公开(公告)号：CN103309093B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310079922.1

申请日：2013-03-13

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 西田真一 ,  田口尚之 ,  渡边贵彦

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/133753 ,  G02F1/133784 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/133519 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2001/134345

Abstract: 本发明提供一种横向电场型的液晶显示装置，其通过与基板实质上平行的横向电场旋转均匀排列的液晶执行显示，将所述横向电场施加至像素电极上，以便确保充分的存储电容的同时扩大在子像素内的驱动液晶分子的区域。连接至源电极的源像素电极沿数据线延伸，通过与数据线相同的层形成的存储电容电极形成在相邻的扫描线之上以便与相邻的扫描线重叠，源像素电极设置成以便与存储电容电极连接并沿一侧连接像素，在源像素电极之上形成夹层膜，并且由透明导电膜形成的像素电极和公共电极形成在夹层膜之上。像素电极经由通孔连接至源像素电极。通过沿扫描线的延伸方向延伸的梳齿状电极，可以获得高的孔径比。

公开(公告)号：CN103135293A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210506963.X

申请日：2012-11-30

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 西田真一 ,  住吉研 ,  伊藤英毅 ,  杉本光弘 ,  池野英德

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/137 ,  G02F2001/133567 ,  G02F2001/133757 ,  G02F2001/134372

Abstract: 本发明提供了一种横向电场液晶显示装置及其制造方法。一种液晶显示装置包括以平面形式形成的透明电极和经由绝缘膜设置在其上的一个或多个条形透明电极，并且通过利用两种电极之间的电场使基本平行于基板地取向的液晶在基本平行于所述基板的平面内旋转来控制显示。构成该显示的每一个像素被划分成两个区域，该区域中的每一个中的条形电极的延伸方向正交，该区域中的每一个的液晶的取向方位正交，并且条形电极的延伸方向和液晶的取向方位之间形成的角度相同。

公开(公告)号：CN102466928A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110351979.3

申请日：2011-11-09

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 今野隆之 ,  西田真一 ,  伊藤英毅 ,  石野隆行 ,  廉谷勉

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/40

Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置，尤其提供了一种有源矩阵型液晶显示装置，其具有均匀和精细地配向形成在显示区域中的平坦化膜的结构，其能够以较小的面积确保大的存储电容并且实现高的数值孔径。不具有平坦化膜的凹陷区域形成在源电极的一部分中。在凹陷区域中，由透明导电膜制成的公共电极覆盖源电极以形成第二存储电容器。

公开(公告)号：CN103676265B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201310379283.0

申请日：2013-08-27

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 伊藤英毅 ,  西田真一 ,  渡边贵彦

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363

Abstract: 本发明涉及横向电场型液晶显示装置，包括：基板；放置在所述基板之间的液晶；布置在所述基板中的一个基板上的扫描线和数据线；以及边界由两条扫描线和两条数据线限定的像素。在各像素中，形成带状像素电极和公共电极，绝缘膜放置在所述带状像素电极和所述公共电极之间，且所述像素电极布置成靠近所述数据线中的一条数据线且沿着所述数据线中的所述一条数据线延伸。在各像素中，覆盖所述数据线中的一条数据线的公共电极的一部分与所述像素电极重叠，所述像素电极从重叠区域部分地突出，且所述像素电极的突出部分的侧边缘与覆盖另一条数据线的公共电极的一部分的侧边缘分离，以产生横向电场，从而驱动液晶。

公开(公告)号：CN102591079B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201110391234.X

申请日：2011-11-25

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 伊藤英毅 ,  西田真一 ,  渡边贵彦 ,  山本笃

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1339 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/13394 ,  G02F1/136213

Abstract: 本发明提供了一种柱形隔离物的电学上稳定的台阶膜的结构，所述台阶膜可以形成在存储电容器的区域中而不增加台阶的数目。本发明的液晶显示设备还包括：在所有像素中，在存储电容器形成部分内，由半导体层形成的具有相同面积的台阶膜。像素包括以下类型：柱形隔离物设置在与台阶膜形成部分相抵靠的位置的类型，以及柱形隔离物设置在与台阶膜形成部分远离的位置的类型。

公开(公告)号：CN104756000A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201280076568.0

申请日：2012-10-22

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 杉本光弘 ,  住吉研 ,  西田真一 ,  池野英德 ,  伊藤英毅

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/133753 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/133757 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2001/134372 ,  G02F1/133788 ,  G02F1/134336

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法，其中，一个电极由四个分割电极(P1，P2，P3，P4)构成并具有分割配向(O1，O2，O3，O4)，分割电极(P4)具有和与其相邻的像素(右、下、右下这三个位置)的分割电极(P’4)相同的结构。包围位于相邻的四个像素内的相同结构的四个分割电极P4(P’4)的区域以相同的分割配向(O4)进行处理。通过这种结构，即使是高分辨率像素也能维持良好的视角特性，并且能够进行高效的配向分割处理。

公开(公告)号：CN104375338A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410390054.3

申请日：2014-08-08

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 今野隆之 ,  西田真一

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2001/134372 ,  G02F1/134309

Abstract: 一种横向电场型液晶显示装置，包括由透明导电膜制成的像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极经由绝缘膜而形成在第一基板上的不同层上。每个像素被划分成第一区域和第二区域。在所述第一区域中，大体上彼此平行且线状形成的所述像素电极和所述公共电极通过施加在这两者电极之间的横向电场而使在所述区域中的液晶分子旋转。在所述第二区域中，所述像素电极和所述公共电极中的至少在下层侧的电极为面状，并且所述像素电极和所述公共电极彼此重叠的部分形成存储电容。

公开(公告)号：CN101419368B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810172904.7

申请日：2008-10-23

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 铃木照晃 ,  西田真一

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136286

Abstract: 一种横向电场型有源矩阵寻址液晶显示装置，其采用简单结构，抑制了漏极总线与对应其的公共总线之间的耦合电容(即，寄生电容)引起的横向串扰。在每个像素电极中，至少一个电隔离遮光电极形成为沿在相同漏极总线附近限定像素电极的漏极总线延伸。该遮光电极与对应于像素区域的像素电极的对应的一个的一部分重叠，使绝缘膜介于遮光电极和该部分之间，该部分沿在其附近的漏极总线延伸。在像素区域的某一点中，该遮光电极电连接到像素电极对应的一个。

公开(公告)号：CN104756000B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201280076568.0

申请日：2012-10-22

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 杉本光弘 ,  住吉研 ,  西田真一 ,  池野英德 ,  伊藤英毅

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/133753 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/133757 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2001/134372

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法，其中，一个电极由四个分割电极(P1，P2，P3，P4)构成并具有分割配向(O1，O2，O3，O4)，分割电极(P4)具有和与其相邻的像素(右、下、右下这三个位置)的分割电极(P’4)相同的结构。包围位于相邻的四个像素内的相同结构的四个分割电极P4(P’4)的区域以相同的分割配向(O4)进行处理。通过这种结构，即使是高分辨率像素也能维持良好的视角特性，并且能够进行高效的配向分割处理。

公开(公告)号：CN103293766B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201310063308.6

申请日：2013-02-28

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 西田真一 ,  池野英德 ,  伊藤英毅 ,  杉本光弘

IPC: G02F1/13363 ,  G02F1/1335

Abstract: 本发明公开了一种横向电场型液晶显示装置。为了在沿两个正交方向具有液晶初始配向方向的横向电场型液晶显示装置中获得来自倾斜视场的良好的视角特性。入射侧偏光板的吸收轴和出射侧偏光板的吸收轴在区域I和区域II中彼此正交，并且液晶层、作为光学补偿层的盒内延迟部、夹在液晶层与盒内延迟部之间的A板和C板平行于吸收轴中的任一个或正交于基板。因此，即使当从倾斜视场看显示表面时，可以将透射率抑制得较低，并且也可以获得良好的黑色显示。