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公开(公告)号：CN103730533B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310451426.4
申请日：2013-09-27
Applicant: NLT科技股份有限公司
Inventor： 石野隆行
IPC: H01L31/08 , H01L31/115 , H01L27/144 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14663 , H01L27/14659 , H01L27/14689 , H01L27/14692
Abstract: 本发明提供了一种光电转换设备、其制造方法和X光图像检测器。光电转换设备至少包括光电二极管装置。该光电二极管装置包括下部电极和上部电极、置于所述下部电极和上部电极之间的光电转换层，其中，所述光电转换层包括图案化的边缘表面，所述光电转换层的尺寸小于所述下部电极，且置于所述下部电极的表面上。所述光电二极管装置还包括至少覆盖所述光电转换层的图案化的边缘表面的保护膜。除了形成有接触孔的区域之外的所述保护膜和所述下部电极形成有相同形状的图案。
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公开(公告)号：CN104637962A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410599391.3
申请日：2014-10-30
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L27/1225 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14643 , H01L27/14663 , H01L27/14685 , H01L27/14692 , H01L27/307 , H01L27/3234 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78693 , H01L31/02322 , H01L31/028 , H01L31/03762 , H01L31/204
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括基板、以及在基板上依次层叠形成的多个光电转换元件和多个开关元件。各光电转换元件包括氢化非晶硅层。各开关元件包括非晶氧化物半导体层。图像传感器还包括阻挡层，所述阻挡层设置在光电转换元件的氢化非晶硅层与开关元件的非晶氧化物半导体层之间，其中，阻挡层抑制从氢化非晶硅层分离的氢的透过。
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公开(公告)号：CN103730533A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310451426.4
申请日：2013-09-27
Applicant: NLT科技股份有限公司
Inventor： 石野隆行
IPC: H01L31/08 , H01L31/115 , H01L27/144 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14663 , H01L27/14659 , H01L27/14689 , H01L27/14692
Abstract: 本发明提供了一种光电转换设备、其制造方法和X光图像检测器。光电转换设备至少包括光电二极管装置。该光电二极管装置包括下部电极和上部电极、置于所述下部电极和上部电极之间的光电转换层，其中，所述光电转换层包括图案化的边缘表面，所述光电转换层的尺寸小于所述下部电极，且置于所述下部电极的表面上。所述光电二极管装置还包括至少覆盖所述光电转换层的图案化的边缘表面的保护膜。除了形成有接触孔的区域之外的所述保护膜和所述下部电极形成有相同形状的图案。
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公开(公告)号：CN104637962B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201410599391.3
申请日：2014-10-30
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L27/1225 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14643 , H01L27/14663 , H01L27/14685 , H01L27/14692 , H01L27/307 , H01L27/3234 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78693 , H01L31/02322 , H01L31/028 , H01L31/03762 , H01L31/204
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括基板、以及在基板上依次层叠形成的多个光电转换元件和多个开关元件。各光电转换元件包括氢化非晶硅层。各开关元件包括非晶氧化物半导体层。图像传感器还包括阻挡层，所述阻挡层设置在光电转换元件的氢化非晶硅层与开关元件的非晶氧化物半导体层之间，其中，阻挡层抑制从氢化非晶硅层分离的氢的透过。
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公开(公告)号：CN102466928B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110351979.3
申请日：2011-11-09
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2201/40
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置，尤其提供了一种有源矩阵型液晶显示装置，其具有均匀和精细地配向形成在显示区域中的平坦化膜的结构，其能够以较小的面积确保大的存储电容并且实现高的数值孔径。不具有平坦化膜的凹陷区域形成在源电极的一部分中。在凹陷区域中，由透明导电膜制成的公共电极覆盖源电极以形成第二存储电容器。
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公开(公告)号：CN104850290A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510086814.6
申请日：2015-02-17
Applicant: NLT科技股份有限公司
Inventor： 石野隆行
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111
Abstract: 本发明涉及触摸传感器板、图像显示设备和触摸传感器板的制造方法。本发明提供能够同时改善屏幕的清晰度和制造产率的触摸传感器板等。该触摸传感器板包括沿着第一方向延伸的多个互相平行的第一电极和沿着第二方向延伸的多个互相平行的第二电极。关于第一电极和第二电极，这些电极中的一种电极经由同层的连接图案连接到各电极元件，而另一种电极经由不同层的连接图案连接到各电极元件。同层的连接图案和不同层的连接图案经由由绝缘体形成的夹层膜而彼此重叠。此外，夹层膜从同层的连接图案和不同层的连接图案之间的重叠部分经由各电极元件之间的间隙部分而延续，且夹层膜被形成为在间隙部分中延续。
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公开(公告)号：CN107134467A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710037723.2
申请日：2017-01-18
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/1225 , H01L27/1462 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/14692 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L31/0203 , H01L31/03762
Abstract: 本发明涉及图像传感器及其制造方法。在具有氧化物半导体TFT作为开关元件的用于FPD的图像传感器的制造中，在形成作为光电转换元件的a‑Si光电二极管(PD)时，原料气体中包含的大量氢气在氧化物半导体中扩散，导致TFT的特性大幅变动，由此TFT可能不操作。在基板上依次形成了氧化物半导体TFT和a‑Si PD的图像传感器中，在氧化物半导体TFT和PD之间配置气体阻隔膜，氧化物半导体TFT的漏极端子(漏极金属)经由形成在设于PD上的保护膜上的连接布线(桥接布线)连接到PD的一个端子(下部电极)。
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公开(公告)号：CN102466928A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110351979.3
申请日：2011-11-09
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2201/40
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置，尤其提供了一种有源矩阵型液晶显示装置，其具有均匀和精细地配向形成在显示区域中的平坦化膜的结构，其能够以较小的面积确保大的存储电容并且实现高的数值孔径。不具有平坦化膜的凹陷区域形成在源电极的一部分中。在凹陷区域中，由透明导电膜制成的公共电极覆盖源电极以形成第二存储电容器。
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