公开(公告)号：CN118402319A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280083282.9

申请日：2022-11-22

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： S·K·T·拉加维鲁·穆拉利达 ,  马悦 ,  N·V·德兹奥姆卡纳 ,  A·H·甘迪 ,  D·S·德布鲁因 ,  A·多罗班图 ,  F·布里祖拉 ,  S·博默

IPC分类号： H05G2/00

摘要： 公开了一种用于EUV系统的导管结构，其中导管的非水平内部表面设置有流动障碍物，该流动障碍物阻止熔融目标材料跨表面流动，以使熔融目标材料冻结在内部表面上并且被内部表面捕获。在导管是目标材料微滴从EUV腔室流出所通过的导管的情况下，导管的侧面上的流动障碍物确保最初被导管的上部表面捕获并且流到侧壁的熔融目标材料粘附到侧壁并且避开实际微滴路径。这确保导管中的开口被维持，从而允许预期流动。导管结构可以放置在例如其中生成EUV辐射的腔室的内部和目标材料容器之间。

公开(公告)号：CN111837076A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980017251.1

申请日：2019-02-28

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： 马悦 ,  A·T·W·肯彭 ,  K·M·休姆勒 ,  J·H·J·穆尔斯 ,  J·H·罗梅斯 ,  H·J·范德威尔 ,  A·D·拉弗格 ,  F·布里祖拉 ,  R·C·怀格斯 ,  U·P·戈梅斯 ,  E·内达诺维斯卡 ,  C·科科玛兹 ,  A·D·金 ,  R·M·杜阿尔特·罗德里格斯·努涅斯 ,  H·A·L·范迪杰克 ,  W·P·范德伦特 ,  P·G·琼克斯 ,  朱秋石 ,  P·雅格霍比 ,  J·S·C·韦斯特拉肯 ,  M·H·A·里恩德斯 ,  A·I·厄肖夫 ,  I·V·福门科夫 ,  刘飞 ,  J·H·W·雅各布斯 ,  A·S·库兹内特索夫

IPC分类号： G03F7/20 ,  G02B5/08 ,  H05G2/00 ,  G02B1/14 ,  G21K1/06

摘要： 通过气体到包含光学元件的真空室(26)中的受控引入，减少用于生成EUV辐射的系统(SO)中的一个或多个反射光学元件的反射率的劣化。该气体可以被添加到诸如氢气的另一气体流中，或者与氢自由基的引入交替。