产生对准信号而无需专用对准结构

    公开(公告)号:CN118647937A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202280090291.0

    申请日:2022-12-14

    Abstract: 描述了作为半导体制造工艺的一部分的、产生用于对准衬底层中的特征的对准信号。与用于产生对准信号的典型方法相比,本系统和方法更快速,并且产生更多信息,因为它们利用图案化半导体晶片中的现有结构而不是专用对准结构。连续扫描图案化半导体晶片的特征(而非专用对准标记),其中扫描包括:用辐射连续地照射特征;以及连续地检测来自特征的反射辐射。扫描垂直于特征、沿着特征的一侧或沿特征的两侧执行的。

    用于对准信号的噪声校正
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113196179A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN201980084616.2

    申请日:2019-12-12

    Abstract: 一种应用测量校正的方法,包括确定正交子空间,正交子空间被用于将测量表征为数据图。正交子空间的第一轴线对应于来自量测系统的干涉仪的相长干涉输出加上第一误差变量,并且正交子空间的第二轴线对应于来自量测系统的干涉仪的相消干涉输出加上第二误差变量。方法还包括确定数据图的斜率,并且基于斜率来确定正交子空间中的数据图的拟合线。

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