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公开(公告)号：CN112020677B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201980028130.7
申请日：2019-04-03
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： S·R·惠斯曼 , T·M·T·A·M·埃拉扎雷 , 林宇翔 , V·Q·特兰 , S·A·戈登 , J·L·克鲁泽 , C·J·马松 , I·M·P·阿尔茨 , K·肖梅 , I·策玛
Abstract: 对准传感器装置包括照射系统、第一光学系统、第二光学系统、检测器系统和处理器。照射系统被配置为沿照射路径透射照射光束。第一光学系统被配置为朝向衬底上的衍射目标透射照射光束。第二光学系统包括第一偏振光学器件，该第一偏振光学器件被配置为分离并且透射辐照度分布的。检测器系统被配置为基于从第一偏振分支和第二偏振分支输出的辐照度分布来测量衍射目标的重心。处理器被配置为测量由衍射目标中的不对称性变化引起的衍射目标的重心的偏移，并且基于重心偏移来确定对准传感器装置的传感器响应函数。
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公开(公告)号：CN114341739A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080060240.4
申请日：2020-08-25
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
Inventor： T·M·T·A·M·埃拉扎雷 , S·R·惠斯曼 , J·L·克鲁泽 , S·A·戈登
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文描述了确定与衬底相关联的套刻测量的方法和获得与图案化工艺相关联的套刻测量的系统。一种用于确定套刻测量的方法可用于光刻图案化工艺中。该方法包括通过使用相干束照射第一套刻图案和第二套刻图案来产生衍射信号。该方法还包括基于衍射信号获得干涉图案。该方法还包括基于干涉图案确定第一套刻图案和第二套刻图案之间的套刻测量。
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公开(公告)号：CN116601484A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180082336.5
申请日：2021-12-02
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
IPC: G01N21/956
Abstract: 量测系统(400)包括多源辐射系统。多源辐射系统包括波导装置(502)并且多源辐射系统被配置为生成一个或多个辐射束。量测系统(400)还包括相干调整器(500)，相干调整器(500)包括多模波导装置(504)。多模波导装置(504)包括输入和输出(518)，输入被配置为接收来自多源辐射系统(514)的一个或多个辐射束，输出(518)被配置为输出用于辐照目标(418)的经相干调整的辐射束。量测系统(400)还包括致动器(506)，致动器(506)被耦合到波导装置(502)并且被配置为致动波导装置(502)，以便改变多模波导装置(504)的输入处的一个或多个辐射束的冲击特性。
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公开(公告)号：CN116762041A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202180090790.5
申请日：2021-12-02
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 该系统包括辐射源、衍射元件、光学系统、检测器和处理器。辐射源生成辐射。衍射元件衍射辐射以生成第一射束和第二射束。第一射束包括第一非零衍射级，第二射束包括不同于第一非零衍射级的第二非零衍射级。光学系统从目标结构接收第一散射束和第二散射辐射束，并将第一散射束和第二散射辐射束朝向检测器引导。检测器生成检测信号。处理器分析检测信号以至少基于检测信号来确定目标结构属性。第一射束相对于第二射束被衰减，或者第一散射束相对于第二散射束被有意地衰减。
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公开(公告)号：CN112020677A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980028130.7
申请日：2019-04-03
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： S·R·惠斯曼 , T·M·T·A·M·埃拉扎雷 , 林宇翔 , V·Q·特兰 , S·A·戈登 , J·L·克鲁泽 , C·J·马松 , I·M·P·阿尔茨 , K·肖梅 , I·策玛
Abstract: 对准传感器装置包括照射系统、第一光学系统、第二光学系统、检测器系统和处理器。照射系统被配置为沿照射路径透射照射光束。第一光学系统被配置为朝向衬底上的衍射目标透射照射光束。第二光学系统包括第一偏振光学器件，该第一偏振光学器件被配置为分离并且透射辐照度分布的。检测器系统被配置为基于从第一偏振分支和第二偏振分支输出的辐照度分布来测量衍射目标的重心。处理器被配置为测量由衍射目标中的不对称性变化引起的衍射目标的重心的偏移，并且基于重心偏移来确定对准传感器装置的传感器响应函数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116648675A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202180077011.8
申请日：2021-11-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 公开了一种量测系统，该量测系统包括：可操作以测量衬底上的多个目标以获取测量数据的预对准量测工具；以及处理单元。处理单元可操作以：处理所述测量数据以针对每个目标确定至少一个位置分布，该位置分布描述所述位置值在所述目标的至少部分之上的变化；以及根据所述至少一个位置分布确定测量校正，该测量校正校正所述目标中的每个目标中的目标内变化，所述测量校正用于校正由对准传感器执行的测量。
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公开(公告)号：CN109564395B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780048092.2
申请日：2017-07-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了用于处理具有相干性的辐射束的装置和方法。在一种布置中，光学系统接收具有相干性的辐射束。辐射束包括分布在一个或多个辐射束空间模式之上的分量。波导支持多个波导空间模式。光学系统将属于共同辐射束空间模式并且具有不同频率的辐射束的多个分量引导到波导上，使得多个分量中的每个分量耦合到波导空间模式的不同集合，每个集合包括一个或多个波导空间模式。
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公开(公告)号：CN118475883A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280087037.5
申请日：2022-12-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 公开了一种使用局部对准位置偏差参数以用于半导体晶片上的对准标记的装置和方法，其中参数用于生成一个或多个指示对准标记状况的值，该值可用于获得具有改进拟合的晶片网格模型。
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公开(公告)号：CN114402261A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080058778.1
申请日：2020-08-05
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·R·S·哈斯普斯劳格 , V·罗切斯 , G·布兰达尼·托里 , N·潘迪 , S·A·戈登
Abstract: 一种微反射镜阵列包括：衬底；用于反射入射光的多个反射镜；以及针对多个反射镜中的每个反射镜(20)，用于使反射镜进行位移的至少一个压电致动器(21)，其中至少一个压电致动器连接到衬底。该微反射镜阵列还包括一个或多个支柱(24)，一个或多个支柱(24)将反射镜连接到至少一个压电致动器。还公开了一种形成这种微反射镜阵列的方法。微反射镜阵列可以用于可编程照射器中。可编程照射器可以用于光刻设备和/或检查设备中。
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公开(公告)号：CN118696277A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202280091897.6
申请日：2022-12-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 该系统包括光学设备、反射设备、可移动反射设备和检测器。光学设备被设置在第一平面处并围绕系统的轴线，以及接收来自目标的散射辐射。反射设备至少被设置在第二平面处并围绕轴线。每个反射设备接收来自对应光学设备之一的散射辐射。可移动反射设备沿轴线设置并接收来自每个反射设备的散射辐射。检测器接收来自可移动反射设备的散射辐射。
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