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公开(公告)号：CN105264635B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201380074020.7
申请日：2013-12-30
IPC分类号： H01J37/317
摘要： 一种用于利用带电粒子束分析样本的方法，所述方法包括将束引导向样本表面；研磨表面以暴露在样本中的第二表面，其中研磨在离子源远侧的第二表面的端部到比在离子源近侧的第一表面的端部大的相对于参考深度的深度；将带电粒子束引导向第二表面以形成第二表面的一个或多个图像；通过检测电子束与第二表面的相互作用,形成感兴趣的多个相邻特征的横截面的图像；将横截面的图像装配成感兴趣的特征中的一个或多个的三维模型。提供了一种用于改进的基准和在纳米级三维结构中形成确定暴露的特征的深度的方法。
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公开(公告)号：CN105264635A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380074020.7
申请日：2013-12-30
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/221 , H01J2237/226 , H01J2237/2814 , H01J2237/31745
摘要： 一种用于利用带电粒子束分析样本的方法，所述方法包括将束引导向样本表面；研磨表面以暴露在样本中的第二表面，其中研磨在离子源远侧的第二表面的端部到比在离子源近侧的第一表面的端部大的相对于参考深度的深度；将带电粒子束引导向第二表面以形成第二表面的一个或多个图像；通过检测电子束与第二表面的相互作用,形成感兴趣的多个相邻特征的横截面的图像；将横截面的图像装配成感兴趣的特征中的一个或多个的三维模型。提供了一种用于改进的基准和在纳米级三维结构中形成确定暴露的特征的深度的方法。
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公开(公告)号：CN104685617B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201380051841.9
申请日：2013-10-07
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N1/32 , G01N1/286 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/31745
摘要： 用于在带电粒子束系统中暴露样品中的结构的一部分以供观察的方法和系统，包括从大块样品提取样品；确定减少幕化的样品取向；将样品装配至带电粒子束系统中的夹持器，使得在研磨样品以暴露结构时，夹持器使样品取向在减少幕化的取向上；通过在减少幕化的方向上研磨样品来暴露结构；以及对结构成像。
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公开(公告)号：CN104685617A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051841.9
申请日：2013-10-07
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N1/32 , G01N1/286 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/31745
摘要： 用于在带电粒子束系统中暴露样品中的结构的一部分以供观察的方法和系统，包括从大块样品提取样品；确定减少幕化的样品取向；将样品装配至带电粒子束系统中的夹持器，使得在研磨样品以暴露结构时，夹持器使样品取向在减少幕化的取向上；通过在减少幕化的方向上研磨样品来暴露结构；以及对结构成像。
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