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公开(公告)号:CN111100641B
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN201911016141.1
申请日:2019-10-24
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法,所述蚀刻组合物包括磷酸、磷酸酐、下式1表示的硅烷化合物和水:[式1]其中,R1‑R6独立地为氢、卤素、取代的或未取代的C1‑C20烃基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1‑C20‑烷基)甲硅烷基、磷酰基或氰基。L为直接键或者C1‑C3亚烃基,A为n价基团,n为1‑4的整数。
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公开(公告)号:CN112442372B
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202010908291.X
申请日:2020-09-02
IPC: C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 蚀刻组合物,使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物,其包括磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物和由以下式1表示的铵盐:[式1]#imgabs0#其中:L1‑L3独立地为取代或未取代的亚烃基,R1‑R4独立地为氢、取代或未取代的烃基基团,以及Xn‑为n价阴离子,其中n为1‑3的整数。
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公开(公告)号:CN110527511B
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN201910422918.8
申请日:2019-05-21
IPC: C09K13/06 , H01L21/306 , H01L21/311 , C07F7/18 , C07F9/6596
Abstract: 一种蚀刻剂组合物,其包括由以下化学式1表示的硅烷化合物:[化学式1]其中R1‑R6独立地为氢、卤素、取代或未取代的C1‑C20烃基、苯基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三C1‑C20烷基甲硅烷基、磷酰基或氰基,L为直接键或C1‑C3亚烃基,A为n价基团,n为1‑4的整数。
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公开(公告)号:CN110527511A
公开(公告)日:2019-12-03
申请号:CN201910422918.8
申请日:2019-05-21
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/306 , H01L21/311 , C07F7/18 , C07F9/6596
Abstract: 一种蚀刻剂组合物,其包括由以下化学式1表示的硅烷化合物:[化学式1]其中R1-R6独立地为氢、卤素、取代或未取代的C1-C20烃基、苯基、C1-C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三C1-C20烷基甲硅烷基、磷酰基或氰基,L为直接键或C1-C3亚烃基,A为n价基团,n为1-4的整数。
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公开(公告)号:CN105051053B
公开(公告)日:2018-10-26
申请号:CN201480016363.2
申请日:2014-03-20
Applicant: SK新技术株式会社
Abstract: 本发明提供了在使用由包括季铵盐的席夫碱型配体合成的新络合物作为催化剂制备二氧化碳/环氧化物的共聚物的过程中,使用分子量调节剂制备聚(碳酸亚烃酯)的方法。根据本发明,即使使用分子量调节剂,仍可稳定地保持催化剂的活性,由此可有效地提供具有期望水平的低分子量的聚(碳酸亚烃酯)。另外,预期因为作为本发明催化剂的新络合物相较于现有共聚催化剂结构简单,由于其经济的制备成本,该新络合物可有效地用于大规模商业过程。
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公开(公告)号:CN107868194A
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201710869088.4
申请日:2017-09-22
IPC: C08F293/00 , C08F220/14 , C08F212/08 , C08F212/14 , G03F7/00 , G03F7/09 , G03F7/16 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC classification number: C08F220/18 , C08F12/20 , C08F114/185 , C08F212/08 , C08F293/005 , C08F2438/03 , C09D153/00 , H01L21/0271 , H01L21/31138 , C08F212/14 , C08F220/14 , G03F7/0002 , G03F7/091 , G03F7/165 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/0273 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31116 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供了一种形成精细图案的方法,该方法通过使用具有优异蚀刻选择性的嵌段共聚物而能够最小化LER和LWR,从而形成高质量纳米图案。本发明提供了一种嵌段共聚物,其包含具有由以下化学式1表示的重复单元的第一嵌段和具有由以下化学式2表示的重复单元的第二嵌段:[化学式1][化学式2]其中R1-R5、X1-X5、l、n和m如权利要求1中所定义。
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公开(公告)号:CN107868193A
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201710868378.7
申请日:2017-09-22
IPC: C08F293/00 , C08F212/08 , C08F212/14
CPC classification number: C08F214/18 , C08F2/38 , C08F4/04 , C08F12/20 , C08F212/08 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08F293/005 , C08F2438/03 , C09D153/00 , G01Q60/24 , H01J37/28 , C08F212/14
Abstract: 本发明提供一种二嵌段共聚物,其包含具有由以下化学式1表示的重复单元的第一嵌段和具有由以下化学式2表示的重复单元的第二嵌段:[化学式1] [化学式2] 其中R1-R5、X1-X5、l、n和m如权利要求1所定义。
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公开(公告)号:CN105406126A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201510556869.9
申请日:2015-09-02
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0569 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2220/30 , H01M2300/0025 , H01M10/0525 , H01M2300/0028
Abstract: 本发明提供一种锂二次电池电解液及包含其的锂二次电池。本发明的一个实施例涉及提供一种用于锂二次电池的具有良好的高温性能和低温性能的同时,适当保持高倍率充电和放电性能、高寿命周期性能等基本性能的电解液及包含该电解液的锂二次电池。
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公开(公告)号:CN105359325A
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201480038143.X
申请日:2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0567 , H01M10/052
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M2300/0025
Abstract: 本发明提供一种锂二次电池电解液及包含其的锂二次电池,本发明的二次电池电解液具有高温稳定性、低温放电容量及寿命特性高的优点。
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公开(公告)号:CN108428940B
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN201810136745.9
申请日:2018-02-09
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0567 , H01M10/0525 , H01M10/42
Abstract: 本发明提供一种用于锂二次电池的电解液和包括其的锂二次电池,其中,本发明的用于锂二次电池的电解液可提高DC‑IR特性和电池储存特性,并且可以改善高温稳定性、低温特性和寿命特性,从而有效地用于制造二次电池。
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