公开(公告)号：CN111261770B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202010142985.7

申请日：2017-07-06

申请人： TDK株式会社

发明人： 太田佳生 ,  佐佐木诚志 ,  太田义明 ,  毛塚贵大 ,  稻叶胜也 ,  佐藤琳 ,  立本一志 ,  井上正良 ,  小松雄三

IPC分类号： H10N30/50 ,  H10N30/87 ,  H10N30/80

摘要： 本发明涉及一种压电元件，在该压电元件中，制作压电元件的过程中在烧成的时候产生于非活性部的内部应力或从外部被附加到非活性部的应力由第1通孔导体下面的低洼部和第2通孔导体上面的低洼部而被缓和。由此，例如通孔导体的变形或断裂等被抑制，并且发生电极层或通孔导体的导通不良或断线的事态被抑制。而且，在非活性部分中，因为压电体层的突部进入到通孔导体的低洼部，所以相对于通孔导体的压电体层的保持力增加，并且通孔导体的变形被抑制或者被阻碍。

公开(公告)号：CN107591476A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710547890.1

申请日：2017-07-06

申请人： TDK株式会社

发明人： 太田佳生 ,  佐佐木诚志 ,  太田义明 ,  毛塚贵大 ,  稻叶胜也 ,  佐藤琳 ,  立本一志 ,  井上正良 ,  小松雄三

IPC分类号： H01L41/083 ,  H01L41/047 ,  H01L41/04

摘要： 本发明涉及一种压电元件，在该压电元件中，制作压电元件的过程中在烧成的时候产生于非活性部的内部应力或从外部被附加到非活性部的应力由第1通孔导体下面的低洼部和第2通孔导体上面的低洼部而被缓和。由此，例如通孔导体的变形或断裂等被抑制，并且发生电极层或通孔导体的导通不良或断线的事态被抑制。而且，在非活性部分中，因为压电体层的突部进入到通孔导体的低洼部，所以相对于通孔导体的压电体层的保持力增加，并且通孔导体的变形被抑制或者被阻碍。

公开(公告)号：CN111261770A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010142985.7

申请日：2017-07-06

申请人： TDK株式会社

发明人： 太田佳生 ,  佐佐木诚志 ,  太田义明 ,  毛塚贵大 ,  稻叶胜也 ,  佐藤琳 ,  立本一志 ,  井上正良 ,  小松雄三

IPC分类号： H01L41/083 ,  H01L41/047 ,  H01L41/04

摘要： 本发明涉及一种压电元件，在该压电元件中，制作压电元件的过程中在烧成的时候产生于非活性部的内部应力或从外部被附加到非活性部的应力由第1通孔导体下面的低洼部和第2通孔导体上面的低洼部而被缓和。由此，例如通孔导体的变形或断裂等被抑制，并且发生电极层或通孔导体的导通不良或断线的事态被抑制。而且，在非活性部分中，因为压电体层的突部进入到通孔导体的低洼部，所以相对于通孔导体的压电体层的保持力增加，并且通孔导体的变形被抑制或者被阻碍。

公开(公告)号：CN107591476B

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201710547890.1

申请日：2017-07-06

申请人： TDK株式会社

发明人： 太田佳生 ,  佐佐木诚志 ,  太田义明 ,  毛塚贵大 ,  稻叶胜也 ,  佐藤琳 ,  立本一志 ,  井上正良 ,  小松雄三

IPC分类号： H01L41/083 ,  H01L41/047 ,  H01L41/04

摘要： 本发明涉及一种压电元件，在该压电元件中，制作压电元件的过程中在烧成的时候产生于非活性部的内部应力或从外部被附加到非活性部的应力由第1通孔导体下面的低洼部和第2通孔导体上面的低洼部而被缓和。由此，例如通孔导体的变形或断裂等被抑制，并且发生电极层或通孔导体的导通不良或断线的事态被抑制。而且，在非活性部分中，因为压电体层的突部进入到通孔导体的低洼部，所以相对于通孔导体的压电体层的保持力增加，并且通孔导体的变形被抑制或者被阻碍。