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公开(公告)号：CN102466928A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110351979.3
申请日：2011-11-09
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2201/40
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置，尤其提供了一种有源矩阵型液晶显示装置，其具有均匀和精细地配向形成在显示区域中的平坦化膜的结构，其能够以较小的面积确保大的存储电容并且实现高的数值孔径。不具有平坦化膜的凹陷区域形成在源电极的一部分中。在凹陷区域中，由透明导电膜制成的公共电极覆盖源电极以形成第二存储电容器。
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公开(公告)号：CN104471472B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380035422.6
申请日：2013-07-04
Applicant: NLT科技股份有限公司
Inventor： 今野隆之
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136218
Abstract: 提供一种能够改善残像的横向电场模式的有源矩阵型液晶显示装置。多个像素梳状电极他像素梳状电极(109)的宽度和共同梳状电极(110)的宽度大，并且与通过第二绝缘膜覆盖图像信号配线(104)的共同屏蔽电极(110B)的宽度相同。显示区域被宽的像素梳状电极(109B)分成两个子区域。在各子区域中，像素梳状电极(109)的数量与共同梳状电极(110)的数量相等。另外，共同屏蔽电极(110B)的宽度与宽的像素梳状电极(109B)的宽度相同，电场集中于各像素梳状电极附近的情况被缓和。由于在结构上对称，因此电位分布变得对称，帧间的发光方式的非对称性被缓和。由此，闪烁调整后的图像信号的DC偏移成分减少，从而改善残像。(109)中的一个像素梳状电极(109B)的宽度比其
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公开(公告)号：CN101038403B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200710085794.6
申请日：2007-03-14
Applicant: NLT科技股份有限公司
Inventor： 今野隆之
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F2201/124
Abstract: 在共用电极和像素电极之间的像素区域由主要部分和特殊部分组成，在主要部分中，共用电极和像素电极的延伸方向与液晶分子的初始定向方向平行，以及所述特殊部分不与液晶分子的初始定向方向平行。在特殊部分中，像素电极的末端部分和共用电极的基部互相平行，并且相对于液晶分子的初始定向方向倾斜了规定角度。当穿过共用电极和像素电极施加电压以产生水平电场时，该水平电场在占据了大部分列的主要部分内与液晶分子的初始定向方向垂直，而该电场在特殊部分中不垂直。主要部分占据了该列的大部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104471472A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035422.6
申请日：2013-07-04
Applicant: NLT科技股份有限公司
Inventor： 今野隆之
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136218
Abstract: 提供一种能够改善残像的横向电场模式的有源矩阵型液晶显示装置。多个像素梳状电极(109)中的一个像素梳状电极(109B)的宽度比其他像素梳状电极(109)的宽度和共同梳状电极(110)的宽度大，并且与通过第二绝缘膜覆盖图像信号配线(104)的共同屏蔽电极(110B)的宽度相同。显示区域被宽的像素梳状电极(109B)分成两个子区域。在各子区域中，像素梳状电极(109)的数量与共同梳状电极(110)的数量相等。另外，共同屏蔽电极(110B)的宽度与宽的像素梳状电极(109B)的宽度相同，电场集中于各像素梳状电极附近的情况被缓和。由于在结构上对称，因此电位分布变得对称，帧间的发光方式的非对称性被缓和。由此，闪烁调整后的图像信号的DC偏移成分减少，从而改善残像。
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公开(公告)号：CN104375338A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410390054.3
申请日：2014-08-08
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F2001/134345 , G02F2001/134372 , G02F1/134309
Abstract: 一种横向电场型液晶显示装置，包括由透明导电膜制成的像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极经由绝缘膜而形成在第一基板上的不同层上。每个像素被划分成第一区域和第二区域。在所述第一区域中，大体上彼此平行且线状形成的所述像素电极和所述公共电极通过施加在这两者电极之间的横向电场而使在所述区域中的液晶分子旋转。在所述第二区域中，所述像素电极和所述公共电极中的至少在下层侧的电极为面状，并且所述像素电极和所述公共电极彼此重叠的部分形成存储电容。
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公开(公告)号：CN102466928B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110351979.3
申请日：2011-11-09
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2201/40
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置，尤其提供了一种有源矩阵型液晶显示装置，其具有均匀和精细地配向形成在显示区域中的平坦化膜的结构，其能够以较小的面积确保大的存储电容并且实现高的数值孔径。不具有平坦化膜的凹陷区域形成在源电极的一部分中。在凹陷区域中，由透明导电膜制成的公共电极覆盖源电极以形成第二存储电容器。
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公开(公告)号：CN102129142B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201110030219.2
申请日：2011-01-19
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F2001/133738
Abstract: 本发明提供了一种横向电场模式液晶显示装置。其中提供一种结构，用于通过稳定地控制在其中液晶分子在反向方向上旋转的梳齿状电极的末端部分中的域而在横向电场模式的液晶显示装置中获得高透射比。在横向电场模式的液晶显示装置中，公共电极和像素电极被形成在相同层上，伸出部分被设置在与梳齿状电极成钝角的方向上，并且与像素电极或公共电极的梳齿状电极的末端部中的扫描线基本上平行，浮置电极在梳齿状电极的延伸方向上延伸，以在所述末端部与梳齿状电极重叠，并且液晶反向旋转锁定结构由梳齿状电极的伸出部分和浮置电极形成。
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公开(公告)号：CN102096260B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110039424.5
申请日：2007-08-13
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵液晶显示器，包括：扫描信号布线、沿扫描信号布线布置的公共信号布线、与扫描信号布线和公共信号布线交叉的视频信号布线及像素的第一基板；面对第一基板的第二基板；以及被第一基板和第二基板夹着的液晶层，其中扫描信号布线和公共信号布线形成在经由第一绝缘层位于视频信号布线下方的层中，像素电极和公共电极形成在经由第二绝缘层位于视频信号布线上方的层中，第一存储电容形成区包括：通过重叠像素电极和公共信号布线而形成的第一存储电容；以及通过重叠源电极和公共信号布线而形成的第二存储电容，并且其中在第一存储电容形成区中的第一存储电容大于第二存储电容。
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