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公开(公告)号：CN103403520B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280006697.2
申请日：2012-01-28
申请人： FEI公司
CPC分类号： H01J37/3056 , G01N1/286 , G01N2001/2886 , H01J37/261 , H01J2237/31745
摘要： 一种制备超薄TEM样品的改进的方法，该方法将背面打薄与附加清洁步骤组合起来以清除朝向FIB的基底表面上的表面缺陷。此附加步骤导致产生清洁、均匀的硬掩模，该硬掩模控制样品打薄的最终结果，并且允许可靠并且稳健地制备具有小至10nm范围厚度的样品。
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公开(公告)号：CN103946684A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280059036.6
申请日：2012-11-30
申请人： FEI公司
CPC分类号： H01J37/3056 , C23C14/5833 , G01N1/32 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J37/3005 , H01J2237/024 , H01J2237/20207 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要： 一种用于TEM样品制备和分析的方法，该方法可以用于FIB-SEM系统中，而不需要对薄层或机动化的翻转台进行重焊、卸载、用户处理。该方法允许具有典型倾斜台的双束FIB-SEM系统用于提取样品以形成衬底、将样品安装至能够倾斜的TEM样品支座上、用FIB铣削将该样品打薄、以及旋转样品从而使得样品面垂直于用于STEM成像的电子柱。
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公开(公告)号：CN102809496A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210178011.X
申请日：2012-06-01
申请人： FEI公司
IPC分类号： G01N1/28
CPC分类号： G01N1/32 , G01N1/286 , G01N2001/2886 , H01J37/02 , H01J37/3056 , H01J2237/20 , H01J2237/2802 , H01J2237/31745 , H01L21/02318
摘要： 本发明涉及制备用于TEM成像的薄样本的方法。本发明的目的在于提供一种方法和设备，用于以减少或防止弯曲和垂落的方式制备TEM样本。本发明的优选实施例在制备样本的过程期间把材料沉积在TEM样本的面上。在一些优选实施例中，该材料能够在减薄相反面之前沉积在已经被减薄的样本面上，这能够用于加强样本的结构完整性并再填补由于垂落现象而被过度减薄的区域。在优选实施例中，材料也能够沉积在正被铣削的面上，这能够用于减少或消除样本面上的垂落。
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公开(公告)号：CN104685617B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201380051841.9
申请日：2013-10-07
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N1/32 , G01N1/286 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/31745
摘要： 用于在带电粒子束系统中暴露样品中的结构的一部分以供观察的方法和系统，包括从大块样品提取样品；确定减少幕化的样品取向；将样品装配至带电粒子束系统中的夹持器，使得在研磨样品以暴露结构时，夹持器使样品取向在减少幕化的取向上；通过在减少幕化的方向上研磨样品来暴露结构；以及对结构成像。
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公开(公告)号：CN104885196A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068797.2
申请日：2013-12-30
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/2605 , C23C16/045 , C23C16/047 , H01L21/02115 , H01L21/02277 , H01L21/0243 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/28556 , H01L21/76879 , H01L21/76898
摘要： 提供用于填充高深宽比孔而没有空隙或用于产生高深宽比结构而没有空隙的方法连同对应的设备。将直径小于孔的直径的束引导到孔中以诱发在孔底部的中心区中开始的沉积。在通过束诱发的沉积在孔中形成细长结构之后，束然后能够以与孔直径至少一样大的图案来扫描以填充孔的剩余部分。高深宽比孔然后能够使用离子束来横截用于观察而没有创建伪影。当使用电子束诱发沉积时，电子优选地具有高的能量以到达孔的底部，并且束具有低的电流以减少由束拖尾引起的伪沉积。
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公开(公告)号：CN104685617A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051841.9
申请日：2013-10-07
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N1/32 , G01N1/286 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/31745
摘要： 用于在带电粒子束系统中暴露样品中的结构的一部分以供观察的方法和系统，包括从大块样品提取样品；确定减少幕化的样品取向；将样品装配至带电粒子束系统中的夹持器，使得在研磨样品以暴露结构时，夹持器使样品取向在减少幕化的取向上；通过在减少幕化的方向上研磨样品来暴露结构；以及对结构成像。
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公开(公告)号：CN108982919A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810554731.9
申请日：2018-06-01
CPC分类号： H01J37/3053 , G01N1/286 , G01N1/44 , H01J37/222 , H01J2237/31745 , H01L21/2633 , H01L21/3065 , H01L21/67069
摘要： 本发明涉及用于平面视薄片制备的沿面气体辅助蚀刻。一种用于从多层微电子器件制备位点特定的平面视薄片的方法。与蚀刻辅助气体一起朝向器件的最上层引导的聚焦离子束去除至少该最上层并从而暴露目标区域之上的或包括目标区域的下层，位点特定的平面视薄片要从所述目标区域制备，其中聚焦离子束在去除最上层以暴露下层时处于沿面取向。在优选实施例中，蚀刻辅助气体包括硝基乙酸甲酯。在替代实施例中，蚀刻辅助气体是乙酸甲酯、乙酸乙酯、硝基乙酸乙酯、乙酸丙酯、硝基乙酸丙酯、硝乙酸乙酯、甲氧基乙酸甲酯和甲氧基乙酰氯。
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公开(公告)号：CN102809496B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210178011.X
申请日：2012-06-01
申请人： FEI公司
IPC分类号： G01N1/28
CPC分类号： G01N1/32 , G01N1/286 , G01N2001/2886 , H01J37/02 , H01J37/3056 , H01J2237/20 , H01J2237/2802 , H01J2237/31745 , H01L21/02318
摘要： 本发明涉及制备用于TEM成像的薄样本的方法。本发明的目的在于提供一种方法和设备，用于以减少或防止弯曲和垂落的方式制备TEM样本。本发明的优选实施例在制备样本的过程期间把材料沉积在TEM样本的面上。在一些优选实施例中，该材料能够在减薄相反面之前沉积在已经被减薄的样本面上，这能够用于加强样本的结构完整性并再填补由于垂落现象而被过度减薄的区域。在优选实施例中，材料也能够沉积在正被铣削的面上，这能够用于减少或消除样本面上的垂落。
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公开(公告)号：CN105588742A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510749549.5
申请日：2015-11-06
申请人： FEI公司
摘要： 描述了促进薄片的自动化提取并且将薄片附着到样本格栅以在透射式电子显微镜上进行查看的技术。本发明的一些实施例涉及使用机器视觉来确定薄片、探针和/或TEM格栅的位置，以引导探针到薄片的附着以及薄片到TEM格栅的附着。促进机器视觉的使用的技术包括对探针尖端成形，使得其位置可以易于由图像识别软件来识别。图像相减技术可以用于确定附着到探针的薄片的位置，以将薄片移动到TEM格栅以供附着。在一些实施例中，在探针上或在薄片上研磨参考结构，以促进图像识别。
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公开(公告)号：CN103403520A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280006697.2
申请日：2012-01-28
申请人： FEI公司
CPC分类号： H01J37/3056 , G01N1/286 , G01N2001/2886 , H01J37/261 , H01J2237/31745
摘要： 一种制备超薄TEM样品的改进的方法，该方法将背面打薄与附加清洁步骤组合起来以清除朝向FIB的基底表面上的表面缺陷。此附加步骤导致产生清洁、均匀的硬掩模，该硬掩模控制样品打薄的最终结果，并且允许可靠并且稳健地制备具有小至10nm范围厚度的样品。
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