对应的第一强度子信号和第二强度子信号。所述方法还可以包括基于所述第一强度子信号和第二强度子信号来确定第一强度不平衡信号和第二强度不平衡信号，以及基于所述第一强度不平衡信号和第二强度不平衡信号来确定对所述测量信号的校正集。
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