公开(公告)号：CN103038399B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180027467.X

申请日：2011-06-01

Applicant: MKS仪器股份有限公司

Inventor： 陈星 ,  冀成相 ,  戴谬瑛

IPC: C25D5/48 ,  C25D11/04 ,  C23C16/44 ,  H01J37/16 ,  H01J37/32

CPC classification number: C25D11/04 ,  C23C28/321 ,  C25D5/48 ,  C25D11/026 ,  C25D11/16 ,  H01J37/16 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32467

Abstract: 一种用于在半导体加工系统中在物体的表面上形成氧化物层的方法，所述物体包含铝和铜，所述氧化物层具有降低的铜浓度。使用等离子体电解氧化法制备的氧化物层具有降低的铜浓度峰值，这降低了铜污染的风险，并且所述氧化物层包括氧化镁，所述氧化镁在接触受激发的含卤素的气体或含卤素的等离子体时可转化为卤化镁，以增加所述氧化物层的耐侵蚀/腐蚀性。

公开(公告)号：CN103038399A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180027467.X

申请日：2011-06-01

Applicant: MKS仪器股份有限公司

Inventor： 陈星 ,  冀成相 ,  戴谬瑛

IPC: C25D5/48 ,  C25D11/04 ,  C23C16/44 ,  H01J37/16 ,  H01J37/32

CPC classification number: C25D11/04 ,  C23C28/321 ,  C25D5/48 ,  C25D11/026 ,  C25D11/16 ,  H01J37/16 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32467

Abstract: 一种用于在半导体加工系统中在物体的表面上形成氧化物层的方法，所述物体包含铝和铜，所述氧化物层具有降低的铜浓度。使用等离子体电解氧化法制备的氧化物层具有降低的铜浓度峰值，这降低了铜污染的风险，并且所述氧化物层包括氧化镁，所述氧化镁在接触受激发的含卤素的气体或含卤素的等离子体时可转化为卤化镁，以增加所述氧化物层的耐侵蚀/腐蚀性。