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公开(公告)号：CN111164515A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063422.X
申请日：2018-09-04
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·A·J·廷尼曼斯 , E·M·休瑟博斯 , H·J·L·梅根斯 , A·K·埃达玛 , L·J·P·维尔希斯 , W·S·C·罗洛夫斯 , W·J·M·范德文 , H·亚古毕扎德 , H·E·瑟克里 , R·布林克霍夫 , T·T·T·乌 , M·R·古森 , M·范特维斯泰德 , 寇伟田 , M·里杰普斯特拉 , M·科克斯 , F·G·C·比杰南
摘要： 公开了一种用于确定传感器系统的操作参数的一个或多个经优化的值的方法，该传感器系统被配置为测量衬底的性质，该方法包括：确定针对多个衬底的质量参数；针对操作参数的多个值，确定使用传感器系统而被获取的针对多个衬底的测量参数；将质量参数的衬底到衬底变化与测量参数的映射的衬底到衬底变化进行比较；以及基于该比较，确定操作参数的一个或多个经优化的值。
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公开(公告)号：CN107850862B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201680041723.3
申请日：2016-06-28
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： F·G·C·比恩 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , P·A·J·廷尼曼斯 , A·雅玛 , I·A·莱利娜 , E·M·休瑟博斯 , H·E·切克利 , 柳星兰 , L·J·P·维尔希斯 , V·E·卡拉多 , L·P·范迪克
摘要： 描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：‑针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；‑将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；‑将位置偏差分组成数据集；‑确定平均数据集；‑从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；‑对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；‑将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。
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公开(公告)号：CN111164515B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201880063422.X
申请日：2018-09-04
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·A·J·廷尼曼斯 , E·M·休瑟博斯 , H·J·L·梅根斯 , A·K·埃达玛 , L·J·P·维尔希斯 , W·S·C·罗洛夫斯 , W·J·M·范德文 , H·亚古毕扎德 , H·E·瑟克里 , R·布林克霍夫 , T·T·T·乌 , M·R·古森 , M·范特维斯泰德 , 寇伟田 , M·里杰普斯特拉 , M·科克斯 , F·G·C·比杰南
摘要： 公开了一种用于确定传感器系统的操作参数的一个或多个经优化的值的方法，该传感器系统被配置为测量衬底的性质，该方法包括：确定针对多个衬底的质量参数；针对操作参数的多个值，确定使用传感器系统而被获取的针对多个衬底的测量参数；将质量参数的衬底到衬底变化与测量参数的映射的衬底到衬底变化进行比较；以及基于该比较，确定操作参数的一个或多个经优化的值。
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公开(公告)号：CN108369382B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201680071426.3
申请日：2016-09-15
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·M·赫尔斯埃博 , P·A·J·蒂内曼斯 , R·布林克霍夫 , P·J·赫利斯 , J·K·卢卡什 , L·J·P·维尔希斯 , I·M·A·范唐克拉尔 , F·G·C·比基恩
摘要： 在一种控制光刻设备的方法中，使用历史性能测量值(512)计算与光刻过程相关的过程模型(PM)。测量设置在当前衬底上的多个对准标记的当前位置(502)且使用所述当前位置计算与当前衬底相关的衬底模型。另外，使用(530)在处理先前衬底时所获得的历史位置测量值(522)和历史性能测量值以计算模型映射(M)。应用(520)该模型映射以修改该衬底模型。一起使用过程模型和被修改的衬底模型(SM′)(PSM)来控制(508)该光刻设备。通过避免过程模型和衬底模型的相关分量的过校正或欠校正来改善重叠性能。模型映射可以是子空间映射，且可以在使用该模型映射之前减少该模型映射的维度。
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公开(公告)号：CN108369382A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071426.3
申请日：2016-09-15
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·M·赫尔斯埃博 , P·A·J·蒂内曼斯 , R·布林克霍夫 , P·J·赫利斯 , J·K·卢卡什 , L·J·P·维尔希斯 , I·M·A·范唐克拉尔 , F·G·C·比基恩
摘要： 在一种控制光刻设备的方法中，使用历史性能测量值(512)计算与光刻过程相关的过程模型(PM)。测量设置在当前衬底上的多个对准标记的当前位置(502)且使用所述当前位置计算与当前衬底相关的衬底模型。另外，使用(530)在处理先前衬底时所获得的历史位置测量值(522)和历史性能测量值以计算模型映射(M)。应用(520)该模型映射以修改该衬底模型。一起使用过程模型和被修改的衬底模型(SM′)(PSM)来控制(508)该光刻设备。通过避免过程模型和衬底模型的相关分量的过校正或欠校正来改善重叠性能。模型映射可以是子空间映射，且可以在使用该模型映射之前减少该模型映射的维度。
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公开(公告)号：CN107850862A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041723.3
申请日：2016-06-28
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： F·G·C·比恩 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , P·A·J·廷尼曼斯 , A·雅玛 , I·A·莱利娜 , E·M·休瑟博斯 , H·E·切克利 , 柳星兰 , L·J·P·维尔希斯 , V·E·卡拉多 , L·P·范迪克
摘要： 描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：-针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；-将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；-将位置偏差分组成数据集；-确定平均数据集；-从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；-对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；-将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。
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