公开(公告)号：CN101675179A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200880015063.7

申请日：2008-06-02

申请人： OPC激光系统有限公司

发明人： 约瑟夫·里德·亨利茨

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/56

CPC分类号： H01L21/3228 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/3245

摘要： 使用氦低温保持器，用24小时将衬底晶片的温度降至2.2开尔文。均温段将使衬底晶片的温度在2.2开尔文保持96小时。在该温度，诸如GaAs、InP和GaP等合金将形成偶极分子矩，其在分子键缩短时沿着内磁力线重新对齐。用24小时使衬底晶片的温度斜升至室温。使衬底晶片的温度斜升以确保晶片内出现的温度梯度维持在较低的水平。通常，回火斜升温度介于300℉～1100℉之间并取决于用于构造该衬底晶片的单晶材料。衬底晶片经历回火保持段，其确保整个衬底晶片均具有回火温度的受益。

公开(公告)号：CN1298037C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN03801351.7

申请日：2003-07-17

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 田中聪 ,  岩崎孝

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L21/3228 ,  H01L22/14 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 提供了一种可以可靠地进行汞去除的含铟晶片和制造这种晶片的方法，以便使汞C-V方法可行，汞C-V方法允许高精度地测量含铟晶片的特性，且它是一种非破坏性的测试。本发明的含铟晶片特征在于具有形成在其外表层上的附加除汞层，其目的在于去除晶片表面粘附的汞和由化合物半导体组成。此外，本发明制造含铟晶片的方法特征在于用粘附到除汞层表面上作为电极的汞评价晶片的电性能后，通过清除除汞层来去除表面粘附的汞。

公开(公告)号：CN104115258B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201380009855.4

申请日：2013-02-14

申请人： 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

发明人： 鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和徳

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC分类号： H01L21/3228 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明具备硅系基板(11)与外延生长层(12)，其中外延生长层(12)具有晶格常数和热膨胀系数彼此相异的第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层交互积层而成的结构，并以在外缘部中的膜厚逐渐变薄的方式被配置在硅系基板(11)上。由此，本发明提供一种抑制外缘部发生裂痕的外延基板、半导体装置及这种半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN104428441A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380035434.9

申请日：2013-07-01

申请人： 应用材料公司

发明人： 朱鸣伟 ,  奈格·B·帕蒂班德拉 ,  汪荣军 ,  维韦卡·阿格拉沃尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼 ,  丹尼尔·L·迪尔 ,  唐先明

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3467 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3228

摘要： 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III-V族层的设备和方法，所述缓冲层和III-V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III-V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III-V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。

公开(公告)号：CN104115258A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201380009855.4

申请日：2013-02-14

申请人： 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

发明人： 鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和徳

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC分类号： H01L21/3228 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明具备硅系基板(11)与外延生长层(12)，其中外延生长层(12)具有晶格常数和热膨胀系数彼此相异的第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层交互积层而成的结构，并以在外缘部中的膜厚逐渐变薄的方式被配置在硅系基板(11)上。由此，本发明提供一种抑制外缘部发生裂痕的外延基板、半导体装置及这种半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN107354428A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710165989.5

申请日：2013-07-01

申请人： 应用材料公司

发明人： 朱明伟 ,  奈格·B·帕蒂班德拉 ,  汪荣军 ,  维韦卡·阿格拉沃尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼 ,  丹尼尔·L·迪尔 ,  唐先明

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3467 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3228 ,  C23C14/0617

摘要： 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III-V族层的设备和方法，所述缓冲层和III-V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III-V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III-V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。

公开(公告)号：CN1672249A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03817967.9

申请日：2003-07-26

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： 钟宪尧 ,  T·格特

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/321 ,  H01L21/762 ,  H01L21/322 ,  H01L21/32 ,  H01L21/763

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31666 ,  H01L21/3228 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H01S5/18311 ,  Y10S438/94

摘要： 本发明涉及一种氧化层的方法及基板的相关支持装置。本发明乃解释了一种处理方法，尤其是一待氧化层在一单基板程序中进行处理的方法，而在该处理期间的处理温度乃直接于该基板(114)、或是在用于该基板(114)的一支持装置(110)处进行记录，因此，其有可能产生具有一精确预先决定的氧化宽度的氧化层。

公开(公告)号：CN1215205C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN99811516.9

申请日：1999-09-29

申请人： 三菱住友硅晶株式会社

发明人： 古川纯 ,  须藤充 ,  中井哲弥 ,  藤川隆男 ,  增井卓也

IPC分类号： C30B33/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/3228 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245

摘要： 在使单晶体(11)稳定的气氛中，在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下，对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时，然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳定的气氛优选为不活泼气体或者包含高蒸气压元素的蒸气的气体，且HIP处理优选在10～200MPa的压力下进行。单晶体(11)可以为硅单晶、GaAs单晶、InP单晶、ZnS单晶或ZnSe单晶铸锭，或者从铸锭上切取的晶块或晶片。由此，不管单晶体(11)的尺寸有多大，都可以去除或者分散位于单晶体(11)表面以及内部的诸如空位型内生缺陷的晶格缺陷。

公开(公告)号：CN1320173A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN99811516.9

申请日：1999-09-29

申请人： 三菱硅材料株式会社

发明人： 古川纯 ,  须藤充 ,  中井哲弥 ,  藤川隆男 ,  增井卓也

IPC分类号： C30B33/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/3228 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245

摘要： 在使单晶体(11)稳定的气氛中,在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下,对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时,然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳定的气氛优选为不活泼气体或者包含高蒸气压元素的蒸气的气体,且HIP处理优选在10～200MPa的压力下进行。单晶体(11)可以为硅单晶、GaAs单晶、InP单晶、ZnS单晶或ZnSe单晶铸锭,或者从铸锭上切取的晶块或晶片。由此,不管单晶体(11)的尺寸有多大,都可以去除或者分散位于单晶体(11)表面以及内部的诸如空位型内生缺陷的晶格缺陷。

公开(公告)号：CN105405757A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510952380.3

申请日：2015-12-18

申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所

发明人： 韩修训 ,  董琛

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： H01L21/3228

摘要： 一种提高GaAsN外延薄膜中N的并入量并降低间隙缺陷产生的方法，该方法利用外延生长技术将传统[100]外延取向改变为[n11]取向能有效提高N在GaAs中的并入量、并降低间隙缺陷的产生。本发明选择具有高密度表面三键活性位的(n11)B GaAs材料作为衬底，来外延生长GaAsN材料。本发明利用(n11)B极性面(即As面)能够形成高密度三键Ⅴ位(即N或As位)，并结合N的高电负性特性来构筑N的活性吸附位，这能够有效地提高GaAsN中N的并入量并且可降低间隙缺陷的产生，可获得高质量的GaAsN薄膜。