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公开(公告)号：CN111656282B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201880088262.4
申请日：2018-12-17
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 一种确定衬底栅格的测量设备(10)和方法，衬底栅格描述了光刻设备(LA)中曝光衬底(12)之前衬底(12)的变形，光刻设备(LA)配置成在衬底(12)上制造一个或多个特征。获取在衬底(12)上多个第一特征和/或多个第二特征的位置数据。获取所述多个第一特征和/或所述多个第二特征中的至少一个特征的不对称性数据。基于位置数据和不对称性数据确定衬底栅格。将衬底栅格和不对称性数据传递到所述光刻设备LA，用于控制曝光过程的至少一部分以在衬底(12)上制造一个或多个特征。
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公开(公告)号：CN108369382B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201680071426.3
申请日：2016-09-15
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·M·赫尔斯埃博 , P·A·J·蒂内曼斯 , R·布林克霍夫 , P·J·赫利斯 , J·K·卢卡什 , L·J·P·维尔希斯 , I·M·A·范唐克拉尔 , F·G·C·比基恩
摘要： 在一种控制光刻设备的方法中，使用历史性能测量值(512)计算与光刻过程相关的过程模型(PM)。测量设置在当前衬底上的多个对准标记的当前位置(502)且使用所述当前位置计算与当前衬底相关的衬底模型。另外，使用(530)在处理先前衬底时所获得的历史位置测量值(522)和历史性能测量值以计算模型映射(M)。应用(520)该模型映射以修改该衬底模型。一起使用过程模型和被修改的衬底模型(SM′)(PSM)来控制(508)该光刻设备。通过避免过程模型和衬底模型的相关分量的过校正或欠校正来改善重叠性能。模型映射可以是子空间映射，且可以在使用该模型映射之前减少该模型映射的维度。
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公开(公告)号：CN110799907B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201880042682.9
申请日：2018-05-28
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·M·赫尔斯埃博 , P·A·J·廷内曼斯 , F·G·C·比基恩
摘要： 一种确定衬底变形的方法，具有以下步骤：(a)从多个衬底的测量结果获得(402)与标记位置相关联的第一测量数据(Xi)；(b)从所述多个衬底的测量结果获得(404)与标记位置相关联的第二测量数据(Xi和/或Y)；(c)确定(408)所述第一测量数据与第二测量数据之间的映射(Mi,j)；和(d)通过计算所述映射矩阵(Mij)的特征值分解来分解(410)所述映射以分离地确定在所述数据之间的所述映射中与第二变形(例如衬底变形)以不同比例缩放的第一变形(例如标记变形)。使用非线性优化可以一起执行确定映射的步骤和分解所述映射的步骤。
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公开(公告)号：CN115668068A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180037591.8
申请日：2021-05-11
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 公开了一种在对准标记上执行位置测量的方法以及相关联的设备，该对准标记至少包括第一周期性结构，具有沿着第一方向的周期性的方向。该方法包括获得与位置测量相关的信号数据，并且拟合信号数据以确定位置值。拟合步骤使用调制拟合或者背景包络周期性拟合中的一个。
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公开(公告)号：CN113906345A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080032530.8
申请日：2020-04-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·M·赫尔斯埃博
摘要： 本文中描述了确定与标记布局相关联的对准模型的方法。一种方法包括：获得(a)与相比于相对稀疏的标记布局(例如，少于65个标记)而言相对密集的标记布局(例如，多于200个标记)相关联的第一测量数据以及与相对稀疏的标记布局相关联的第二测量数据，以及(b)描述与相对密集的套刻标记布局相关的物体变形的第一拟合模型；以及基于描述与相对稀疏的标记布局相关的物体变形的第二拟合模型，经由拟合技术，基于使用倾斜内积矩阵(例如，W)的广义二乘拟合或使用倾斜投影矩阵(例如，P)的倾斜投影最小二乘拟合，来确定对准模型。
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公开(公告)号：CN114830039A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080086073.0
申请日：2020-11-17
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 公开了一种衬底、相关图案形成装置和测量该衬底的位置的方法。该方法包括执行对准标记的对准扫描以同时获得：在第一测量通道中检测到的第一测量信号以及在第二测量通道中检测到的第二测量信号。第一和第二测量信号是通过从第二测量信号的第一方向分量中减去第一测量信号的第一方向分量以获得第一处理信号来处理，该第一方向分量与所述第一方向有关。对准标记的位置是从第一处理信号相对于第一方向来确定的。
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公开(公告)号：CN111656282A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201880088262.4
申请日：2018-12-17
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 一种确定衬底栅格的测量设备(10)和方法，衬底栅格描述了光刻设备(LA)中曝光衬底(12)之前衬底(12)的变形，光刻设备(LA)配置成在衬底(12)上制造一个或多个特征。获取在衬底(12)上多个第一特征和/或多个第二特征的位置数据。获取所述多个第一特征和/或所述多个第二特征中的至少一个特征的不对称性数据。基于位置数据和不对称性数据确定衬底栅格。将衬底栅格和不对称性数据传递到所述光刻设备LA，用于控制曝光过程的至少一部分以在衬底(12)上制造一个或多个特征。
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公开(公告)号：CN110799907A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880042682.9
申请日：2018-05-28
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·M·赫尔斯埃博 , P·A·J·廷内曼斯 , F·G·C·比基恩
摘要： 一种确定衬底变形的方法，具有以下步骤：(a)从多个衬底的测量结果获得(402)与标记位置相关联的第一测量数据(Xi)；(b)从所述多个衬底的测量结果获得(404)与标记位置相关联的第二测量数据(Xi和/或Y)；(c)确定(408)所述第一测量数据与第二测量数据之间的映射(Mi,j)；和(d)通过计算所述映射矩阵(Mij)的特征值分解来分解(410)所述映射以分离地确定在所述数据之间的所述映射中与第二变形(例如衬底变形)以不同比例缩放的第一变形(例如标记变形)。使用非线性优化可以一起执行确定映射的步骤和分解所述映射的步骤。
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公开(公告)号：CN108369382A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071426.3
申请日：2016-09-15
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·M·赫尔斯埃博 , P·A·J·蒂内曼斯 , R·布林克霍夫 , P·J·赫利斯 , J·K·卢卡什 , L·J·P·维尔希斯 , I·M·A·范唐克拉尔 , F·G·C·比基恩
摘要： 在一种控制光刻设备的方法中，使用历史性能测量值(512)计算与光刻过程相关的过程模型(PM)。测量设置在当前衬底上的多个对准标记的当前位置(502)且使用所述当前位置计算与当前衬底相关的衬底模型。另外，使用(530)在处理先前衬底时所获得的历史位置测量值(522)和历史性能测量值以计算模型映射(M)。应用(520)该模型映射以修改该衬底模型。一起使用过程模型和被修改的衬底模型(SM′)(PSM)来控制(508)该光刻设备。通过避免过程模型和衬底模型的相关分量的过校正或欠校正来改善重叠性能。模型映射可以是子空间映射，且可以在使用该模型映射之前减少该模型映射的维度。
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