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公开(公告)号：CN102575320B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201180004186.2
申请日：2011-04-08
申请人： JX日矿日石金属株式会社
发明人： 桑垣宽
IPC分类号： C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , C22F1/00
CPC分类号： H01B1/026 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C9/10 , C22F1/00 , C22F1/08
摘要： 本发明提供达成高维(高次元)强度和导电率、同时耐疲劳性也优异的Cu-Co-Si系铜合金。电子材料用铜合金，其中含有Co：0.5～3.0％(质量)、Si：0.1～1.0％(质量)，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，在母相中析出的第二相颗粒中，粒径为5nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度为1×1012～1×1014个/mm3，粒径为5nm以上、不足10nm的第二相颗粒的个数密度以相对于粒径为10nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度之比来表示为3～6。
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公开(公告)号：CN102245787A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149672.6
申请日：2009-12-11
申请人： JX日矿日石金属株式会社
发明人： 桑垣宽
IPC分类号： C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B13/00 , C22F1/00
摘要： 提供适用于各种电子部件，尤其是镀敷的均匀附着性优异的Ni－Si－Co系铜合金。铜合金，其是含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.3～1.2质量％，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成的电子材料用铜合金，其中，板厚中心的平均结晶粒径在20μm以下、接触表面且长径在45μm以上的晶粒，相对于轧制方向长度1mm，为5个以下，并且亦可含有最大0.5质量％的Cr，且亦可含有总计最大2.0质量％的选自由Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag所构成的群的1种或2种以上的元素。
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公开(公告)号：CN101541987B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880000652.8
申请日：2008-08-22
申请人： JX日矿日石金属株式会社
CPC分类号： C22C9/06 , B21B2003/005 , C22F1/08 , H01B1/026
摘要： 本发明提供一种强度、电导率及冲裁性优异的Cu-Ni-Si-Co系合金。本发明为一种电子材料用铜合金，含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.30～1.2质量％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在平行于轧制方向的剖面上进行观察时，对于粒径在0.1μm以上、1μm以下的第二相粒子的组成的差异及面积率，〔Ni+Co+Si〕量的中间值：ρ(质量％)为20(质量％)≤ρ≤60(质量％)，标准偏差：σ(Ni+Co+Si)为σ(Ni+Co+Si)≤30(质量％)，面积率：S(％)为1％≤S≤10％。
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公开(公告)号：CN101522927B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780037203.6
申请日：2007-10-02
申请人： JX日矿日石金属株式会社
摘要： 本发明提供适合用作端子、连接器、开关、继电器用途的材料的电子材料用铜合金，所述铜合金在强度、导电率及弯曲加工性的平衡方面优异。电子材料用铜合金，其特征在于，含有Co：1.00-2.50％质量、Si：0.20-0.70％质量，余量由Cu及不可避免的杂质构成，Co和Si的质量浓度比(Co/Si比)为3.5≤Co/Si≤5，导电率为55％IACS以上，优选60％IACS以上，优选下述铜合金：含有Cr：0.05-0.50％质量，作为不可避免的杂质的碳为50ppm以下，还含有0.001-0.300％质量的Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag中至少1种物质的铜合金。所述合金的制造方法，其中，在熔融铸造后进行热轧和冷轧，在最终冷轧前进行下述热处理：加热至700-1050℃后，以每秒10℃以上的速度冷却。
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公开(公告)号：CN103249851B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180059363.7
申请日：2011-11-11
申请人： JX日矿日石金属株式会社
发明人： 桑垣宽
IPC分类号： C22C9/06 , B21B3/00 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01B13/00 , C22F1/00
摘要： 提供强度和导电率的平衡优异、而且下垂卷曲受到抑制的Cu-Ni-Si-Co系合金条。一种铜合金条，其是含有Ni：1.0～2.5质量%、Co：0.5～2.5质量%、Si：0.3～1.2质量%，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金条，其中，根据以轧制面为基准的X射线衍射极图测定所得的结果，满足下述（a）和（b）两者：（a）｛200｝极图中，α＝20°的利用β扫描所得的衍射峰强度中，β角度145°的峰高度相对于标准铜粉末的该峰高度为5.2倍以下；（b）｛111｝极图中，α＝75°的利用β扫描所得的衍射峰强度中，β角度185°的峰高度相对于标准铜粉末的该峰高度为3.4倍以上。
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公开(公告)号：CN104271784A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380021696.X
申请日：2013-02-15
申请人： JX日矿日石金属株式会社
发明人： 桑垣宽
摘要： 本发明提供强度、导电率和挠曲变位系数均优异的Cu-Ni-Si类铜合金。一种Cu-Ni-Si类铜合金，以质量%计含有1.2～4.5%的Ni、0.25～1.0%的Si，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，以来自轧制面中的{111}面的X射线衍射强度为I{111}、以纯铜粉末标准样品中的{111}面的X射线衍射强度为I0{111}时，I{111}/I0{111}为0.15以上，以来自轧制面中的{200}面的X射线衍射强度为I{200}、以纯铜粉末标准样品中的{200}面的X射线衍射强度为I0{200}时，I{200}/I0{200}为0.5以下，以来自轧制面中的{220}面的X射线衍射强度为I{220}、以来自{311}面的X射线衍射强度为I{311}时，I{111}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})为0.2以上，轧制直角方向的挠曲变位系数为130GPa以上，轧制直角方向的屈服强度YS满足下式：YS≥-22×(Ni质量%)2+215×(Ni质量%)+422，轧制直角方向的导电率为30%IACS以上。
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公开(公告)号：CN103339273A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280007476.7
申请日：2012-03-02
申请人： JX日矿日石金属株式会社
IPC分类号： C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01B13/00 , C22F1/00
摘要： 本发明提供提高了弹性极限值的Cu-Si-Co系合金。其为含有Co：0.5~2.5质量%、Si：0.1~0.7质量%，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，通过以压延面为基准的X射线衍射极图测定而获得的结果中，由α＝35°下的β扫描获得的相对于｛200｝Cu面的｛111｝Cu面的衍射峰强度中，β角度90°的峰高为标准铜粉末的相同角度的峰高的2.5倍以上。
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公开(公告)号：CN102099499A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201080002031.0
申请日：2010-02-17
申请人： JX日矿日石金属株式会社
IPC分类号： C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , C22F1/00 , C22F1/02
摘要： 本发明提供一种Cu-Co-Si系合金，其具备适合作为电子材料用铜合金的机械及电特性，且机械特性均一。电子材料用铜合金含有Co：0.5～4.0质量％、Si：0.1～1.2质量％，余部包括Cu及不可避免的杂质。平均结晶粒径为15～30μm，每0.5mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径的差的平均在10μm以下。
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公开(公告)号：CN101983249A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200980111916.1
申请日：2009-03-30
申请人： JX日矿日石金属株式会社
IPC分类号： C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/00 , C22F1/08
CPC分类号： C22C9/06 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明的课题在于提供一种通过在Cu-Ni-Co-Si系合金中使Cr添加效果更佳地发挥而使特性飞跃性提高，即高强度、高导电性的科森系合金。该电子材料用铜合金含有Ni：1.0～4.5质量％、Si：0.50～1.2质量％、Co：0.1～2.5质量％、Cr：0.0030～0.3质量％，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成；Ni与Co的合计质量与Si的质量浓度比([Ni+Co]/Si比)为4≤[Ni+Co]/Si≤5，对于分散于材料中的大小为0.1μm～5μm的Cr-Si化合物，其分散粒子中的Cr与Si的原子浓度比为1～5；其分散密度大于1×104个/mm2、且为1×106个/mm2以下。
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公开(公告)号：CN102803574B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201180015302.0
申请日：2011-03-23
申请人： JX日矿日石金属株式会社
发明人： 桑垣宽
IPC分类号： C25D5/34 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C9/10 , C25D7/00
摘要： 本发明提供镀膜的均匀性优异的电子材料用铜合金。所述电子材料用铜合金，其中，当通过SIM观察与轧制方向平行方向的截面时，在距表层的深度为0.5μm以下的范围内，无定形组织和粒径为不足0.1μm的晶粒所占的面积率为1%以下，在距表层的深度为0.2~0.5μm的范围内，粒径为0.1μm以上且不足0.2μm的晶粒相对于粒径为0.1μm以上的全部晶粒所占的个数比例为47.5%以上。
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