公开(公告)号：CN107850862B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201680041723.3

申请日：2016-06-28

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： F·G·C·比恩 ,  A·J·登博夫 ,  R·J·F·范哈伦 ,  P·A·J·廷尼曼斯 ,  A·雅玛 ,  I·A·莱利娜 ,  E·M·休瑟博斯 ,  H·E·切克利 ,  柳星兰 ,  L·J·P·维尔希斯 ,  V·E·卡拉多 ,  L·P·范迪克

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: 描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：‑针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；‑将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；‑将位置偏差分组成数据集；‑确定平均数据集；‑从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；‑对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；‑将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。

公开(公告)号：CN107850862A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680041723.3

申请日：2016-06-28

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： F·G·C·比恩 ,  A·J·登博夫 ,  R·J·F·范哈伦 ,  P·A·J·廷尼曼斯 ,  A·雅玛 ,  I·A·莱利娜 ,  E·M·休瑟博斯 ,  H·E·切克利 ,  柳星兰 ,  L·J·P·维尔希斯 ,  V·E·卡拉多 ,  L·P·范迪克

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: 描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：-针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；-将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；-将位置偏差分组成数据集；-确定平均数据集；-从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；-对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；-将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。