公开(公告)号：CN102471914A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200980160926.4

申请日：2009-11-16

Applicant: MKS仪器股份有限公司

Inventor： 戴璆瑛 ,  X·陈 ,  C·胡 ,  A·考韦 ,  A·沙基

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/18 ,  C25D11/30 ,  H01J37/32

CPC classification number: C25D11/04 ,  C25D11/026 ,  C25D11/18 ,  C25D11/30 ,  H01J37/32477

Abstract: 本发明揭示一种在半导体处理系统中使用的包括铝和镁的物体的表面上产生保护层的方法，该方法包含使用等离子体电解氧化方法来氧化该物体的该表面。该方法也包含通过激发包含卤素的气体来产生包含卤素的等离子体。该方法也包含将该经氧化的表面暴露于该包含卤素的等离子体或受激发气体。