公开(公告)号：CN111837076A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980017251.1

申请日：2019-02-28

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： 马悦 ,  A·T·W·肯彭 ,  K·M·休姆勒 ,  J·H·J·穆尔斯 ,  J·H·罗梅斯 ,  H·J·范德威尔 ,  A·D·拉弗格 ,  F·布里祖拉 ,  R·C·怀格斯 ,  U·P·戈梅斯 ,  E·内达诺维斯卡 ,  C·科科玛兹 ,  A·D·金 ,  R·M·杜阿尔特·罗德里格斯·努涅斯 ,  H·A·L·范迪杰克 ,  W·P·范德伦特 ,  P·G·琼克斯 ,  朱秋石 ,  P·雅格霍比 ,  J·S·C·韦斯特拉肯 ,  M·H·A·里恩德斯 ,  A·I·厄肖夫 ,  I·V·福门科夫 ,  刘飞 ,  J·H·W·雅各布斯 ,  A·S·库兹内特索夫

IPC分类号： G03F7/20 ,  G02B5/08 ,  H05G2/00 ,  G02B1/14 ,  G21K1/06

摘要： 通过气体到包含光学元件的真空室(26)中的受控引入，减少用于生成EUV辐射的系统(SO)中的一个或多个反射光学元件的反射率的劣化。该气体可以被添加到诸如氢气的另一气体流中，或者与氢自由基的引入交替。