公开(公告)号：CN102356186B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201080002216.1

申请日：2010-12-13

申请人： AXT公司 ,  北京通美晶体技术有限公司

发明人： 刘卫国 ,  李晓

IPC分类号： C30B29/08 ,  C30B9/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B29/08 ,  C30B11/10

摘要： 公开了用于晶体生长的系统和方法，包括在已生长的锗晶体中减少微坑腔密度的特征。在一个示例实施方式中，提供了一种方法：将带有原材料的安瓿插入具有加热源的炉；使用垂直生长法生长晶体，其中实现结晶化温度梯度相对于原材料/坩埚的运动以熔化该原材料；以及，以预定晶体生长长度生长该原材料以实现单晶晶体，其中可重复地提供具有减少的微坑密度的单晶锭。

公开(公告)号：CN102356186A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201080002216.1

申请日：2010-12-13

申请人： AXT公司

发明人： 刘卫国 ,  李晓

IPC分类号： C30B29/08 ,  C30B9/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B29/08 ,  C30B11/10

摘要： 本发明公开了用于晶体生长的系统和方法，包括在已生长的锗晶体中减少微坑腔密度的特征。在一个示例实施方式中，提供了一种方法：将带有原材料的安瓿插入具有加热源的炉；使用垂直生长法生长晶体，其中实现结晶化温度梯度相对于原材料/坩埚的运动以熔化该原材料；以及，以预定晶体生长长度生长该原材料以实现单晶晶体，其中可重复地提供具有减少的微坑密度的单晶锭。

公开(公告)号：CN101736401B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200810177006.0

申请日：2008-11-10

申请人： AXT公司 ,  北京通美晶体技术有限公司

发明人： 刘卫国

IPC分类号： C30B29/08 ,  C30B11/00

CPC分类号： C30B29/08 ,  C30B11/00 ,  C30B11/003 ,  C30B11/02 ,  Y10T117/1024

摘要： 锗晶体生长的方法和装置。所述方法包括：将第一Ge原料装入一个坩埚中，所述坩埚带有放置有晶种的晶种槽；将第二Ge原料装入一个将置于石英安瓿内的用以补充Ge原料的装载容器中；将所述坩埚和装载容器密封在一个石英安瓿内；将密封有所述坩埚和装载容器的石英安瓿放入一个具有可移动的安瓿支座的晶体生长熔炉中，所述支座支承安瓿；熔化坩埚中的第一Ge原料从而生成一种熔融体；熔化容器中的第二Ge原料，并将第二Ge原料添至熔融体中；控制熔融体的结晶温度梯度，使熔融体与晶种接触的时候结晶形成单晶锗晶棒；冷却单晶锗晶棒。本发明还提供可用于实施该方法的装置，其中包括一个装载容器，其中形成单晶锗晶棒的过程包括在晶棒生长区建立0.3-2.5℃/cm的温度梯度。

公开(公告)号：CN111321456A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911284634.3

申请日：2019-12-13

申请人： AXT公司

发明人： 拉贾拉姆·谢蒂 ,  刘卫国 ,  杨盛世

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/42 ,  H01L21/18

摘要： 一种用于低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片的方法和体系可包括一种半绝缘砷化镓单晶晶片，所述晶片的直径为6英寸或更大，不含意图用于降低位错密度的掺杂剂，腐蚀坑密度小于1000cm-2，电阻率为1x107Ω-cm或更大。晶片在940nm波长下的光吸收可为小于5cm-1、小于4cm-1或小于3cm-1。晶片可具有3000cm2/V-sec或更高的载流子迁移率。晶片的厚度可为500μm或更大。可在晶片的第一表面上形成电子器件。晶片可具有1.1x107cm-3或更小的载流子浓度。

公开(公告)号：CN102272361A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980154326.7

申请日：2009-11-09

申请人： AXT公司

发明人： 刘卫国

IPC分类号： C30B29/08 ,  C30B15/20

摘要： 公开了关于单晶锗(Ge)生长的系统、方法和衬底。在一个示例性实施方案中，提供了一种生长单晶锗(Ge)晶体的方法。此外，所述方法可包括将第一Ge原料装入一个坩埚中，将第二Ge原料装入一个用以补充Ge熔体材料的容器中，将所述坩埚和容器密封在所述安瓿内，将带有坩埚的安瓿放入一个晶体生长熔炉中，以及熔化第一Ge原料和第二Ge原料，并控制熔体的结晶温度梯度以可重复地提供具有改进/所需性能的单晶锗晶锭。

公开(公告)号：CN111321470A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911286027.0

申请日：2019-12-13

申请人： AXT公司

发明人： 拉贾拉姆·谢蒂 ,  刘卫国 ,  杨盛世

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B11/02

摘要： 用于含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体的方法和体系可包括一种砷化镓单晶晶片，该晶片含有硼作为掺杂剂、腐蚀坑密度小于500cm-2、并且在940nm处的光吸收为6cm-1以下。晶片的腐蚀坑密度可小于200cm-2。晶片的直径可为6英寸或更大。晶片的硼浓度可介于1×1019cm-3和2×1019cm-3之间。晶片的厚度可为300μm以上。在晶片的第一表面上可形成有光电器件，该晶片可被切割成数个裸片，并且来自于其中一个裸片的一面上的光电器件的光信号可从裸片的与该面相对的一面传输出去。

公开(公告)号：CN101736401A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810177006.0

申请日：2008-11-10

申请人： AXT公司

发明人： 刘卫国

IPC分类号： C30B29/08 ,  C30B11/00

CPC分类号： C30B29/08 ,  C30B11/00 ,  C30B11/003 ,  C30B11/02 ,  Y10T117/1024

摘要： 锗晶体生长的方法和装置。所述方法包括：将第一Ge原料装入一个坩埚中，所述坩埚带有放置有晶种的晶种槽；将第二Ge原料装入一个将置于安瓿内的用以补充Ge原料的装载容器中；将所述坩埚和装载容器密封在一个安瓿内；将密封有所述坩埚和装载容器的安瓿放入一个具有可移动的安瓿支座的晶体生长熔炉中，所述支座支承安瓿；熔化坩埚中的第一Ge原料从而生成一种熔融体；熔化容器中的第二Ge原料，并将第二Ge原料添至熔融体中；控制熔融体的结晶温度梯度，使熔融体与晶种接触的时候结晶形成单晶锗晶棒；冷却单晶锗晶棒。本发明还提供可用于实施该方法的装置，其中包括一个装载容器。

公开(公告)号：CN101688323A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880024243.1

申请日：2008-05-09

申请人： AXT公司

发明人： 刘卫国 ,  M·S·扬 ,  M·H·巴达维

IPC分类号： C30B15/14

CPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/42 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3228

摘要： 公开了使用一种低EPD晶体生长方法制备晶片的系统和方法，并提供一种晶片退火方法，以形成III-V/GaAs晶片，提高由晶片制得的器件的产率。在一个示例性实施方式中，提供了一种制备具有低腐蚀坑密度(EPD)的III族基材料的方法。此外，该方法包括形成多晶III族基化合物；和使用所述多晶III族基化合物进行垂直梯度凝固晶体生长。其他的示例性的实施方式可以包括在形成III族基晶体期间，控制一个或多个温度梯度，以提供非常低的腐蚀坑密度。