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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106432711A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610551869.4
申请日：2016-07-13
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC classification number: C08G65/4012 , C08G65/48 , C08G2650/40 , C09D171/08 , G03F7/091 , G03F7/094 , C08G65/4025 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/0275 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供用于制造半导体和显示器工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性和平坦化特性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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公开(公告)号：CN106565952B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201610557190.6
申请日：2016-07-14
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于半导体和显示器制造工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性、平坦化特性和优异的耐热性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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公开(公告)号：CN106565952A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610557190.6
申请日：2016-07-14
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于半导体和显示器制造工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性、平坦化特性和优异的耐热性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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公开(公告)号：CN106432711B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610551869.4
申请日：2016-07-13
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于制造半导体和显示器工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性和平坦化特性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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公开(公告)号：CN111225934A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880049559.X
申请日：2018-07-02
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体和显示器的制造工艺的具有新结构的聚合物、包含该聚合物的用于半导体和显示器的制造工艺的下层膜组合物以及利用该下层膜组合物制造半导体元件的方法，更具体地，本发明的新型聚合物具有优化的蚀刻选择比和平坦化特性以及优异的耐热性，因此包含该聚合物的下层膜组合物可以在半导体多层光刻工艺中用作硬掩膜。
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