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公开(公告)号：CN110622069A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880029609.8
申请日：2018-03-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·雅玛 , C·E·塔贝里 , S·H·C·范戈尔普 , 林晨希 , D·索恩塔格 , H·E·切克利 , R·阿尔瓦雷斯·桑切斯 , 刘士嵚 , S·P·S·哈斯廷斯 , B·门奇特奇科夫 , C·T·德鲁伊特尔 , P·滕伯格 , M·J·勒塞尔 , 段薇 , P-Y·J·Y·吉特
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于预测经受工艺的衬底的电特性的方法和相关联的计算机程序。该方法包括：基于电计量数据和包括至少一个参数的测量的工艺计量数据的分析，确定电特性对工艺特性的灵敏度，电计量数据包括从先前处理的衬底测量的电特性，至少一个参数与从先前处理的衬底测量的工艺特性相关；获取与衬底相关的描述至少一个参数的工艺计量数据；以及基于灵敏度和工艺计量数据，预测衬底的电特性。
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公开(公告)号：CN107430350A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680014119.1
申请日：2016-01-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种测量光刻工艺的参数的方法、以及相关联的计算机程序和设备。该方法包括在衬底上提供多个目标结构，每个目标结构包括在衬底的不同层上的第一结构和第二结构。利用测量辐射来测量每个目标结构以获取目标结构中的目标非对称性的测量，目标非对称性包括由于第一和第二结构的未对准而产生的套刻贡献、以及由于至少第一结构中的结构非对称性而产生的结构贡献。获取与每个目标结构的至少第一结构中的结构非对称性相关的结构非对称性特性，结构非对称性特性与测量辐射的至少一个所选择的特性无关。然后使用目标非对称性的测量和结构非对称性特性来确定每个目标结构的目标非对称性的套刻贡献。
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公开(公告)号：CN110622069B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201880029609.8
申请日：2018-03-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·雅玛 , C·E·塔贝里 , S·H·C·范戈尔普 , 林晨希 , D·索恩塔格 , H·E·切克利 , R·阿尔瓦雷斯·桑切斯 , 刘士嵚 , S·P·S·哈斯廷斯 , B·门奇特奇科夫 , C·T·德鲁伊特尔 , P·滕伯格 , M·J·勒塞尔 , 段薇 , P-Y·J·Y·吉特
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于预测经受工艺的衬底的电特性的方法和相关联的计算机程序。该方法包括：基于电计量数据和包括至少一个参数的测量的工艺计量数据的分析，确定电特性对工艺特性的灵敏度，电计量数据包括从先前处理的衬底测量的电特性，至少一个参数与从先前处理的衬底测量的工艺特性相关；获取与衬底相关的描述至少一个参数的工艺计量数据；以及基于灵敏度和工艺计量数据，预测衬底的电特性。
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公开(公告)号：CN109154781B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201780029363.X
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G03F9/00 , H01L21/66
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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公开(公告)号：CN108885414B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201780022917.3
申请日：2017-02-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种光刻处理，包括：将衬底(W)夹持(CL)到衬底支持件(WT)上；跨被夹持衬底测量(AS)标记的位置；以及使用测量的位置向被夹持衬底施加图案。基于跨衬底测量的位置中的弯曲诱发特性(402、404、406)的识别，在衬底的局部区域中向所施加图案的定位应用校正(WCOR)。在一个实施例中，通过首先使用测量的位置和其他信息(CDAT)推断弯曲衬底(FFW)的一个或多个形状特性来生成校正。然后，基于推断的形状特性，响应于夹持向弯曲衬底的仿真变形应用夹持模型。第三，基于仿真的变形计算所述校正(LCOR)。一些或所有这些步骤可以集成和/或通过查找表来实施。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107850862B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201680041723.3
申请日：2016-06-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： F·G·C·比恩 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , P·A·J·廷尼曼斯 , A·雅玛 , I·A·莱利娜 , E·M·休瑟博斯 , H·E·切克利 , 柳星兰 , L·J·P·维尔希斯 , V·E·卡拉多 , L·P·范迪克
Abstract: 描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：‑针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；‑将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；‑将位置偏差分组成数据集；‑确定平均数据集；‑从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；‑对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；‑将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。
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公开(公告)号：CN115220311A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210869852.9
申请日：2018-03-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·雅玛 , C·E·塔贝里 , S·H·C·范戈尔普 , 林晨希 , D·索恩塔格 , H·E·切克利 , R·阿尔瓦雷斯·桑切斯 , 刘士嵚 , S·P·S·哈斯廷斯 , B·门奇特奇科夫 , C·T·德鲁伊特尔 , P·滕伯格 , M·J·勒塞尔 , 段薇 , P-Y·J·Y·吉特
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开涉及用于预测器件制造工艺的良率的方法。一种用于预测经受工艺的衬底的电特性的方法和相关联的计算机程序。该方法包括：基于电计量数据和包括至少一个参数的测量的工艺计量数据的分析，确定电特性对工艺特性的灵敏度，电计量数据包括从先前处理的衬底测量的电特性，至少一个参数与从先前处理的衬底测量的工艺特性相关；获取与衬底相关的描述至少一个参数的工艺计量数据；以及基于灵敏度和工艺计量数据，预测衬底的电特性。
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公开(公告)号：CN110546574B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201880025802.4
申请日：2018-04-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种维护指印集合(316)的方法，指印集合表示跨晶片的一个或多个工艺参数的变化，该方法具有以下步骤：(a)接收在晶片上测量的一个或多个参数的测量数据(324)；(b)基于一个或多个工艺参数的预期演变(322)更新(320)指印集合；以及(c)基于根据更新的指印集合对所接收的测量数据的分解评估更新的指印集合。每个指印可以具有存储的发生似然性(316)，并且分解可以包括：基于所接收的测量数据(324)，估算所接收的测量数据中的指印集合的发生似然性；以及基于估算的似然性更新存储的发生似然性。
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公开(公告)号：CN109154781A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029363.X
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G03F9/00 , H01L21/66
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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公开(公告)号：CN107850862A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041723.3
申请日：2016-06-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： F·G·C·比恩 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , P·A·J·廷尼曼斯 , A·雅玛 , I·A·莱利娜 , E·M·休瑟博斯 , H·E·切克利 , 柳星兰 , L·J·P·维尔希斯 , V·E·卡拉多 , L·P·范迪克
Abstract: 描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：-针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；-将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；-将位置偏差分组成数据集；-确定平均数据集；-从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；-对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；-将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。
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