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公开(公告)号:CN103946684A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201280059036.6
申请日:2012-11-30
申请人: FEI公司
CPC分类号: H01J37/3056 , C23C14/5833 , G01N1/32 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J37/3005 , H01J2237/024 , H01J2237/20207 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 一种用于TEM样品制备和分析的方法,该方法可以用于FIB-SEM系统中,而不需要对薄层或机动化的翻转台进行重焊、卸载、用户处理。该方法允许具有典型倾斜台的双束FIB-SEM系统用于提取样品以形成衬底、将样品安装至能够倾斜的TEM样品支座上、用FIB铣削将该样品打薄、以及旋转样品从而使得样品面垂直于用于STEM成像的电子柱。
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公开(公告)号:CN102809496A
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201210178011.X
申请日:2012-06-01
申请人: FEI公司
IPC分类号: G01N1/28
CPC分类号: G01N1/32 , G01N1/286 , G01N2001/2886 , H01J37/02 , H01J37/3056 , H01J2237/20 , H01J2237/2802 , H01J2237/31745 , H01L21/02318
摘要: 本发明涉及制备用于TEM成像的薄样本的方法。本发明的目的在于提供一种方法和设备,用于以减少或防止弯曲和垂落的方式制备TEM样本。本发明的优选实施例在制备样本的过程期间把材料沉积在TEM样本的面上。在一些优选实施例中,该材料能够在减薄相反面之前沉积在已经被减薄的样本面上,这能够用于加强样本的结构完整性并再填补由于垂落现象而被过度减薄的区域。在优选实施例中,材料也能够沉积在正被铣削的面上,这能够用于减少或消除样本面上的垂落。
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公开(公告)号:CN104885196B
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201380068797.2
申请日:2013-12-30
IPC分类号: H01L21/205
CPC分类号: H01L21/2605 , C23C16/045 , C23C16/047 , H01L21/02115 , H01L21/02277 , H01L21/0243 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/28556 , H01L21/76879 , H01L21/76898
摘要: 提供用于填充高深宽比孔而没有空隙或用于产生高深宽比结构而没有空隙的方法连同对应的设备。将直径小于孔的直径的束引导到孔中以诱发在孔底部的中心区中开始的沉积。在通过束诱发的沉积在孔中形成细长结构之后,束然后能够以与孔直径至少一样大的图案来扫描以填充孔的剩余部分。高深宽比孔然后能够使用离子束来横截用于观察而没有创建伪影。当使用电子束诱发沉积时,电子优选地具有高的能量以到达孔的底部,并且束具有低的电流以减少由束拖尾引起的伪沉积。
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公开(公告)号:CN104685348B
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201380052272.X
申请日:2013-10-04
CPC分类号: H01J37/3053 , C23C14/46 , G01N1/32 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J2237/3174 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 通过减小保护层与感兴趣特征之间的距离来减小高纵横比特征上的帘幕化伪像。例如,离子束可以以与工件表面的一角度进行铣削以产生斜表面。向斜表面上沉积保护层,并且离子束通过保护层进行铣削以使感兴趣特征暴露以用于分析。斜铣削将保护层接近于感兴趣特征定位以减少帘幕化。
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公开(公告)号:CN103946684B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201280059036.6
申请日:2012-11-30
申请人: FEI 公司
CPC分类号: H01J37/3056 , C23C14/5833 , G01N1/32 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J37/3005 , H01J2237/024 , H01J2237/20207 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 一种用于TEM样品制备和分析的方法,该方法可以用于FIB‑SEM系统中,而不需要对薄层或机动化的翻转台进行重焊、卸载、用户处理。该方法允许具有典型倾斜台的双束FIB‑SEM系统用于提取样品以形成衬底、将样品安装至能够倾斜的TEM样品支座上、用FIB铣削将该样品打薄、以及旋转样品从而使得样品面垂直于用于STEM成像的电子柱。
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公开(公告)号:CN104822482A
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201380063847.8
申请日:2013-10-07
申请人: FEI公司
CPC分类号: H01J37/3005 , G01N1/32 , G01N23/2255 , G01N2223/104 , G01N2223/611 , H01J37/3007 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J37/31 , H01J2237/063 , H01J2237/08 , H01J2237/2813 , H01J2237/31732 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 为了减少通过聚焦离子束暴露以供查看的表面中的伪像,靠近感兴趣的区域铣削沟槽,并且填充沟槽以创建隔板。离子束被引导通过隔板以暴露感兴趣的区域的一部分以供查看。沟槽例如是通过带电粒子束感应沉积来填充的。沟槽典型地被自顶向下铣削和填充,并且然后,离子束关于样本表面成角度以暴露感兴趣的区域。
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公开(公告)号:CN104685348A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201380052272.X
申请日:2013-10-04
申请人: FEI公司
CPC分类号: H01J37/3053 , C23C14/46 , G01N1/32 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J2237/3174 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 通过减小保护层与感兴趣特征之间的距离来减小高纵横比特征上的帘幕化伪像。例如,离子束可以与工件表面的一角度进行铣削以产生斜表面。向斜表面上沉积保护层,并且离子束通过保护层进行铣削以使感兴趣特征暴露以用于分析。斜铣削将保护层接近于感兴趣特征定位以减少帘幕化。
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公开(公告)号:CN104685617B
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201380051841.9
申请日:2013-10-07
IPC分类号: H01L21/66
CPC分类号: G01N1/32 , G01N1/286 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/31745
摘要: 用于在带电粒子束系统中暴露样品中的结构的一部分以供观察的方法和系统,包括从大块样品提取样品;确定减少幕化的样品取向;将样品装配至带电粒子束系统中的夹持器,使得在研磨样品以暴露结构时,夹持器使样品取向在减少幕化的取向上;通过在减少幕化的方向上研磨样品来暴露结构;以及对结构成像。
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公开(公告)号:CN104885196A
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201380068797.2
申请日:2013-12-30
申请人: FEI公司
IPC分类号: H01L21/205
CPC分类号: H01L21/2605 , C23C16/045 , C23C16/047 , H01L21/02115 , H01L21/02277 , H01L21/0243 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/28556 , H01L21/76879 , H01L21/76898
摘要: 提供用于填充高深宽比孔而没有空隙或用于产生高深宽比结构而没有空隙的方法连同对应的设备。将直径小于孔的直径的束引导到孔中以诱发在孔底部的中心区中开始的沉积。在通过束诱发的沉积在孔中形成细长结构之后,束然后能够以与孔直径至少一样大的图案来扫描以填充孔的剩余部分。高深宽比孔然后能够使用离子束来横截用于观察而没有创建伪影。当使用电子束诱发沉积时,电子优选地具有高的能量以到达孔的底部,并且束具有低的电流以减少由束拖尾引起的伪沉积。
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公开(公告)号:CN104685617A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201380051841.9
申请日:2013-10-07
申请人: FEI公司
IPC分类号: H01L21/66
CPC分类号: G01N1/32 , G01N1/286 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/31745
摘要: 用于在带电粒子束系统中暴露样品中的结构的一部分以供观察的方法和系统,包括从大块样品提取样品;确定减少幕化的样品取向;将样品装配至带电粒子束系统中的夹持器,使得在研磨样品以暴露结构时,夹持器使样品取向在减少幕化的取向上;通过在减少幕化的方向上研磨样品来暴露结构;以及对结构成像。
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